Андреева Наталья Владимировна

Занимаемые должности

Начальник лаборатории (НИЛ "НМЭВП")
Профессор (каф. МНЭ)
Ученая степень / Звания

Доктор физико-математических наук
Подразделение

Научно-исследовательская лаборатория "Нейроморфная электроника и вычисления в памяти"
Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

nvandreeva@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 35182427400

Научный идентификатор (elibraryId): 259866
Учёные степени

Доктор физико-математических наук
РИДы

Источник тока на биполярном p-n-p транзисторе
2025127442 | 2026-03-17

Симулятор импульсных нейронных сетей с учетом особенностей их аппаратного исполнения
2025683734 | 2025-09-05

Интегральный электронный синаптический КМОП-элемент
2024127070 | 2025-03-18

Способ получения монокристаллического SiC
2811353 | 2024-01-11

Интегральный электронный КМОП синапс
2808951 | 2023-12-05

Способ получения порошка карбида кремния политипа 4H
2802961 | 2023-09-05

Способ получения порошка карбида кремния
2791964 | 2023-03-14

Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H
2768938 | 2022-03-25

Мемристивный синапс
2020132649 | 2021-02-18
Аспирантские работы

Формирование основ проектирования нейроморфных устройств с реализацией режима самообучения в реальном времени.
2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2027

Формирование основ проектирования аналоговых нейроморфных электронных модулей с аппаратным обучением
2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2026
Диссертационные исследования

Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем
01.04.10 - Физика полупроводников | 30.09.2022
Публикации

Petrov M. Neuromorphic processor with hardware learning based on a convolutional neural network for audio spectrogram analysis; [Нейроморфный процессор с аппаратным обучением на основе сверточной нейронной сети для анализа аудиоспектрограмм] / M. Petrov, E. Ryndin, N. Andreeva // Computer Research and Modeling. — 2026. — Т. 18, № 1. — С. 81–99. — DOI: 10.20537/2076-7633-2026-18-1-81-99. — EDN: DVUTAV.
Год: 2026

Petrov M. Automated design of deep neural networks with in-situ training architecture based on analog functional blocks / M. Petrov, E. Ryndin, N. Andreeva // European Physical Journal: Special Topics. — 2025. — Т. 234, № 15. — С. 4095–4108. — DOI: 10.1140/epjs/s11734-024-01369-y.
Год: 2025

Андреева Н. ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ / Н. Андреева, Е. Рындин, Д. Мазинг, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2025. — С. 440–448. — DOI: 10.7868/s3034641x25090161. — EDN: DQHDPZ.
Год: 2025

Дудкин А. Аппаратное исполнение импульсных нейронных сетей в нейроморфных электронных модулях / А. Дудкин, Н. Андреева, Е. Рындин // VI Международная конференция по нейронным сетям и нейротехнологиям (NeuroNT'2025). — 2025. — С. 32–35. — EDN: BDRODS.
Год: 2025

Дудкин А. Обучение импульсной нейронной сети с учетом особенностей функционирования мемристивного кроссбар-массива / А. Дудкин, Е. Рындин, Н. Андреева // Микроэлектроника. — 2025. — С. 310–322. — DOI: 10.31857/s0544126925040058. — EDN: QHFRKQ.
Год: 2025

Петров М. Аппаратная реализация асинхронной аналоговой нейронной сети с обучением на базе унифицированных КМОП IP-блоков / М. Петров, Е. Рындин, Н. Андреева // Микроэлектроника. — 2025. — С. 323–332. — DOI: 10.31857/s0544126925040066. — EDN: QHFTPM.
Год: 2025

Рындин Е. А. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВКЛАДА ГРАНИЧНЫХ ЭФФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕМРИСТИВНЫХ КОМПОЗИЦИЙ С ТОНКИМИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ / Е. А. Рындин, Н. В. Андреева, А. Е. Петухов // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. — 2025. — С. 150–153. — DOI: 10.29003/m4796.mmmsec-2025/150-153. — EDN: UCTNXG.
Год: 2025

Andreeva N. V. Dynamics of Analog Switching Behavior in Thin Polycrystalline Barium Titanate / N. V. Andreeva, E. A. Ryndin, A. E. Petukhov, [и др.] // Advanced Electronic Materials. — 2024. — Т. 10, № 6. — Ст. 2300806. — DOI: 10.1002/aelm.202300806.
Год: 2024

Dudkin A. P. Modeling the Functional Features of a Memristive Crossbar Array in Neuromorphic Electronic Modules / A. P. Dudkin, E. A. Ryndin, N. V. Andreeva // Russian Microelectronics. — 2024. — С. 554–566. — DOI: 10.1134/s1063739724600675. — EDN: HFOVJT.
Год: 2024

