Соломникова Анна Васильевна

Занимаемые должности

Младший научный сотрудник (каф. МНЭ)
Инженер (каф. МНЭ)
Преподаватель (ИНО)
Подразделение

Кафедра микро- и наноэлектроники
Институт непрерывного образования
Электронная почта

avsolomnikova@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 8325744400

Научный идентификатор (scopusId): 57222475309

Научный идентификатор (scopusId): 58669023900

Научный идентификатор (elibraryId): 725019

Научный идентификатор (scopusId): 59656911200
РИДы

Расчет температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковом компенсированном алмазе
2025687962 | 2025-10-16

Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах
2023108232 | 2023-09-05

Способ определения профиля распределения по глубине концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
2802862 | 2023-09-05
Диссертационные исследования

Характеризация электрофизическими и оптическими методами природного и синтезированного монокристаллического алмаза с примесью бора
1.3.11. - Физика полупроводников | 18.06.2026
Публикации

Zubkov V. Observation of Hopping Conduction in Heavily Boron-Doped Single-Crystal Diamond by AC and DC Conductance Measurements / V. Zubkov, A. Solomnikova, G. Savchenko, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2026. — Т. 223, № 4. — Ст. e202500497. — DOI: 10.1002/pssa.202500497.
Год: 2026

Бессолов В. Н. Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке / В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2026. — С. 25–28. — DOI: 10.61011/pjtf.2026.04.62321.20500. — EDN: LFVRMO.
Год: 2026

Соломникова А. В. Особенности измерения концентрации бора в легированных алмазных структурах методом фурье-спектроскопии в инфракрасной области спектра / А. В. Соломникова, Н. С. Телицын, И. В. Клепиков, [и др.] // Оптический журнал. — 2026. — С. 23–33. — DOI: 10.17586/1023-5086-2026-93-01-23-33. — EDN: ADMWCR.
Год: 2026

Solomnikova A. Nondestructive Morphology and Impurity Content Study of the Large-Sized High-Pressure High-Temperature Single-Crystal Multisectoral IIb Diamond Plate for Microelectronic Applications / A. Solomnikova, G. E. Yakovlev, I. V. Klepikov, [и др.] // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. — 2025. — Т. 19, № 5. — Ст. 2400393. — DOI: 10.1002/pssr.202400393.
Год: 2025

Алексеев Н. Оптимизация постростовых режимов снижения температуры и давления при выращивании HPHT-кристаллов алмаза / Н. Алексеев, А. Бройко, И. Клепиков, [и др.] // Журнал технической физики. — 2025. — С. 221–231. — DOI: 10.61011/jtf.2025.02.59712.278-24. — EDN: HBQPDE.
Год: 2025

Бессолов В. Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN(1011) / В. Бессолов, Е. Коненкова, С. Родин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2025. — С. 3–7. — DOI: 10.61011/ftp.2025.01.60492.7599. — EDN: JUIDZU.
Год: 2025

Брусина К. АНАЛИЗ КРАЯ СОБСТВЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ / К. Брусина, А. Соломникова // Молодежь. Техника. Космос. — 2025. — С. 175–178. — EDN: ADTFHT.
Год: 2025

Bessolov V. N. Surface Morphology of AlN Layers Grown on a Nano-Structured SiNx/Si(100) Template / V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 4. — С. 302–305. — DOI: 10.1134/s1063782624040031. — EDN: CRSDNE.
Год: 2024

Bessolov V. N. Surface morphology of AlN layers grown on a nano-structured SiNx/Si(100) template / V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, [и др.] // Semiconductors. — 2024. — С. 3–6. — EDN: ZEHNKO.
Год: 2024

Panov M. A technique for accurate FTIR determination of boron concentration in CVD homoepitaxial diamond layers / M. Panov, V. Zubkov, A. Solomnikova, [и др.] // Materials Science and Engineering: B. — 2024. — Т. 303. — Ст. 117334. — DOI: 10.1016/j.mseb.2024.117334.
Год: 2024

Zubkov V. Precision assessment of carrier concentration in semiconductors with negative electron affinity / V. Zubkov, G. Yakovlev, A. Solomnikova, [и др.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 2024. — Т. 35, № 17. — Ст. 1113. — DOI: 10.1007/s10854-024-12771-6.
Год: 2024

Бессолов В. Н. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10\=11) слоев на темплейте AlN/Si(100) / В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2024. — С. 474–477. — DOI: 10.61011/ftp.2024.09.59304.6418a. — EDN: BULKLG.
Год: 2024

Бессолов В. Н. Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления / В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, [и др.] // Журнал технической физики. — 2024. — С. 944–947. — DOI: 10.61011/jtf.2024.06.58135.296-23. — EDN: TKGCTJ.
Год: 2024

Бессолов В. Н. Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiNₓ/Si(100) / В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2024. — С. 3–6. — DOI: 10.61011/ftp.2024.01.57628.6003. — EDN: RYVFSI.
Год: 2024

