Размер шрифта

Изображения

Синтез речи

Шрифт Брайля

Обычная версия

* Шрифт Брайля предназначен для использования со специализированными считывающими устройствами

Для озвучки текста - наведите курсор на необходимый текст

Главная » Профиль сотрудника

Васильев Владислав Изосимович

Занимаемые должности

Доцент (Баз. каф. ОЭ)
Ученая степень / Звания

Кандидат физико-математических наук
Доцент
Подразделение

Базовая кафедра оптоэлектроники
Электронная почта

vivasilev@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (elibraryId): 40284
Учёные степени

Кандидат физико-математических наук

Доцент
Публикации

Гагис Г. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии / Г. Гагис, В. Васильев, Р. Лeвин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 22–24. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.19.50039.18419. — EDN: ZIUFLU.
Год: 2020

Гагис Г. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии / Г. Гагис, Р. Левин, А. Маричев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1512–1518. — DOI: 10.21883/ftp.2019.11.48446.9191. — EDN: HLJJIX.
Год: 2019

Гагис Г. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине / Г. Гагис, А. Власов, Р. Левин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 22–25. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.20.48388.17954. — EDN: YRYDUJ.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)