Gismatulin A. Origin of exponentially large increase in the leakage current in alumina films depending on the ALD synthesis temperature / A. Gismatulin, Y. N. Novikov, N. Andreeva, [и др.] // Applied Physics Letters. — 2024. — Т. 125, № 6. — Ст. 062901. — DOI: 10.1063/5.0217150.
Год: 2024

Андреева Н. В. Механизмы резистивной перестройки в сегнетоэлектрическом мемристоре на основе тонких поликристаллических пленок титаната бария / Н. В. Андреева, Е. А. Рындин, А. Е. Петухов, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2024. — С. 70–80. — DOI: 10.17587/nmst.26.70-80. — EDN: VLMOHV.
Год: 2024

Андреева Н. В. Подходы к оптимизации аппаратного исполнения импульсных нейронных сетей / Н. В. Андреева, Е. А. Рындин, И. А. Маврин // Нано- и микросистемная техника. — 2024. — С. 117–130. — DOI: 10.17587/nmst.26.117-130. — EDN: IGMGKI.
Год: 2024

Дудкин А. П. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ РАБОТЫ МЕМРИСТИВНОГО КРОССБАР-МАССИВА В НЕЙРОМОРФНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЯХ / А. П. Дудкин, Е. А. Рындин, Н. В. Андреева // Микроэлектроника. — 2024. — С. 483–495. — DOI: 10.31857/s0544126924060031. — EDN: GCXHKF.
Год: 2024

Ryndin E. A. Neuromorphic Electronic Module Based on the Use of the Memristor Electronic-Component Base for Image Recognition / E. A. Ryndin, I. Mavrin, N. Andreeva, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2023. — Т. 18, № SUPPL 1. — С. S194–S202. — DOI: 10.1134/s2635167623600724.
Год: 2023

Андреева Н. В. Сканирующая туннельная микроскопия как метод анализа корреляции локальных резистивных и сегнетоэлектрических свойств в мемристивных композициях / Н. В. Андреева, А. Е. Петухов, Е. А. Рындин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2023. — С. 51–60. — DOI: 10.17587/nmst.25.51-60. — EDN: JOOFPJ.
Год: 2023

Andreeva N. Architecture and Technology of Neuromorphic Memristive Chips / N. Andreeva, V. Luchinin, E. Ryndin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17, № SUPPL 1. — С. S72–S79. — DOI: 10.1134/s2635167622070035.
Год: 2022

Andreeva N. V. Organismic Memristive Structures With Variable Functionality for Neuroelectronics / N. V. Andreeva, E. A. Ryndin, D. S. Mazing, [и др.] // Frontiers in Neuroscience. — 2022. — Т. 16. — Ст. 913618. — DOI: 10.3389/fnins.2022.913618.
Год: 2022

Khmelnitskiy I. Appearance and Basic Functional Elements of an Interactive Multimodal Hybrid Conformal Microsystem for Real-Time Transdermal Biomedical Monitoring and Correction of the Body Condition / I. Khmelnitskiy, V. V. Luchinin, K. G. Gareev, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17, № SUPPL 1. — С. S50–S55. — DOI: 10.1134/s2635167622070114.
Год: 2022

Ryndin E. A. Compact Model for Bipolar and Multilevel Resistive Switching in Metal-Oxide Memristors / E. A. Ryndin, N. V. Andreeva, V. V. Luchinin // Micromachines. — 2022. — Т. 13, № 1. — Ст. 98. — DOI: 10.3390/mi13010098.
Год: 2022

Ryndin E. A. Neuromorphic Functional Modules of a Spiking Neural Network / E. A. Ryndin, N. Andreeva, V. V. Luchinin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17, № SUPPL 1. — С. S80–S90. — DOI: 10.1134/s2635167622070175.
Год: 2022

Рындин Е. А. Нейроморфный электронный модуль, ориентированный на использование мемристорной ЭКБ, для распознавания изображений / Е. А. Рындин, И. А. Маврин, Н. В. Андреева, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2022. — С. 293–303. — DOI: 10.17587/nmst.24.293-303. — EDN: JOZODR.
Год: 2022

ANDREEVA N. Electron impact processes in voltage-controlled phase transition in vanadium dioxide thin films / N. ANDREEVA, P. TURALCHUK, D. CHIGIREV, [и др.] // Chaos, Solitons and Fractals. — 2021. — Т. 142. — Ст. 110503. — DOI: 10.1016/j.chaos.2020.110503. — EDN: YUHTAO.
Год: 2021

