Максимова Алина Андреевна

Занимаемые должности

Ассистент (каф. Фотоники)
Ученая степень / Звания

Кандидат технических наук
Подразделение

Кафедра Фотоники
Электронная почта

aamaksimova@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 57221132932

Научный идентификатор (scopusId): 57214074742

Научный идентификатор (scopusId): 57669609500
Учёные степени

Кандидат технических наук
Диссертационные исследования

Гетероструктуры AIIIP/Si в качестве селективных контактов для высокоэффективных фотовольтаических элементов
2.2.7. - Фотоника | 14.05.2026
Публикации

Gudovskikh A. S. Plasma deposition of GaN/InP multilayer structures on Si / A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, A. I. Baranov, [и др.] // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. — 2026. — Т. 44, № 2. — Ст. 023007. — DOI: 10.1116/6.0005036.
Год: 2026

Uvarov A. Low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of Ga2O3 films using N2O plasma for silicon surface passivation / A. Uvarov, A. Baranov, V. Pozdeev, [и др.] // Applied Surface Science. — 2026. — Т. 719. — Ст. 165092. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.165092.
Год: 2026

Gudovskikh A. Interface properties study of black silicon solar cells with front surface a-Si:H/c-Si heterojunction / A. Gudovskikh, A. Baranov, A. Uvarov, [и др.] // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2025. — Т. 58, № 4. — С. 45101–45101. — Ст. 45101. — DOI: 10.1088/1361-6463/ad8a6d.
Год: 2025

Maksimova A. Trimethylboron as a precursor for boron phosphide plasma deposition at low temperature / A. Maksimova, A. Uvarov, D. Kirilenko, [и др.] // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. — 2025. — Т. 43, № 1. — Ст. 13402. — DOI: 10.1116/6.0004065.
Год: 2025

Novikova K. GaAsPN core–shell nanowire-based red microLEDs overcoming the efficiency cliff problem / K. Novikova, A. Goltaev, A. Maksimova, [и др.] // Journal of Materials Chemistry C. — 2025. — Т. 13, № 45. — С. 22741–22749. — DOI: 10.1039/d5tc01725d.
Год: 2025

Shugabaev T. Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells / T. Shugabaev, V. O. Gridchin, I. A. Melnichenko, [и др.] // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. — 2025. — Т. 19, № 4. — Ст. 2400296. — DOI: 10.1002/pssr.202400296.
Год: 2025

Baranov A. I. ADMITTANCE SPECTROSCOPY OF BORON PHOSPHIDE HETEROSTRUCTURES GROWN BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON SILICON SUBSTRATES; СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛНОЙ ПРОВОДИМОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ФОСФИДА БОРА НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ / A. I. Baranov, A. Uvarov, A. A. Maksimova, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2024. — Т. 17, № 3. — С. 17–24. — DOI: 10.18721/jpm.17302. — EDN: VMSZZW.
Год: 2024

Uvarov A. Conformal growth of GaP on high aspect ratio Si structured surface via plasma-enhanced atomic layer deposition / A. Uvarov, A. Gudovskikh, A. Baranov, [и др.] // Surface and Coatings Technology. — 2024. — Т. 477. — С. 130357–130357. — Ст. 130357. — DOI: 10.1016/j.surfcoat.2023.130357.
Год: 2024

Vyacheslavova E. A. Flexible solar cells based on PEDOT:PSS and vertically aligned silicon structures / E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, V. V. Neplokh, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 1. — С. 10–17. — DOI: 10.18721/jpm.161.201. — EDN: VRAJGK.
Год: 2023

Baranov A. I. Study of Schottky Diodes Based on an Array of Silicon Wires Obtained by Cryogenic Dry Etching / A. I. Baranov, D. A. Kudryashov, A. V. Uvarov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2022. — Т. 48, № 2. — С. 23–26. — DOI: 10.1134/s106378502202002x. — EDN: DEJRBH.
Год: 2022

Maksimova A. A. Plasma deposited indium phosphide and its electrophysical properties / A. A. Maksimova, A. Uvarov, D. A. Kirilenko, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 123–127. — DOI: 10.18721/jpm.153.323.
Год: 2022

Uvarov A. Study of recombination and transport properties of a-Si:H(i)/ µc-Si:H(n) contact system for crystalline silicon solar cells [Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ µc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния] / A. Uvarov, A. Baranov, A. A. Maksimova, [и др.] // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 150–154. — DOI: 10.18721/jpm.153.228.
Год: 2022

