Главная » Профиль сотрудника

Александров Олег Викторович

Занимаемые должности

Профессор (каф. ЭП)
Ученая степень / Звания

Доцент
Профессор
Доктор физико-математических наук
Подразделение

Кафедра электронного приборостроения
Электронная почта

ovaleksandrov@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 7005568220

Научный идентификатор (elibraryId): 34561
Учёные степени

Доцент

Профессор

Доктор физико-математических наук
Аспирантские работы

Моделирование термополевой нестабильности в МОП-структурах
2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2026
Публикации

Aleksandrov O. V. Model of Accumulation of Surface States in p-MOS Transistors under Negative Bias / O. V. Aleksandrov, N. N. Morozov // Russian Microelectronics. — 2025. — С. 941–947. — DOI: 10.1134/s1063739725602127. — EDN: WHWYID.
Год: 2025

Aleksandrov O. V. Modelling the behavior of metal-oxide-semiconductor structures under thermal field treatment / O. V. Aleksandrov, N. N. Morozov // Physics of Complex Systems. — 2025. — С. 26–34. — DOI: 10.33910/2687-153x-2025-6-1-26-34. — EDN: TUEBOO.
Год: 2025

Александров О. Модель асимметричного сдвига порогового напряжения МОП-структур при термополевых обработках / О. Александров, Н. Морозов // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. — 2025. — С. 69–79. — DOI: 10.32603/1993-8985-2025-28-2-69-79. — EDN: SSTTSZ.
Год: 2025

Aleksandrov O. V. Model of Breakdown of MOS-Structures by the Mechanism of Anode Hydrogen Release / O. V. Aleksandrov // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 3. — С. 197–201. — DOI: 10.1134/s1063782624030011. — EDN: JAOGWT.
Год: 2024

Александров О. В. Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках / О. В. Александров, С. А. Мокрушина // Журнал технической физики. — 2024. — С. 1843–1847. — DOI: 10.61011/jtf.2024.11.59101.234-24. — EDN: YWWGPH.
Год: 2024

Александров О. В. Влияние внутреннего электрического поля на накопление подвижного заряда в МОП-структурах / О. В. Александров, Н. Н. Морозов // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2023. — С. 13–18. — DOI: 10.32603/2071-8985-2023-16-2-13-18. — EDN: CXMQOM.
Год: 2023

Александров О. В. Влияние ловушек на накопление подвижного заряда в МОП-структурах при термополевых обработках / О. В. Александров, Н. Н. Морозов // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2023. — С. 20–28. — DOI: 10.32603/2071-8985-2023-16-6-20-28. — EDN: BTIXWK.
Год: 2023

Александров О. В. Раннее образование поверхностных состояний в МОП-структурах при ионизирующем облучении / О. В. Александров // Физика твердого тела. — 2023. — С. 762–766. — DOI: 10.21883/ftt.2023.05.55492.22. — EDN: BIOVMP.
Год: 2023

Александров О. Модель пробоя МОП-структур по механизму анодного освобождения водорода / О. Александров // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 784–788. — DOI: 10.61011/ftp.2023.09.56995.5583. — EDN: DXOVXN.
Год: 2023

Aleksandrov O. V. On the Size Effect in MOS Structures under Ionizing Irradiation / O. V. Aleksandrov // Semiconductors. — 2022. — Т. 56, № 4. — С. 241–245. — DOI: 10.1134/s1063782622040017. — EDN: JHDXDX.
Год: 2022

Aleksandrov O. V. The Effect of Ionizing Irradiation on the Charge Distribution and Breakdown of MOSFETs / O. V. Aleksandrov, N. S. Tyapkin, S. A. Mokrushina, [и др.] // Semiconductors. — 2022. — Т. 56, № 3. — С. 160–163. — DOI: 10.1134/s1063782622020038. — EDN: YZSVHB.
Год: 2022

Александров O. B. Размерный эффект в МОП-структурах при ионизирующем облучении / O. B. Александров // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 591–595. — DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52595.9786. — EDN: OBZPWJ.
Год: 2022

Александров О. В. Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов / О. В. Александров, Н. С. Тяпкин, С. А. Мокрушина, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 250–253. — DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51970.9735. — EDN: WAENJR.
Год: 2022

