Размер шрифта

Изображения

Синтез речи

Шрифт Брайля

Обычная версия

* Шрифт Брайля предназначен для использования со специализированными считывающими устройствами

Для озвучки текста - наведите курсор на необходимый текст

Главная » Профиль сотрудника

Лебедев Александр Александрович

Занимаемые должности

Профессор (Баз. каф. ОЭ)
Ученая степень / Звания

Доктор физико-математических наук
Старший научный сотрудник
Подразделение

Базовая кафедра оптоэлектроники
Электронная почта

aalebedev@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 55136581600
Учёные степени

Доктор физико-математических наук

Старший научный сотрудник
Аспирантские работы

Разработка и исследование сенсоров на основе структуры графен/SiC
1.3.11 Физика полупроводников | 2027
Публикации

Lebedev S. P. Comparative Study of Conventional and Quasi-Freestanding Epitaxial Graphenes Grown on 4H-SiC Substrate / S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, [и др.] // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 12. — С. 1657–1660. — DOI: 10.1134/s1063782620120179. — EDN: YOIIZG.
Год: 2020

Lebedev S. P. Comparison of graphene films grown on 6H-SiC and 4H-SiC substrates / S. P. Lebedev, D. G. Amel’chuk, I. A. Eliseyev, [и др.] // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. — 2020. — Т. 28, № 4. — С. 321–324. — DOI: 10.1080/1536383x.2019.1697684.
Год: 2020

Lebedev S. P. Surface morphology control of the SiC (0001) substrate during the graphene growth / S. P. Lebedev, D. G. Amel’chuk, I. A. Eliseyev, [и др.] // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. — 2020. — Т. 28, № 4. — С. 281–285. — DOI: 10.1080/1536383x.2019.1697688.
Год: 2020

Kotousova I. Electron Diffraction Study of Epitaxial Graphene Structure Grown upon SiC (0001) Thermal Destruction in Ar Atmosphere and in High Vacuum / I. Kotousova, S. Lebedev, A. Lebedev, [и др.] // Physics of the Solid State. — 2019. — Т. 61, № 10. — С. 1940–1946. — DOI: 10.1134/s1063783419100226.
Год: 2019

Lebedev A. A Study of the Influence Exerted by Structural Defects on Photoluminescence Spectra in n-3C-SiC / A. Lebedev, I. Nikitina, N. V. Seredova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2019. — Т. 45, № 6. — С. 557–559. — DOI: 10.1134/s1063785019060117. — EDN: TOVDVE.
Год: 2019

Lebedev A. Radiation defects in heterostructures 3C-SIC/4H-SIC / A. Lebedev, G. A. Oganesyan, V. V. Kozlovski, [и др.] // Crystals. — 2019. — Т. 9, № 2. — Ст. 115. — DOI: 10.3390/cryst9020115.
Год: 2019

Lebedev S. Investigation of the Hydrogen Etching Effect of the SiC Surface on the Formation of Graphene Films / S. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, [и др.] // Technical Physics. — 2019. — Т. 64, № 12. — С. 1843–1849. — DOI: 10.1134/s1063784219120144.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)