Главная » Профиль сотрудника

Мокрушина Светлана Андреевна

Занимаемые должности

Старший преподаватель (каф. ЭП)
Подразделение

Кафедра электронного приборостроения
Электронная почта

samokrushina@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 57202112835
Публикации

Александров О. В. Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках / О. В. Александров, С. А. Мокрушина // Журнал технической физики. — 2024. — С. 1843–1847. — DOI: 10.61011/jtf.2024.11.59101.234-24. — EDN: YWWGPH.
Год: 2024

Aleksandrov O. V. The Effect of Ionizing Irradiation on the Charge Distribution and Breakdown of MOSFETs / O. V. Aleksandrov, N. S. Tyapkin, S. A. Mokrushina, [и др.] // Semiconductors. — 2022. — Т. 56, № 3. — С. 160–163. — DOI: 10.1134/s1063782622020038. — EDN: YZSVHB.
Год: 2022

Александров О. В. Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов / О. В. Александров, Н. С. Тяпкин, С. А. Мокрушина, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 250–253. — DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51970.9735. — EDN: WAENJR.
Год: 2022

Aleksandrov O. V. Model of the Effect of the Gate Bias on MOS Structures under Ionizing Radiation / O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 2. — С. 240–245. — DOI: 10.1134/s1063782620020025.
Год: 2020

Александров О. Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур / О. Александров, С. Мокрушина // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 189–194. — DOI: 10.21883/ftp.2020.02.48902.9195. — EDN: VPCXXB.
Год: 2020

Мокрушина С. Сравнение отклика МОП-транзистора на воздействие рентгеновского и гамма-облучения / С. Мокрушина, Н. Романов // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. — 2020. — С. 30–40. — DOI: 10.32603/1993-8985-2020-23-1-30-40. — EDN: ZJTQWS.
Год: 2020

Aleksandrov O. Model for Charge Accumulation in n- and p-MOS Transistors during Tunneling Electron Injection from a Gate / O. Aleksandrov, S. Mokrushina // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 6. — С. 783–788. — DOI: 10.1134/s1063782618060027.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)