Александров О. В. Кинетика накопления подвижного заряда в МОП-структурах при термополевых воздействиях / О. В. Александров, Н. Н. Морозов // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2022. — С. 357–362.
Год: 2022

Александров О. Кинетика накопления подвижного заряда в МОП-структурах при термополевых воздействиях / О. Александров, Н. Морозов // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2022. — С. 357–362. — EDN: OPBKDT.
Год: 2022

Aleksandrov O. V. Latent Accumulation of Surface States in MOS Structures after Exposure to Ionizing Radiation / O. V. Aleksandrov // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 6. — С. 578–582. — DOI: 10.1134/s1063782621070046. — EDN: BNAHRZ.
Год: 2021

Aleksandrov O. V. The Effect of the Ionizing Radiation Intensity on the Response of MOS Structures / O. V. Aleksandrov // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 2. — С. 207–213. — DOI: 10.1134/s1063782621020068.
Год: 2021

АЛЕКСАНДРОВ О. ВЛИЯНИЕ ИНТЕНСИВНОСТИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ОТКЛИК МОП-СТРУКТУР / О. АЛЕКСАНДРОВ // Физика и техника полупроводников. — 2021. — С. 152–158. — DOI: 10.21883/ftp.2021.02.50502.9533. — EDN: KDBGMK.
Год: 2021

Александров О. В. Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения / О. В. Александров // Физика и техника полупроводников. — 2021. — С. 559–563. — DOI: 10.21883/ftp.2021.07.51016.9641. — EDN: CJOATK.
Год: 2021

Aleksandrov O. V. Dispersive Transport of Hydrogen in MOS Structures after Exposure to Ionizing Radiation / O. V. Aleksandrov // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 10. — С. 1215–1219. — DOI: 10.1134/s1063782620100036.
Год: 2020

Aleksandrov O. V. Model of the Effect of the Gate Bias on MOS Structures under Ionizing Radiation / O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 2. — С. 240–245. — DOI: 10.1134/s1063782620020025.
Год: 2020

Aleksandrov O. V. Model of the Negative-Bias Temperature Instability of p-MOS Transistors / O. V. Aleksandrov // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 2. — С. 233–239. — DOI: 10.1134/s1063782620020037. — EDN: MHLMSR.
Год: 2020

Александров О. Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения / О. Александров // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 1029–1033. — DOI: 10.21883/ftp.2020.10.49938.9403. — EDN: MHLXBA.
Год: 2020

Александров О. Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур / О. Александров, С. Мокрушина // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 189–194. — DOI: 10.21883/ftp.2020.02.48902.9195. — EDN: VPCXXB.
Год: 2020

Александров О. Модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора / О. Александров // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 181–188. — DOI: 10.21883/ftp.2020.02.48901.9111. — EDN: HDZUHE.
Год: 2020

Sobolev N. Influence of Annealing Temperature on Electrically Active Centers in Silicon Implanted with Germanium Ions / N. Sobolev, O. Aleksandrov, V. Sakharov, [и др.] // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 2. — С. 153–155. — DOI: 10.1134/s1063782619020222. — EDN: URLMPD.
Год: 2019

Соболев Н. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия / Н. Соболев, О. Александров, В. Сахаров, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 161–164. — DOI: 10.21883/ftp.2019.02.47092.8977. — EDN: ZGCDTV.
Год: 2019

Aleksandrov O. Charge Accumulation in MOS Structures with a Polysilicon Gate under Tunnel Injection / O. Aleksandrov, A. Ageev, S. Zolotarev // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 13. — С. 1732–1737. — DOI: 10.1134/s1063782618130031.
Год: 2018

Aleksandrov O. Model for Charge Accumulation in n- and p-MOS Transistors during Tunneling Electron Injection from a Gate / O. Aleksandrov, S. Mokrushina // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 6. — С. 783–788. — DOI: 10.1134/s1063782618060027.
Год: 2018

Ivanova E. High-Temperature Annealing as a Method for the Silicon Nanoclusters Growth in Stoichiometric Silicon Dioxide / E. Ivanova, P. Dementev, A. Sitnikova, [и др.] // Journal of Electronic Materials. — 2018. — Т. 47, № 7. — С. 3969–3973. — DOI: 10.1007/s11664-018-6280-z.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)