Буравлев Алексей Дмитриевич

Занимаемые должности

Главный научный сотрудник (ЛМНЭ)
Ученая степень / Звания

Доктор физико-математических наук
Подразделение

Лаборатория микро- и наноэлектроники
Электронная почта

adburavlev@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 6603227351

Научный идентификатор (elibraryId): 115082
Учёные степени

Доктор физико-математических наук
РИДы

Программа для моделирования многослойных волноводов и модификации их конструкций “Waveguide Simulator v1.0”
2023683843 | 2023-11-10
Аспирантские работы

Изучение процессов формирования и свойств наноструктур на основе GaAs и SiC
1.3.11 Физика полупроводников | 2026
Публикации

Mokhov D. Copying X-ray blazed Si-gratings in Au— first results / D. Mokhov, T. Berezovskaya, L. Goray, [и др.] // Radiation Physics and Chemistry. — 2026. — Т. 244. — Ст. 113759. — DOI: 10.1016/j.radphyschem.2026.113759.
Год: 2026

Мохов Д. Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов / Д. Мохов, Т. Березовская, К. Шубина, [и др.] // Журнал технической физики. — 2025. — С. 1861–1869. — DOI: 10.61011/jtf.2025.10.61339.75-25. — EDN: VDIYZO.
Год: 2025

Bouravleuv A. D. Top-Down Formation of Biocompatible SiC Nanotubes / A. D. Bouravleuv, A. N. Kazakin, Y. A. Nashchekina, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 3. — С. 209–213. — DOI: 10.1134/s1063782624030035. — EDN: OTEBJP.
Год: 2024

Dashkov A. S. An advanced theoretical approach to study super-multiperiod superlattices: theory vs experiments / A. S. Dashkov, S. A. Khakhulin, D. A. Shapran, [и др.] // Journal of Semiconductors. — 2024. — Т. 45, № 2. — Ст. 022701. — DOI: 10.1088/1674-4926/45/2/022701.
Год: 2024

Dashkov A. S. Terahertz Radiation Sources with an Active Region Based on Super-Multiperiod AlGaAs/GaAs Superlattices / A. S. Dashkov, L. G. Gerchikov, L. I. Goray, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 4. — С. 310–314. — DOI: 10.1134/s1063782624040055. — EDN: OEDXRQ.
Год: 2024

Goray L. Fine characterization of MBE-grown super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices designed for THz radiation sources / L. Goray, E. Pirogov, M. Sobolev, [и др.] // Materials Science in Semiconductor Processing. — 2024. — Т. 169. — Ст. 107875. — DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107875.
Год: 2024

Vasilkova E. Carrier density distribution in AlGaAs/GaAs superlattices with different numbers of quantum wells determined by capacitance-voltage profiling / E. Vasilkova, E. Pirogov, M. Sobolev, [и др.] // Physica Scripta. — 2024. — Т. 99, № 2. — С. 25951–25951. — Ст. 025951. — DOI: 10.1088/1402-4896/ad1cbb.
Год: 2024

Горай Л. И. Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска--исследование эффективности / Л. И. Горай, А. С. Дашков, Н. А. Костромин, [и др.] // Журнал технической физики. — 2024. — С. 1128–1135. — DOI: 10.61011/jtf.2024.07.58349.124-24. — EDN: DZQGQJ.
Год: 2024

Горай Л. И. Резонансы рельефных треугольных решеток для ввода/вывода терагерцевого излучения в полупроводниках А₃В₅ / Л. И. Горай, Н. А. Костромин, А. С. Дашков, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2024. — С. 47–50. — DOI: 10.61011/pjtf.2024.19.58659.19999. — EDN: ASCPZF.
Год: 2024

Мохов Д. В. Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска --- изготовление / Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Пирогов, [и др.] // Журнал технической физики. — 2024. — С. 1119–1127. — DOI: 10.61011/jtf.2024.07.58348.120-24. — EDN: RNRRKH.
Год: 2024

Dashkov A. S. Sources of Terahertz Radiation on AlGaAs/GaAs Superlattices / A. S. Dashkov, L. G. Gerchikov, L. I. Goray, [и др.] // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. — 2023. — Т. 87, № 6. — С. 795–799. — DOI: 10.3103/s1062873823702179.
Год: 2023

Goray L. I. Blazed Silicon Gratings for Soft X-Ray and Extreme Ultraviolet Radiation: the Effect of Groove Profile Shape and Random Roughness on the Diffraction Efficiency / L. I. Goray, V. Sharov, D. Mokhov, [и др.] // Technical Physics. — 2023. — Т. 68, № SUPPL 1. — С. 51–58. — DOI: 10.1134/s1063784223090062.
Год: 2023

Буравлев А. Д. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ: НОВЫЕ МЕТОДЫ СИНТЕЗА И ОБРАБОТКИ / А. Д. Буравлев, В. А. Кузьмин, Д. В. Мохов, [и др.] // Мокеровские чтения. — 2023. — С. 106–107. — EDN: KXAVKT.
Год: 2023

Буравлев А. Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок "сверху-вниз" / А. Буравлев, А. Казакин, Ю. Нащекина, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 343–347. — DOI: 10.21883/ftp.2023.05.56201.28k. — EDN: PNHVVL.
Год: 2023

