Профиль сотрудника

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 6602958574

Научный идентификатор (elibraryId): 108866

Научный идентификатор (scopusId): 57221328070
Учёные степени

Доктор технических наук

Кандидат физико-математических наук
Аспирантские работы

Исследование оптических и фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе наноструктурированного кремния и широкозонных материалов, сформированных методами плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
2.2.7 Фотоника | 2026
Диссертационные исследования

Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения
05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах | 18.12.2014
Публикации

Uvarov A. Low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of Ga2O3 films using N2O plasma for silicon surface passivation / A. Uvarov, A. Baranov, V. Pozdeev, [и др.] // Applied Surface Science. — 2026. — Т. 719. — Ст. 165092. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.165092.
Год: 2026

Gudovskikh A. Interface properties study of black silicon solar cells with front surface a-Si:H/c-Si heterojunction / A. Gudovskikh, A. Baranov, A. Uvarov, [и др.] // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2025. — Т. 58, № 4. — С. 45101–45101. — Ст. 45101. — DOI: 10.1088/1361-6463/ad8a6d.
Год: 2025

Maksimova A. Trimethylboron as a precursor for boron phosphide plasma deposition at low temperature / A. Maksimova, A. Uvarov, D. Kirilenko, [и др.] // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. — 2025. — Т. 43, № 1. — Ст. 13402. — DOI: 10.1116/6.0004065.
Год: 2025

Vyacheslavova E. A. Black silicon formation using cryogenic etching and photoresist layer / E. A. Vyacheslavova, D. V. Mokhov, A. V. Uvarov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2025. — Т. 18, № 3. — DOI: 10.18721/jpm.183.136.
Год: 2025

Гудовских А. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP / А. Гудовских, А. Баранов, А. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2025. — С. 18–22. — DOI: 10.61011/pjtf.2025.09.60226.20200. — EDN: LQJUQI.
Год: 2025

Михайлов О. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного "черного" кремния с пасcивирующим слоем n-GaP / О. Михайлов, А. Баранов, А. Максимова, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2025. — С. 223–226. — DOI: 10.61011/ftp.2025.04.61254.8113. — EDN: VMAQBK.
Год: 2025

Поздеев В. Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов b-Si/PEDOT:PSS / В. Поздеев, Е. Вячеславова, О. Михайлов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2025. — С. 286–290. — DOI: 10.61011/ftp.2025.05.61474.8075. — EDN: CUSMGP.
Год: 2025

Baranov A. I. ADMITTANCE SPECTROSCOPY OF BORON PHOSPHIDE HETEROSTRUCTURES GROWN BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON SILICON SUBSTRATES; СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛНОЙ ПРОВОДИМОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ФОСФИДА БОРА НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ / A. I. Baranov, A. Uvarov, A. A. Maksimova, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2024. — Т. 17, № 3. — С. 17–24. — DOI: 10.18721/jpm.17302. — EDN: VMSZZW.
Год: 2024

Gudovskikh A. S. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of InP Layers and Multilayer InP/GaP Structures on Si Substrate / A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, A. I. Baranov, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 2. — С. 134–140. — DOI: 10.1134/s1063782624020076. — EDN: AHDNBT.
Год: 2024

Uvarov A. Conformal growth of GaP on high aspect ratio Si structured surface via plasma-enhanced atomic layer deposition / A. Uvarov, A. Gudovskikh, A. Baranov, [и др.] // Surface and Coatings Technology. — 2024. — Т. 477. — С. 130357–130357. — Ст. 130357. — DOI: 10.1016/j.surfcoat.2023.130357.
Год: 2024

Vasilkova E. Carrier density distribution in AlGaAs/GaAs superlattices with different numbers of quantum wells determined by capacitance-voltage profiling / E. Vasilkova, E. Pirogov, M. Sobolev, [и др.] // Physica Scripta. — 2024. — Т. 99, № 2. — С. 25951–25951. — Ст. 025951. — DOI: 10.1088/1402-4896/ad1cbb.
Год: 2024

Гудовских А. С. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения / А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2024. — С. 3–6. — DOI: 10.61011/pjtf.2024.16.58528.19935. — EDN: DBMBJR.
Год: 2024

