Зубков Василий Иванович

Занимаемые должности

Руководитель лаборатории (ИМЦ РЛ)
Главный научный сотрудник (каф. МНЭ)
Заместитель заведующего кафедрой по научной работе (каф. МНЭ)
Профессор (каф. МНЭ)
Ученая степень / Звания

Доцент
Профессор
Старший научный сотрудник
Доктор физико-математических наук
Кандидат физико-математических наук
Подразделение

Информационно-методический центр "Ресурсная лаборатория"
Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

vizubkov@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 56213942600

Научный идентификатор (elibraryId): 117753
Учёные степени

Доцент

Профессор

Старший научный сотрудник

Доктор физико-математических наук

Кандидат физико-математических наук
РИДы

Расчет спектральных характеристик фотоэлектронного прибора с дифракционной решеткой
2024667042 | 2024-07-19

Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах
2023108232 | 2023-09-05

Способ определения профиля распределения по глубине концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
2802862 | 2023-09-05

Расчет вывода излучения из светодиодной структуры методом Монте-Карло (Vivod izluchenia. vi)
2014662728 | 2015-02-05
Аспирантские работы

Исследование оптических и фото-электрических свойств алмаза как основы опто- и биосенсоров
1.3. Физические науки 1.3.11. Физика полупроводников | 2029

Электрохимическая диагностика с оптическим возбуждением для широкозонных структур и структур интегральной оптики
1.3.11. Физика полупроводников | 2028

Оптимизация технологического процесса изготовления инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами
2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники | 2027
Публикации

Zubkov V. Observation of Hopping Conduction in Heavily Boron-Doped Single-Crystal Diamond by AC and DC Conductance Measurements / V. Zubkov, A. Solomnikova, G. Savchenko, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2026. — Т. 223, № 4. — Ст. e202500497. — DOI: 10.1002/pssa.202500497.
Год: 2026

Соломникова А. В. Особенности измерения концентрации бора в легированных алмазных структурах методом фурье-спектроскопии в инфракрасной области спектра / А. В. Соломникова, Н. С. Телицын, И. В. Клепиков, [и др.] // Оптический журнал. — 2026. — С. 23–33. — DOI: 10.17586/1023-5086-2026-93-01-23-33. — EDN: ADMWCR.
Год: 2026

Solomnikova A. Nondestructive Morphology and Impurity Content Study of the Large-Sized High-Pressure High-Temperature Single-Crystal Multisectoral IIb Diamond Plate for Microelectronic Applications / A. Solomnikova, G. E. Yakovlev, I. V. Klepikov, [и др.] // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. — 2025. — Т. 19, № 5. — Ст. 2400393. — DOI: 10.1002/pssr.202400393.
Год: 2025

Гудовских А. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP / А. Гудовских, А. Баранов, А. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2025. — С. 18–22. — DOI: 10.61011/pjtf.2025.09.60226.20200. — EDN: LQJUQI.
Год: 2025

Afanasjev A. V. Determination of Thickness and Doping Features of Multilayer 4H-SiC Structures by Frequency Analysis of IR Reflection Spectra / A. V. Afanasjev, V. I. Zubkov, V. A. Ilyin, [и др.] // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. — 2024. — Т. 50, № 2. — С. 171–173. — DOI: 10.1134/s1063785023180013. — EDN: GFEKDY.
Год: 2024

Panov M. A technique for accurate FTIR determination of boron concentration in CVD homoepitaxial diamond layers / M. Panov, V. Zubkov, A. Solomnikova, [и др.] // Materials Science and Engineering: B. — 2024. — Т. 303. — Ст. 117334. — DOI: 10.1016/j.mseb.2024.117334.
Год: 2024

Zubkov V. Precision assessment of carrier concentration in semiconductors with negative electron affinity / V. Zubkov, G. Yakovlev, A. Solomnikova, [и др.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 2024. — Т. 35, № 17. — Ст. 1113. — DOI: 10.1007/s10854-024-12771-6.
Год: 2024

Богословская Л. С. Исследование влияния ширины барьера на рабочее напряжение QWIP / Л. С. Богословская, А. Л. Дудин, В. И. Зубков // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. — 2024. — С. 72–80. — DOI: 10.32603/1993-8985-2024-27-4-72-80. — EDN: BOAJCT.
Год: 2024