Bessolov V. Morphology of the Surface of Semipolar GaN Layers during Epitaxy on a Nano-Patterned Si Substrate / V. Bessolov, E. Konenkova, T. Orlova, [и др.] // Technical Physics. — 2023. — Т. 68, № 11. — С. 395–398. — DOI: 10.1134/s1063784223900048.
Год: 2023

Iakovlev G. E. ECV PROFILING OF MICROELECTRONIC QUALITY DIAMOND WAFERS / G. E. Iakovlev, A. V. Solomnikova, V. I. Zubkov, [и др.] // PULSED LASERS AND LASER APPLICATIONS. — 2023. — С. 231. — EDN: BRHVPV.
Год: 2023

Zubkov V. THE BORON IMPURITY IN DIAMOND: FEATURES OF OPTICAL AND ELECTRICAL DETECTION METHODS / V. Zubkov, A. Solomnikova // PULSED LASERS AND LASER APPLICATIONS. — 2023. — С. 233–234. — EDN: FUTSGC.
Год: 2023

Жогаль Н. Н. Измерения проводимости алмаза, легированного бором, на постоянном и переменном токе / Н. Н. Жогаль, В. И. Зубков, A. Solomnikova // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). — 2023. — С. 12162. — EDN: WHUWAP.
Год: 2023

Бессолов В. Н. Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si / В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, [и др.] // Журнал технической физики. — 2022. — С. 720–723. — DOI: 10.21883/jtf.2022.05.52376.12-22. — EDN: KLMQJP.
Год: 2022

Кукушкина Л. А. Измерения и моделирование спектров оптического поглощения монокристаллического алмаза / Л. А. Кукушкина, А. В. Соломникова, В. И. Зубков // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022). — 2022. — С. 12372. — EDN: GRXRBX.
Год: 2022

Solomnikova A. Carrier concentration variety over multisectoral boron-doped HPHT diamond / A. Solomnikova, V. Lukashkin, V. Zubkov, [и др.] // Semiconductor Science and Technology. — 2020. — Т. 35, № 9. — С. 95005. — Ст. 095005. — DOI: 10.1088/1361-6641/ab9a5f. — EDN: HHZJRL.
Год: 2020

Yakovlev G. Active and buffer layers of GaN HEMT: ECV profiling and 2DEG calculation / G. Yakovlev, V. I. Zubkov, A. Solomnikova // Materials Research Innovations. — 2020. — Т. 24, № 7. — С. 402–408. — DOI: 10.1080/14328917.2019.1688559. — EDN: QRWVBL.
Год: 2020

Zubkov V. I. Analysis of doping anisotropy in multisectorial boron-doped HPHT diamonds / V. I. Zubkov, A. Solomnikova, A. Koliadin, [и др.] // Materials Today Communications. — 2020. — Т. 24. — Ст. 100995. — DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.100995. — EDN: GDKLLZ.
Год: 2020

Кузнецов А. Расчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмиттанса / А. Кузнецов, А. Соломникова, В. Лукашкин, [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). — 2020. — С. 644–650. — EDN: TXOMPX.
Год: 2020

Тулинцев М. ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНОЙ ДИСПЕРСИИ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ АЛМАЗА / М. Тулинцев, А. Соломникова, В. Зубков // Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике. — 2020. — С. 44–47. — EDN: TSOSEG.
Год: 2020

Bessolov V. Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate / V. Bessolov, E. Konenkova, T. Orlova, [и др.] // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 7. — С. 989–992. — DOI: 10.1134/s1063782619070054.
Год: 2019

Ivanova Y. Emission processes of the interaction between the quantum well and donor delta layer in heterostructures for pHEMTs / Y. Ivanova, G. Yakovlev, V. Zubkov, [и др.] // Turkish Journal of Physics. — 2019. — Т. 43, № 3. — С. 243–251. — DOI: 10.3906/fiz-1812-12. — EDN: ODLHYH.
Год: 2019

Бессолов В. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100) / В. Бессолов, Е. Коненкова, Т. Орлова, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1006–1009. — DOI: 10.21883/ftp.2019.07.47881.9049. — EDN: DIBDNZ.
Год: 2019

Зубков В. И. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в алмазе, легированном бором, с учетом зависимости энергии активации от концентрации / В. И. Зубков, А. В. Соломникова, А. А. Егоренков // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2019. — С. 5–12. — EDN: MLKDTA.
Год: 2019

Yakovlev G. Electrochemical capacitance-voltage profiling of nonuniformly doped GaAs heterostructures with SQWs and MQWs for LED applications / G. Yakovlev, V. Zubkov, A. Solomnikova, [и др.] // Turkish Journal of Physics. — 2018. — Т. 42, № 4. — С. 433–442. — DOI: 10.3906/fiz-1803-23.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Соломникова Анна Васильевна

Занимаемые должности

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 8325744400

Научный идентификатор (scopusId): 57222475309

Научный идентификатор (scopusId): 58669023900

Научный идентификатор (elibraryId): 725019

Научный идентификатор (scopusId): 59656911200

Характеризация электрофизическими и оптическими методами природного и синтезированного монокристаллического алмаза с примесью бора

Контакты