Максимова А. А. Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света / А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, [и др.] // Физика твердого тела. — 2024. — С. 2152–2154. — DOI: 10.61011/ftt.2024.12.59583.6608pa. — EDN: PNNROV.
Год: 2024

Михайлов О. П. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов / О. П. Михайлов, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2024. — С. 23–27. — DOI: 10.61011/pjtf.2024.02.56979.19726. — EDN: IWTBZB.
Год: 2024

Уваров А. В. Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон / А. В. Уваров, В. А. Поздеев, Е. А. Вячеславова, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2024. — С. 569–572. — DOI: 10.61011/ftp.2024.10.59383.6610a. — EDN: GGEWYO.
Год: 2024

Baranov A. Study of InP/GaP Quantum Wells Grown by Vapor Phase Epitaxy / A. Baranov, A. Uvarov, A. Maksimova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № SUPPL 3. — С. S163–S167. — DOI: 10.1134/s1063785023900649.
Год: 2023

Kondratev V. M. Si Nanowire-Based Schottky Sensors for Selective Sensing of NH3 and HCl via Impedance Spectroscopy / V. M. Kondratev, E. A. Vyacheslavova, T. Shugabaev, [и др.] // ACS Applied Nano Materials. — 2023. — Т. 6, № 13. — С. 11513–11523. — DOI: 10.1021/acsanm.3c01545.
Год: 2023

Kondratev V. M. Study of quasi 1D silicon nanostructures adsorption properties via impedance spectroscopy / V. M. Kondratev, E. A. Vyacheslavova, I. A. Morozov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 1. — С. 43–48. — DOI: 10.18721/jpm.161.107. — EDN: BXEGWI.
Год: 2023

Pozdeev V. A. Study of the effect of solvents and surfactants on electrical properties of PEDOT:PSS films / V. A. Pozdeev, A. V. Uvarov, A. S. Gudovskikh, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 3. — С. 468–472. — DOI: 10.18721/jpm.163.186. — EDN: FCQQIU.
Год: 2023

Uvarov A. Impact of Silicon Wafer Surface Treatment on the Morphology of GaP Layers Produced by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition / A. Uvarov, V. Sharov, D. Kudryashov, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 9. — С. 415–422. — DOI: 10.1134/s1063782623040176.
Год: 2023

Vyacheslavova E. A. Flexible solar cells based on PEDOT:PSS and vertically aligned silicon structures / E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, V. V. Neplokh, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 1. — С. 10–17. — DOI: 10.18721/jpm.161.201. — EDN: VRAJGK.
Год: 2023

Vyacheslavova E. A. Formation of radial amorphous hydrogenated silicon p-i-n solar cells on silicon nanowire arrays toward flexible photovoltaics / E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, A. A. Maksimova, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 1. — С. 176–181. — DOI: 10.18721/jpm.161.330. — EDN: MSCMQM.
Год: 2023

Vyacheslavova E. A. Heterojunction solar cells based on nanostructured black silicon / E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, A. A. Maksimova, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 3. — С. 434–438. — DOI: 10.18721/jpm.163.179. — EDN: BMKJQJ.
Год: 2023

Баранов А. И. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии / А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2023. — С. 16–20. — DOI: 10.21883/pjtf.2023.06.54810.19404. — EDN: TZFCTK.
Год: 2023

Гудовских А. Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии / А. Гудовских, А. Уваров, А. Баранов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 406–413. — DOI: 10.61011/ftp.2023.06.56466.22k. — EDN: FYQMCX.
Год: 2023

Максимова А. Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре / А. Максимова, А. Уваров, Е. Вячеславова, [и др.] // Физика твердого тела. — 2023. — С. 2198–2200. — DOI: 10.61011/ftt.2023.12.56759.5207k. — EDN: LQIPBM.
Год: 2023

Поздеев В. Влияние предварительной химической обработки на эффективность пассивации текстурированных кремниевых пластин / В. Поздеев, А. Уваров, А. Гудовских, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2023. — С. 62–64. — DOI: 10.61011/pjtf.2023.23.56856.198a. — EDN: DVLEQC.
Год: 2023

Уваров А. Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов / А. Уваров, А. Максимова, Е. Вячеславова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2023. — С. 52–55. — DOI: 10.61011/pjtf.2023.23.56853.155a. — EDN: XDBZIP.
Год: 2023