Горай Л. И. Кремниевые решетки с блеском для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения: влияние формы профиля штриха и случайной шероховатости на дифракционную эффективность / Л. И. Горай, В. А. Шаров, Д. В. Мохов, [и др.] // Журнал технической физики. — 2023. — С. 859–866. — DOI: 10.21883/jtf.2023.07.55738.66-23. — EDN: MQYFJC.
Год: 2023

Дашков А. С. Терагерцевые источники излучения на сверхрешетках AlGaAs/GaAs / А. С. Дашков, Л. Г. Герчиков, Л. И. Горай, [и др.] // Известия Российской академии наук. Серия физическая. — 2023. — С. 907–912. — DOI: 10.31857/s0367676523701570. — EDN: VODKEC.
Год: 2023

Vasilkova E. Determination of the electron distribution in thin barrier AlGaAs/GaAs superlattices by capacitance-voltage profiling / E. Vasilkova, E. V. Pirogov, M. Sobolev, [и др.] // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. — 2022. — Т. 22, № 6. — С. 1092–1097. — DOI: 10.17586/2226-1494-2022-22-6-1092-1097. — EDN: OIQVSX.
Год: 2022

Gerchikov L. G. Development of the Design of Super-Multiperiod Structures Grown by Molecular-Beam Epitaxy and Emitting in the Terahertz Range / L. G. Gerchikov, A. S. Dashkov, L. I. Goray, [и др.] // Journal of Experimental and Theoretical Physics. — 2021. — Т. 133, № 2. — С. 161–168. — DOI: 10.1134/s1063776121070037.
Год: 2021

Goray L. I. High-Precision Characterization of Super-Multiperiod AlGaAs/GaAs Superlattices Using X-Ray Reflectometry on a Synchrotron Source / L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. V. Svechnikov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 10. — С. 757–760. — DOI: 10.1134/s1063785021080071. — EDN: HVTUPE.
Год: 2021

Герчиков Л. Г. РАЗРАБОТКА ДИЗАЙНА СВЕРХМНОГОПЕРИОДНЫХ ИЗЛУЧАЮЩИХ СТРУКТУР ТЕРАГЕРЦЕВОГО ДИАПАЗОНА, ВЫРАЩИВАЕМЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ / Л. Г. Герчиков, А. С. Дашков, Л. И. Горай, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2021. — С. 197–205. — DOI: 10.31857/s0044451021080058. — EDN: NLEFYZ.
Год: 2021

Горай Л. И. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике / Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. В. Свечников, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 7–10. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.15.51225.18824. — EDN: BOIBIX.
Год: 2021

Berdnikov Y. Comparison of GaAs nanowire growth seeded by Ag and Au colloidal nanoparticles on silicon / Y. Berdnikov, I. Ilkiv, N. Sibirev, [и др.] // Nanotechnology. — 2020. — Т. 31, № 37. — Ст. 374005. — DOI: 10.1088/1361-6528/ab96e1. — EDN: DWTCYF.
Год: 2020

Ilkiv I. Thermal decomposition of GaAs nanowires / I. Ilkiv, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, [и др.] // Nanotechnology. — 2020. — Т. 31, № 5. — С. 55701. — Ст. 055701. — DOI: 10.1088/1361-6528/ab4e27. — EDN: VLKZEH.
Год: 2020

Lubyankina E. A. Raman Spectroscopy of GaN Epitaxial Layers Synthesized on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy with Nitridation / E. A. Lubyankina, V. V. Toporov, A. M. Mizerov, [и др.] // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 14. — С. 1847–1849. — DOI: 10.1134/s1063782620140183.
Год: 2020

Berdnikov Y. Growth of GaAs nanowire-graphite nanoplatelet hybrid structures / Y. Berdnikov, N. Sibirev, V. Khayrudinov, [и др.] // CrystEngComm. — 2019. — Т. 21, № 41. — С. 6165–6172. — DOI: 10.1039/c9ce01027k. — EDN: DJSJEH.
Год: 2019

Mizerov A. On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n +-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates / A. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. Nikitina, [и др.] // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 9. — С. 1187–1191. — DOI: 10.1134/s1063782619090112.
Год: 2019

Mokhov D. Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers / D. Mokhov, T. Berezovskaya, E. Nikitina, [и др.] // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 12. — С. 1717–1723. — DOI: 10.1134/s1063782619160176.
Год: 2019

Мизеров А. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев nsup+/sup-GaN на виртуальных подложках GaN/c-Alsub2/subOsub3/sub / А. Мизеров, С. Тимошнев, Е. Никитина, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1212–1217. — DOI: 10.21883/ftp.2019.09.48126.09. — EDN: HNLFYU.
Год: 2019

Мохов Д. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN / Д. Мохов, Т. Березовская, Е. Никитина, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1726–1732. — DOI: 10.21883/ftp.2019.12.48635.9220. — EDN: XTEJRH.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Буравлев Алексей Дмитриевич

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 6603227351

Научный идентификатор (elibraryId): 115082

Доктор физико-математических наук

Изучение процессов формирования и свойств наноструктур на основе GaAs и SiC

Контакты