Vyacheslavova E. A. Study of Cryogenic Unmasked Etching of “Black Silicon” with Ar Gas Additives / E. A. Vyacheslavova, I. A. Morozov, D. A. Kudryashov, [и др.] // ACS Omega. — 2022. — Т. 7, № 7. — С. 6053–6057. — DOI: 10.1021/acsomega.1c06435. — EDN: UHKKPP.
Год: 2022

Baranov A. Admittance Spectroscopy of Solar Cells Based on Selective Contact MoOx/Si Junction / A. Baranov, D. Kudryashov, A. Uvarov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 11. — С. 785–788. — DOI: 10.1134/s1063785021080162. — EDN: TDYBSQ.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. Impact of Interface Recombination on Quantum Efficiency of a-Si:H/c-Si Solar Cells Based on Si Wires / A. S. Gudovskikh, D. A. Kudryashov, A. I. Baranov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2021. — Т. 218, № 22. — Ст. 2100339. — DOI: 10.1002/pssa.202100339.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. Low-Temperature Plasma Deposition of III-V Compounds on Silicon for Multijunction Solar Cells / A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5356–5366. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02691. — EDN: AKGQXE.
Год: 2021

Khmelnitskiy I. K. INFLUENCE OF THE ELECTROLYTE NATURE ON THE PERFORMANCE OF IONIC EAP SENSORS WITH METAL AND POLYMER ELECTRODES / I. K. Khmelnitskiy, V. M. Aivazyan, N. I. Alekseev, [и др.] // Journal of Structural Chemistry. — 2021. — Т. 62, № 12. — С. 1826–1835. — DOI: 10.1134/s0022476621120027.
Год: 2021

Kudriashov D. A. Influence of the Design Features of a Magnetron Sputtering Deposition System on the Electrical and Optical Properties of Indium—Tin Oxide Films / D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, [и др.] // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 4. — С. 410–414. — DOI: 10.1134/s1063782621040072. — EDN: QASBSG.
Год: 2021

Maksimova A. A. Investigation of Plasma Deposited Boron Phosphide and Its Contact to Silicon / A. A. Maksimova, A. V. Uvarov, A. I. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5367–5373. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02704. — EDN: XARDDT.
Год: 2021

Uvarov A. V. Formation of Heterostructures of GaP/Si Photoconverters by the Combined Method of MOVPE and PEALD / A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 10. — С. 730–733. — DOI: 10.1134/s1063785021070270. — EDN: HYMMCS.
Год: 2021

Баранов А. И. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением / А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 47–50. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.18.51474.18855. — EDN: OCVYFO.
Год: 2021

Баранов А. И. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoOₓ/Si с помощью спектроскопии полной проводимости / А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 24–27. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.16.51324.18779. — EDN: JFZWHI.
Год: 2021

Кудряшов Д. А. Влияние условий формирования пленок In₂O₃-SnO₂ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии / Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 31–33. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.24.51796.18945. — EDN: VHDEKS.
Год: 2021

Кудряшов Д. А. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова / Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2021. — С. 360–364. — DOI: 10.21883/ftp.2021.04.50741.9561. — EDN: CFQUBG.
Год: 2021

Уваров А. В. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения / А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 51–54. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.14.51189.18781. — EDN: IGIEUG.
Год: 2021

Хмельницкий И. К. Влияние природы электролита на характеристики ионных ЭАП-сенсоров с металлическими и полимерными электродами / И. К. Хмельницкий, В. М. Айвазян, Н. И. Алексеев, [и др.] // Журнал структурной химии. — 2021. — С. 1942–1952. — DOI: 10.26902/jsc_id83838. — EDN: QERRPC.
Год: 2021

Kudryashov D. Using MoOx/p-Si Selective Contact for Evaluation of the Degradation of a Near-Surface Region of Silicon / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Maksimova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 12. — С. 1245–1248. — DOI: 10.1134/s1063785020120202. — EDN: AZTOAZ.
Год: 2020

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Максимова Алина Андреевна

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 57221132932

Научный идентификатор (scopusId): 57214074742

Научный идентификатор (scopusId): 57669609500

Кандидат технических наук

Гетероструктуры AIIIP/Si в качестве селективных контактов для высокоэффективных фотовольтаических элементов

Контакты