Ярчук Э. Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью / Э. Ярчук, Е. Вячеславова, М. Шварц, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 522–525. — DOI: 10.61011/ftp.2023.07.56781.5013c. — EDN: KOMGLT.
Год: 2023

Baranov A. I. Study of Schottky Diodes Based on an Array of Silicon Wires Obtained by Cryogenic Dry Etching / A. I. Baranov, D. A. Kudryashov, A. V. Uvarov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2022. — Т. 48, № 2. — С. 23–26. — DOI: 10.1134/s106378502202002x. — EDN: DEJRBH.
Год: 2022

Bogdanova M. Optimization of the contact grid for the GaP/Si solar cells / M. Bogdanova, A. Uvarov, A. S. Gudovskikh // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 93–96. — DOI: 10.18721/jpm153.317.
Год: 2022

Gudovskikh A. Space charge capacitance study of GaP/Si multilayer structures grown by plasma deposition / A. Gudovskikh, A. Baranov, A. Uvarov, [и др.] // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2022. — Т. 55, № 13. — Ст. 135103. — DOI: 10.1088/1361-6463/ac41fa. — EDN: FPCEGB.
Год: 2022

Kondratev V. Silicon Nanowire-Based Room-Temperature Multi-environment Ammonia Detection / V. Kondratev, I. Morozov, E. Vyacheslavova, [и др.] // ACS Applied Nano Materials. — 2022. — Т. 5, № 7. — С. 9940–9949. — DOI: 10.1021/acsanm.2c02178.
Год: 2022

Kondratev V. Study of quasi 1-D silicon nanostructures adsorption properties [Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния] / V. Kondratev, E. Vyacheslavova, I. Morozov, [и др.] // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 10–15. — DOI: 10.18721/jpm.153.201.
Год: 2022

Kudryashov D. A. Full Silicon Tandem Solar Cells Based on Vertically Aligned Nanostructures / D. A. Kudryashov, I. A. Morozov, A. S. Gudovskikh // International Journal of Photoenergy. — 2022. — Т. 2022. — Ст. 8799060. — DOI: 10.1155/2022/8799060.
Год: 2022

Maksimova A. A. Plasma deposited indium phosphide and its electrophysical properties / A. A. Maksimova, A. Uvarov, D. A. Kirilenko, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 123–127. — DOI: 10.18721/jpm.153.323.
Год: 2022

Uvarov A. Study of recombination and transport properties of a-Si:H(i)/ µc-Si:H(n) contact system for crystalline silicon solar cells [Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ µc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния] / A. Uvarov, A. Baranov, A. A. Maksimova, [и др.] // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 150–154. — DOI: 10.18721/jpm.153.228.
Год: 2022

Vasilkova E. Determination of the electron distribution in thin barrier AlGaAs/GaAs superlattices by capacitance-voltage profiling / E. Vasilkova, E. V. Pirogov, M. Sobolev, [и др.] // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. — 2022. — Т. 22, № 6. — С. 1092–1097. — DOI: 10.17586/2226-1494-2022-22-6-1092-1097. — EDN: OIQVSX.
Год: 2022

Vyacheslavova E. A. Study of Cryogenic Unmasked Etching of “Black Silicon” with Ar Gas Additives / E. A. Vyacheslavova, I. A. Morozov, D. A. Kudryashov, [и др.] // ACS Omega. — 2022. — Т. 7, № 7. — С. 6053–6057. — DOI: 10.1021/acsomega.1c06435. — EDN: UHKKPP.
Год: 2022

Уваров А. В. Исследование влияния обработки поверхности Si-подложек на морфологию слоев GaP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения / А. В. Уваров, В. А. Шаров, Д. А. Кудряшов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 213–220. — DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51964.9748. — EDN: ITTJGG.
Год: 2022