Дудин А. Л. Влияние способа легирования на вольт-амперные характеристики инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs-гетероструктур / А. Л. Дудин, И. В. Коган, Л. С. Богословская, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2024. — С. 61–68. — DOI: 10.32603/2071-8985-2024-17-2-61-68. — EDN: GZJYKZ.
Год: 2024

Егоренков А. А. Перспективы разработки фотоприемных устройств SWIR-диапазона с коллоидными квантовыми точками / А. А. Егоренков, Д. С. Мазинг, Р. А. Аввакумов, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2024. — С. 24–34. — DOI: 10.32603/2071-8985-2024-17-6-24-34. — EDN: DOGUBE.
Год: 2024

Ивкин Л. И. Исследование структур на основе GaP методом электрохимического вольт-фарадного профилирования / Л. И. Ивкин, В. И. Зубков, G. Yakovlev, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2024. — С. 26–31. — DOI: 10.32603/2071-8985-2024-17-5-26-31. — EDN: JVZMLJ.
Год: 2024

Baranov A. Study of InP/GaP Quantum Wells Grown by Vapor Phase Epitaxy / A. Baranov, A. Uvarov, A. Maksimova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № SUPPL 3. — С. S163–S167. — DOI: 10.1134/s1063785023900649.
Год: 2023

Iakovlev G. E. ECV PROFILING OF MICROELECTRONIC QUALITY DIAMOND WAFERS / G. E. Iakovlev, A. V. Solomnikova, V. I. Zubkov, [и др.] // PULSED LASERS AND LASER APPLICATIONS. — 2023. — С. 231. — EDN: BRHVPV.
Год: 2023

Баранов А. И. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии / А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2023. — С. 16–20. — DOI: 10.21883/pjtf.2023.06.54810.19404. — EDN: TZFCTK.
Год: 2023

Жогаль Н. Н. Измерения проводимости алмаза, легированного бором, на постоянном и переменном токе / Н. Н. Жогаль, В. И. Зубков, A. Solomnikova // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). — 2023. — С. 12162. — EDN: WHUWAP.
Год: 2023

Афанасьев А. В. Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения / А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2022. — С. 34–36. — DOI: 10.21883/pjtf.2022.02.51919.19012. — EDN: DFMZQS.
Год: 2022

Кукушкина Л. А. Измерения и моделирование спектров оптического поглощения монокристаллического алмаза / Л. А. Кукушкина, А. В. Соломникова, В. И. Зубков // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022). — 2022. — С. 12372. — EDN: GRXRBX.
Год: 2022

Яковлев Г. Е. AlGaN/GaN dHEMT: ECV-профилирование и расчет встроенных пьезополей / Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2022. — С. 45–49. — EDN: XCQVYV.
Год: 2022

Uvarov A. Plasma-Deposited Multilayer GaP/Si p-i-n Structure for Tandem Silicon-Based Solar Cells / A. Uvarov, A. Gudovskikh, A. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5374–5380. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02707. — EDN: OYRTUF.
Год: 2021

Yakovlev G. Back-side-illuminated CCDs for EBCCDs: “dead-layer” compensation / G. Yakovlev, V. I. Zubkov // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 2021. — Т. 32, № 1. — С. 73–80. — DOI: 10.1007/s10854-020-04631-w.
Год: 2021

Yakovlev G. DIAGNOSTICS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY ELECTROCHEMICAL CAPACITANCE-VOLTAGE PROFILING TECHNIQUE [Диагностика полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадногопрофилирования] / G. Yakovlev, D. Frolov, V. I. Zubkov, [и др.] // Industrial Laboratory. Materials Diagnostics. — 2021. — Т. 87, № 1. — С. 35–44. — DOI: 10.26896/1028-6861-2021-87-1-35-44. — EDN: EHZCKK.
Год: 2021

Yakovlev G. Integration of electrochemical capacitance–voltage characteristics: a new procedure for obtaining free charge carrier depth distribution profiles with high resolution / G. Yakovlev, V. I. Zubkov // Journal of Solid State Electrochemistry. — 2021. — Т. 25, № 3. — С. 797–802. — DOI: 10.1007/s10008-020-04855-0.
Год: 2021

Zubkov V. I. Direct observation of resonant tunneling in heterostructure with a single quantum well / V. I. Zubkov, I. V. Ivanova, M. Weyers // Applied Physics Letters. — 2021. — Т. 119, № 4. — Ст. 043503. — DOI: 10.1063/5.0056842.
Год: 2021