Andreeva N. V. Contact engineering approach to improve the linearity of multilevel memristive devices / N. V. Andreeva, D. S. Mazing, A. Romanov, [и др.] // Micromachines. — 2021. — Т. 12, № 12. — Ст. 1567. — DOI: 10.3390/mi12121567. — EDN: HHVLGL.
Год: 2021

Andreeva N. V. Heterolayer Memristive Systems for Multibit Memory: The Role of a Reservoir of Oxygen Vacancies / N. V. Andreeva, A. Romanov, D. S. Mazing, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2021. — Т. 16, № 6. — С. 790–797. — DOI: 10.1134/s2635167621060033. — EDN: PFGHZV.
Год: 2021

Andreeva N. V. Local electric property modification of ferroelectric tunnel junctions induced by variation of polarization charge screening conditions under measurement with scanning probe techniques / N. V. Andreeva, A. Petukhov, O. Vilkov, [и др.] // Nanomaterials. — 2021. — Т. 11, № 12. — Ст. 3323. — DOI: 10.3390/nano11123323. — EDN: ARAEHM.
Год: 2021

Андреева Н. В. Архитектура и технология нейроморфных мемристивных чипов / Н. В. Андреева, В. В. Лучинин, Е. А. Рындин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 285–294. — DOI: 10.17587/nmst.23.285-294. — EDN: PUTTTX.
Год: 2021

Андреева Н. В. ГЕТЕРОСЛОЕВЫЕ МЕМРИСТИВНЫЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ МНОГОУРОВНЕВОЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЛОГИКИ. РОЛЬ “РЕЗЕРВУАРА” КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ / Н. В. Андреева, А. А. Романов, Д. С. Мазинг, [и др.] // Российские нанотехнологии. — 2021. — С. 825–832. — DOI: 10.1134/s1992722321060030. — EDN: YOYYMS.
Год: 2021

Рындин Е. А. Нейроморфные функциональные модули импульсной нейронной сети / Е. А. Рындин, Н. В. Андреева, В. В. Лучинин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 317–326. — DOI: 10.17587/nmst.23.317-326. — EDN: DQZLPU.
Год: 2021

Хмельницкий И. К. Облик и основные функциональные элементы интерактивной мультимодальной гибридной конформной микросистемы для оперативного трансдермального медико-биологического мониторинга и коррекции состояния организма / И. К. Хмельницкий, В. В. Лучинин, К. Г. Гареев, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 294–299. — DOI: 10.17587/nmst.23.294-299. — EDN: TZVDIM.
Год: 2021

Andreeva N. Structure-resistive property relationships in thin ferroelectric BaTiO 3 films / N. Andreeva, A. Petraru, O. Y. Vilkov, [и др.] // Scientific Reports. — 2020. — Т. 10, № 1. — Ст. 15848. — DOI: 10.1038/s41598-020-72738-5. — EDN: PRXSPZ.
Год: 2020

Andreeva N. V. Memristive Logic Design of Multifunctional Spiking Neural Network with Unsupervised Learning / N. V. Andreeva, E. A. Ryndin, M. Gerasimova // BioNanoScience. — 2020. — Т. 10, № 4. — С. 824–833. — DOI: 10.1007/s12668-020-00778-2. — EDN: JYAIDL.
Год: 2020

Andreeva N. Mechanisms of electron transport in BaTiO3 ultrathin epitaxial films in the temperature range 40 K-295 K / N. Andreeva, A. Petrov, A. Petraru, [и др.] // Materials Research Express. — 2019. — Т. 6, № 2. — С. 26427. — Ст. 026427. — DOI: 10.1088/2053-1591/aaf24f. — EDN: QSHBAW.
Год: 2019

Andreeva N. Multilevel resistive switching in TiO2/Al2O3 bilayers at low temperature / N. Andreeva, A. Ivanov, A. Petrov // AIP Advances. — 2018. — Т. 8, № 2. — Ст. 025208. — DOI: 10.1063/1.5019570.
Год: 2018

Petrov A. Mechanism of electron transport and bipolar resistive switching in lead oxide thin films / A. Petrov, N. Andreeva, A. Ivanov // AIP Advances. — 2018. — Т. 8, № 10. — Ст. 105015. — DOI: 10.1063/1.5041839.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Андреева Наталья Владимировна

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 35182427400

Научный идентификатор (elibraryId): 259866

Доктор физико-математических наук

Формирование основ проектирования нейроморфных устройств с реализацией режима самообучения в реальном времени.

Формирование основ проектирования аналоговых нейроморфных электронных модулей с аппаратным обучением

Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем

Контакты