Baranov A. Admittance Spectroscopy of Solar Cells Based on Selective Contact MoOx/Si Junction / A. Baranov, D. Kudryashov, A. Uvarov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 11. — С. 785–788. — DOI: 10.1134/s1063785021080162. — EDN: TDYBSQ.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. A Selective BP/Si Contact Formed by Low-Temperature Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition / A. S. Gudovskikh, D. A. Kudryashov, A. I. Baranov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 1. — С. 96–98. — DOI: 10.1134/s1063785021010211. — EDN: FSLZTZ.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. Impact of Interface Recombination on Quantum Efficiency of a-Si:H/c-Si Solar Cells Based on Si Wires / A. S. Gudovskikh, D. A. Kudryashov, A. I. Baranov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2021. — Т. 218, № 22. — Ст. 2100339. — DOI: 10.1002/pssa.202100339.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. Low-Temperature Plasma Deposition of III-V Compounds on Silicon for Multijunction Solar Cells / A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5356–5366. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02691. — EDN: AKGQXE.
Год: 2021

Kudriashov D. A. Influence of the Design Features of a Magnetron Sputtering Deposition System on the Electrical and Optical Properties of Indium—Tin Oxide Films / D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, [и др.] // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 4. — С. 410–414. — DOI: 10.1134/s1063782621040072. — EDN: QASBSG.
Год: 2021

Maksimova A. A. Investigation of Plasma Deposited Boron Phosphide and Its Contact to Silicon / A. A. Maksimova, A. V. Uvarov, A. I. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5367–5373. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02704. — EDN: XARDDT.
Год: 2021

Uvarov A. Plasma-Deposited Multilayer GaP/Si p-i-n Structure for Tandem Silicon-Based Solar Cells / A. Uvarov, A. Gudovskikh, A. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5374–5380. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02707. — EDN: OYRTUF.
Год: 2021

Uvarov A. V. Formation of Heterostructures of GaP/Si Photoconverters by the Combined Method of MOVPE and PEALD / A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 10. — С. 730–733. — DOI: 10.1134/s1063785021070270. — EDN: HYMMCS.
Год: 2021

Баранов А. И. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением / А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 47–50. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.18.51474.18855. — EDN: OCVYFO.
Год: 2021

Баранов А. И. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoOₓ/Si с помощью спектроскопии полной проводимости / А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 24–27. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.16.51324.18779. — EDN: JFZWHI.
Год: 2021

ГУДОВСКИХ А. ФОРМИРОВАНИЕ СЕЛЕКТИВНОГО КОНТАКТА BP/SI С ПОМОЩЬЮ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ / А. ГУДОВСКИХ, Д. КУДРЯШОВ, А. БАРАНОВ, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 49–51. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.02.50547.18556. — EDN: DFHQAF.
Год: 2021

Кудряшов Д. А. Влияние условий формирования пленок In₂O₃-SnO₂ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии / Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 31–33. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.24.51796.18945. — EDN: VHDEKS.
Год: 2021

Кудряшов Д. А. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова / Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2021. — С. 360–364. — DOI: 10.21883/ftp.2021.04.50741.9561. — EDN: CFQUBG.
Год: 2021

Уваров А. В. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения / А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 51–54. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.14.51189.18781. — EDN: IGIEUG.
Год: 2021

Baranov A. I. Defect properties of solar cells with layers of GaP based dilute nitrides grown by molecular beam epitaxy / A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, A. Y. Egorov, [и др.] // Journal of Applied Physics. — 2020. — Т. 128, № 2. — С. 23105. — Ст. 023105. — DOI: 10.1063/1.5134681. — EDN: PAYDJE.
Год: 2020

Gudovskikh A. S. Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition / A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2020. — Т. 217, № 4. — Ст. 1900532. — DOI: 10.1002/pssa.201900532. — EDN: TUBJXV.
Год: 2020

Kudryashov D. A. Effect of Cryogenic Dry Etching on Minority Charge Carrier Lifetime in Silicon / D. A. Kudryashov, A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2020. — Т. 217, № 4. — Ст. 1900534. — DOI: 10.1002/pssa.201900534.
Год: 2020

Kudryashov D. Using MoOx/p-Si Selective Contact for Evaluation of the Degradation of a Near-Surface Region of Silicon / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Maksimova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 12. — С. 1245–1248. — DOI: 10.1134/s1063785020120202. — EDN: AZTOAZ.
Год: 2020

