Размер шрифта

Изображения

Синтез речи

Шрифт Брайля

Обычная версия

* Шрифт Брайля предназначен для использования со специализированными считывающими устройствами

Для озвучки текста - наведите курсор на необходимый текст

Главная » Структура университета » Профиль сотрудника

Коляда Дмитрий Владимирович

Занимаемые должности

Младший научный сотрудник (каф. МНЭ)
Подразделение

Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

dvkoliada@etu.ru

Публикации

Sitkov N. O. Zinc oxide nanorods for biosensing: study of the temperature conditions for formation / N. O. Sitkov, A. A. Ryabko, E. N. Martsenyuk, [и др.] // Biomedical Engineering. — 2025. — Т. 58, № 5. — С. 314–318. — DOI: 10.1007/s10527-024-10424-w.
Год: 2025

Skvortsov I. V. Multiple quantum wells with ultrathin high-Sn fraction GeSn layers: Structural and optical properties / I. V. Skvortsov, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, [и др.] // Next Materials. — 2025. — Т. 9. — С. 101353–101353. — Ст. 101353. — DOI: 10.1016/j.nxmate.2025.101353.
Год: 2025

Коляда Д. Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si / Д. Коляда, Д. Фирсов, О. Комков, [и др.] // Физика твердого тела. — 2025. — С. 1642–1646. — DOI: 10.61011/ftt.2025.09.61615.228-25. — EDN: IPFDUV.
Год: 2025

Скворцов И. В. Структурные и оптические свойства множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSn/GeSi / И. В. Скворцов, В. А. Тимофеев, И. Д. Лошкарев, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. — 2025. — С. 186. — EDN: UXLLRE.
Год: 2025

Тимофеев В. А. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе материалов IV группы (Ge, Si, Sn) / В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. — 2025. — С. 192. — EDN: SFYMNZ.
Год: 2025

Хахулин С. А. EFFECT OF RECTANGULAR ALUMINUM NANOANTENNAS ON THE OPTICAL EMISSION OF GESISN/SI MULTIPLE QUANTUM WELLS / С. А. Хахулин, Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2025. — Т. 68, № 7. — С. 95–102. — DOI: 10.17223/00213411/68/7/12. — EDN: TKXAPF.
Год: 2025

Kolyada D. V. Impact of Sulphide Passivation of the Substrate on the Photoluminescent Properties of InAs Autoepitaxial Layers / D. V. Kolyada, D. D. Firsov, O. S. Komkov, [и др.] // Russian Microelectronics. — 2024. — С. 845–849. — DOI: 10.1134/s106373972470104x. — EDN: VGNASC.
Год: 2024

Timofeev V. A. Excitation of hybrid modes in plasmonic nanoantennas coupled with GeSiSn/Si multiple quantum wells for the photoresponse enhancement in the short-wave infrared range / V. A. Timofeev, I. V. Skvortsov, V. I. Mashanov, [и др.] // Applied Surface Science. — 2024. — Т. 659. — С. 159852–159852. — Ст. 159852. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.159852.
Год: 2024

Timofeev V. Effects of high-temperature annealing on vacancy complexes and luminescence properties in multilayer periodic structures with elastically strained GeSiSn layers / V. Timofeev, I. Skvortsov, V. Mashanov, [и др.] // Journal of Vacuum Science and Technology B. — 2024. — Т. 42, № 3. — Ст. 030601. — DOI: 10.1116/6.0003557.
Год: 2024

Timofeev V. Structural, Optical and Electrophysical Properties of MBE-Based Multistacked GeSiSn Quantum Dots / V. Timofeev, I. Skvortsov, V. Mashanov, [и др.] // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. — 2024. — Т. 31, № 1. — С. 1–8. — Ст. 8200108. — DOI: 10.1109/jstqe.2024.3439526. — EDN: MGFUIS.
Год: 2024

Рябко А. А. Наностержни оксида цинка для биосенсорики: исследование температурных условий формирования / А. А. Рябко, Е. Н. Марценюк, А. А. Колобов, [и др.] // Медицинская техника. — 2024. — С. 21–24. — EDN: IFZVCE.
Год: 2024

Firsov D. Fourier-transform infrared photoreflectance spectroscopy of the InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic heterostructures with a superlattice waveguide / D. Firsov, A. Luferau, D. Kolyada, [и др.] // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. — 2023. — Т. 40, № 2. — С. 381–387. — DOI: 10.1364/josab.480669. — EDN: GZKGHA.
Год: 2023

Timofeev V. Remarkable enhancement of photoluminescence and photoresponse due to photonic crystal structures based on GeSiSn/Si multiple quantum wells / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Materials Today Physics. — 2023. — Т. 33. — Ст. 101052. — DOI: 10.1016/j.mtphys.2023.101052.
Год: 2023

Коляда Д. В. Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами / Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2023. — С. 60–66. — DOI: 10.17223/00213411/66/5/8. — EDN: EUDIIR.
Год: 2023

Скворцов И. В. Влияние термического отжига и водородной плазмы на оптические свойства множественных квантовых ям GeSiSn/Ge/Si / И. В. Скворцов, В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023. — 2023. — С. 293. — EDN: JUQRVD.
Год: 2023

Тимофеев В. А. Усиление фотоотклика множественных квантовых ям GeSiSn/Si, сопряженных с плазмонными и фотонно-кристаллическими структурами / В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023. — 2023. — С. 301. — EDN: AYNQML.
Год: 2023

Timofeev V. Features of Optical Transitions in GeSiSn/Si Multiple Quantum Wells / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. — 2022. — Т. 58, № 6. — С. 571–578. — DOI: 10.3103/s8756699022060127.
Год: 2022

Timofeev V. Tuning the structural and optical properties of GeSiSn/Si multiple quantum wells and GeSn nanostructures using annealing and a faceted surface as a substrate / V. Timofeev, V. Mashanov, A. I. Nikiforov, [и др.] // Applied Surface Science. — 2022. — Т. 593. — Ст. 153421. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.153421. — EDN: KVMZEO.
Год: 2022

Коляда Д. В. Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами / Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 765–769. — DOI: 10.21883/ftp.2022.08.53142.28. — EDN: MVWDXB.
Год: 2022

Тимофеев В. А. ОСОБЕННОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В МНОЖЕСТВЕННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ GeSiSn/Si / В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров, [и др.] // Автометрия. — 2022. — С. 28–36. — DOI: 10.15372/aut20220604. — EDN: ATLUNY.
Год: 2022

Timofeev V. Structural and Optical Properties of a Hybrid Material Based on Tin Oxides and Multilayer Periodic Structures with Pseudomorphic GeSiSn Layers / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Russian Physics Journal. — 2021. — Т. 64, № 8. — С. 1505–1512. — DOI: 10.1007/s11182-021-02483-3. — EDN: WTIKSP.
Год: 2021

Тимофеев В. А. Структурные и оптические свойства гибридного материала на основе оксидов олова и многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn / В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров, [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. — 2021. — С. 115–121. — DOI: 10.17223/00213411/64/8/115. — EDN: LHCOMF.
Год: 2021

Тимофеев В. А. Тонкие пленки Sn при формировании фасетированной поверхности и росте наноструктур GeSn / В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021. — 2021. — С. 234–234. — EDN: DKUUVY.
Год: 2021

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)