Morozov I. A. The Study of Latex Sphere Lithography for High Aspect Ratio Dry Silicon Etching / I. A. Morozov, A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2020. — Т. 217, № 4. — Ст. 1900535. — DOI: 10.1002/pssa.201900535. — EDN: NJIIDI.
Год: 2020

Uvarov A. V. Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation / A. V. Uvarov, A. S. Gudovskikh, V. N. Nevedomskiy, [и др.] // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2020. — Т. 53, № 34. — Ст. 345105. — DOI: 10.1088/1361-6463/ab8bfd. — EDN: CMMJUV.
Год: 2020

Кудряшов Д. Применение селективного контакта MoO-SUB-x-/SUB-/p-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния / Д. Кудряшов, А. Гудовских, А. Максимова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 37–40. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.24.50427.18478. — EDN: PWVTXH.
Год: 2020

Uvarov A. Effect of Thermal Annealing on the Photovoltaic Properties of GaP/Si Heterostructures Fabricated by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition / A. Uvarov, K. Zelentsov, A. Gudovskikh // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 8. — С. 1075–1081. — DOI: 10.1134/s1063782619080207.
Год: 2019

Уваров А. Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения / А. Уваров, К. Зеленцов, А. Гудовских // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1095–1102. — DOI: 10.21883/ftp.2019.08.48001.9139. — EDN: LQLYZX.
Год: 2019

Agekyan V. Formation of Cu2O and ZnO Crystal Layers by Magnetron Assisted Sputtering and Their Optical Characterization / V. Agekyan, E. Borisov, A. Gudovskikh, [и др.] // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 3. — С. 383–389. — DOI: 10.1134/s1063782618030028.
Год: 2018

Gudovskikh A. Si doped GaP layers grown on Si wafers by low temperature PE-ALD / A. Gudovskikh, A. Uvarov, I. Morozov, [и др.] // Journal of Renewable and Sustainable Energy. — 2018. — Т. 10, № 2. — Ст. 021001. — DOI: 10.1063/1.5000256.
Год: 2018

Kudryashov D. Precision Chemical Etching of GaP(NAs) Epitaxial Layers for the Formation of Monolithic Optoelectronic Devices / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Baranov // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 13. — С. 1775–1781. — DOI: 10.1134/s1063782618130092.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Гудовских Александр Сергеевич

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 6602958574

Научный идентификатор (elibraryId): 108866

Научный идентификатор (scopusId): 57221328070

Доктор технических наук

Кандидат физико-математических наук

Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения

Uvarov A. Low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of Ga2O3 films using N2O plasma for silicon surface passivation / A. Uvarov, A. Baranov, V. Pozdeev, [и др.] // Applied Surface Science. — 2026. — Т. 719. — Ст. 165092. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.165092.

Maksimova A. Trimethylboron as a precursor for boron phosphide plasma deposition at low temperature / A. Maksimova, A. Uvarov, D. Kirilenko, [и др.] // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. — 2025. — Т. 43, № 1. — Ст. 13402. — DOI: 10.1116/6.0004065.

Vyacheslavova E. A. Black silicon formation using cryogenic etching and photoresist layer / E. A. Vyacheslavova, D. V. Mokhov, A. V. Uvarov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2025. — Т. 18, № 3. — DOI: 10.18721/jpm.183.136.

Gudovskikh A. S. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of InP Layers and Multilayer InP/GaP Structures on Si Substrate / A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, A. I. Baranov, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 2. — С. 134–140. — DOI: 10.1134/s1063782624020076. — EDN: AHDNBT.

Baranov A. Study of InP/GaP Quantum Wells Grown by Vapor Phase Epitaxy / A. Baranov, A. Uvarov, A. Maksimova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № SUPPL 3. — С. S163–S167. — DOI: 10.1134/s1063785023900649.

Kondratev V. M. Si Nanowire-Based Schottky Sensors for Selective Sensing of NH3 and HCl via Impedance Spectroscopy / V. M. Kondratev, E. A. Vyacheslavova, T. Shugabaev, [и др.] // ACS Applied Nano Materials. — 2023. — Т. 6, № 13. — С. 11513–11523. — DOI: 10.1021/acsanm.3c01545.

Uvarov A. Impact of Silicon Wafer Surface Treatment on the Morphology of GaP Layers Produced by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition / A. Uvarov, V. Sharov, D. Kudryashov, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 9. — С. 415–422. — DOI: 10.1134/s1063782623040176.

Baranov A. I. Study of Schottky Diodes Based on an Array of Silicon Wires Obtained by Cryogenic Dry Etching / A. I. Baranov, D. A. Kudryashov, A. V. Uvarov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2022. — Т. 48, № 2. — С. 23–26. — DOI: 10.1134/s106378502202002x. — EDN: DEJRBH.

Bogdanova M. Optimization of the contact grid for the GaP/Si solar cells / M. Bogdanova, A. Uvarov, A. S. Gudovskikh // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 93–96. — DOI: 10.18721/jpm153.317.

Gudovskikh A. Space charge capacitance study of GaP/Si multilayer structures grown by plasma deposition / A. Gudovskikh, A. Baranov, A. Uvarov, [и др.] // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2022. — Т. 55, № 13. — Ст. 135103. — DOI: 10.1088/1361-6463/ac41fa. — EDN: FPCEGB.

Kondratev V. Silicon Nanowire-Based Room-Temperature Multi-environment Ammonia Detection / V. Kondratev, I. Morozov, E. Vyacheslavova, [и др.] // ACS Applied Nano Materials. — 2022. — Т. 5, № 7. — С. 9940–9949. — DOI: 10.1021/acsanm.2c02178.

Kudryashov D. A. Full Silicon Tandem Solar Cells Based on Vertically Aligned Nanostructures / D. A. Kudryashov, I. A. Morozov, A. S. Gudovskikh // International Journal of Photoenergy. — 2022. — Т. 2022. — Ст. 8799060. — DOI: 10.1155/2022/8799060.

Maksimova A. A. Plasma deposited indium phosphide and its electrophysical properties / A. A. Maksimova, A. Uvarov, D. A. Kirilenko, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2022. — Т. 15, № 3. — С. 123–127. — DOI: 10.18721/jpm.153.323.

Vyacheslavova E. A. Study of Cryogenic Unmasked Etching of “Black Silicon” with Ar Gas Additives / E. A. Vyacheslavova, I. A. Morozov, D. A. Kudryashov, [и др.] // ACS Omega. — 2022. — Т. 7, № 7. — С. 6053–6057. — DOI: 10.1021/acsomega.1c06435. — EDN: UHKKPP.

Baranov A. Admittance Spectroscopy of Solar Cells Based on Selective Contact MoOx/Si Junction / A. Baranov, D. Kudryashov, A. Uvarov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 11. — С. 785–788. — DOI: 10.1134/s1063785021080162. — EDN: TDYBSQ.

Maksimova A. A. Investigation of Plasma Deposited Boron Phosphide and Its Contact to Silicon / A. A. Maksimova, A. V. Uvarov, A. I. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5367–5373. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02704. — EDN: XARDDT.

Uvarov A. Plasma-Deposited Multilayer GaP/Si p-i-n Structure for Tandem Silicon-Based Solar Cells / A. Uvarov, A. Gudovskikh, A. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5374–5380. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02707. — EDN: OYRTUF.

Uvarov A. Effect of Thermal Annealing on the Photovoltaic Properties of GaP/Si Heterostructures Fabricated by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition / A. Uvarov, K. Zelentsov, A. Gudovskikh // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 8. — С. 1075–1081. — DOI: 10.1134/s1063782619080207.

Agekyan V. Formation of Cu2O and ZnO Crystal Layers by Magnetron Assisted Sputtering and Their Optical Characterization / V. Agekyan, E. Borisov, A. Gudovskikh, [и др.] // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 3. — С. 383–389. — DOI: 10.1134/s1063782618030028.

Gudovskikh A. Si doped GaP layers grown on Si wafers by low temperature PE-ALD / A. Gudovskikh, A. Uvarov, I. Morozov, [и др.] // Journal of Renewable and Sustainable Energy. — 2018. — Т. 10, № 2. — Ст. 021001. — DOI: 10.1063/1.5000256.

Kudryashov D. Precision Chemical Etching of GaP(NAs) Epitaxial Layers for the Formation of Monolithic Optoelectronic Devices / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Baranov // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 13. — С. 1775–1781. — DOI: 10.1134/s1063782618130092.

Контакты