Егоренков А. А. Гибридный матричный фотоприемник для ИК-области спектра / А. А. Егоренков, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2021. — С. 15–22. — EDN: WVTGWI.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition / A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2020. — Т. 217, № 4. — Ст. 1900532. — DOI: 10.1002/pssa.201900532. — EDN: TUBJXV.
Год: 2020

Yakovlev G. Active and buffer layers of GaN HEMT: ECV profiling and 2DEG calculation / G. Yakovlev, V. I. Zubkov, A. Solomnikova // Materials Research Innovations. — 2020. — Т. 24, № 7. — С. 402–408. — DOI: 10.1080/14328917.2019.1688559. — EDN: QRWVBL.
Год: 2020

Zubkov V. I. Analysis of doping anisotropy in multisectorial boron-doped HPHT diamonds / V. I. Zubkov, A. Solomnikova, A. Koliadin, [и др.] // Materials Today Communications. — 2020. — Т. 24. — Ст. 100995. — DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.100995. — EDN: GDKLLZ.
Год: 2020

Кузнецов А. Расчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмиттанса / А. Кузнецов, А. Соломникова, В. Лукашкин, [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). — 2020. — С. 644–650. — EDN: TXOMPX.
Год: 2020

Тулинцев М. ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНОЙ ДИСПЕРСИИ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ АЛМАЗА / М. Тулинцев, А. Соломникова, В. Зубков // Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике. — 2020. — С. 44–47. — EDN: TSOSEG.
Год: 2020

Frolov D. Technique for the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of Heavily Doped Structures with a Sharp Doping Profile / D. Frolov, G. Yakovlev, V. I. Zubkov // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 2. — С. 268–272. — DOI: 10.1134/s1063782619020076.
Год: 2019

Ivanova I. Study of thermionic and tunnel component contribution in conductance of InGaAs/GaAs heterostructures with a single quantum well by admittance methods / I. Ivanova, V. I. Zubkov // Materials Physics and Mechanics. — 2019. — Т. 41, № 1. — С. 30–35. — DOI: 10.18720/mpm.4112019_5.
Год: 2019

Ivanova Y. Study of thermionic-tunnel component contribution in heterostructures of InGaAs/GaAs with a single quantum well by admittance methods / Y. Ivanova, V. Zubkov // Materials Physics and Mechanics. — 2019. — С. 30–35. — EDN: VVOPKI.
Год: 2019

Yakovlev G. Through Concentration Profiling of Heterojunction Solar Cells / G. Yakovlev, I. Nyapshaev, I. Shakhrai, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2019. — Т. 45, № 9. — С. 890–893. — DOI: 10.1134/s106378501909013x. — EDN: HBLXXZ.
Год: 2019

Айнбунд М. Кремниевая электронно-чувствительная pin-линейка, облучаемая с обратной стороны / М. Айнбунд, Д. Миронов, А. Пашук, [и др.] // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. — 2019. — С. 80–92. — DOI: 10.32603/1993-8985-2019-22-5-80-92. — EDN: TWQNEI.
Год: 2019

Зубков В. И. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в алмазе, легированном бором, с учетом зависимости энергии активации от концентрации / В. И. Зубков, А. В. Соломникова, А. А. Егоренков // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2019. — С. 5–12. — EDN: MLKDTA.
Год: 2019

Иванова Я. В. Расчет туннельной прозрачности резонансно-туннельного диода для самосогласованного потенциала / Я. В. Иванова, В. И. Зубков // Микроэлектроника и информатика - 2019. — 2019. — С. 54–58. — EDN: LRHZIH.
Год: 2019

Иванова Я. Моделирование резонансно-туннельных явлений в наногетероструктурах с квантовыми ямами в среде LabVIEW и Matlab / Я. Иванова, В. Зубков // СБОРНИК ТРУДОВ ИТНТ-2019. — 2019. — С. 851–858. — EDN: JQGBHZ.
Год: 2019

Иванова Я. Численный расчет параметров резонансно-туннельных структур / Я. Иванова, В. Зубков // Мокеровские чтения. — 2019. — С. 19–20. — EDN: PWKJQF.
Год: 2019

Фролов Д. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси / Д. Фролов, Г. Яковлев, В. Зубков // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 281–286. — DOI: 10.21883/ftp.2019.02.47114.8966. — EDN: ZGCGEX.
Год: 2019

Яковлев Г. Е. Диагностика электрофизических параметров активных и буферных слоев нитридгаллиевых HEMT гетероструктур / Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. В. Соломонов // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2019. — С. 5–12. — EDN: FJQXXH.
Год: 2019

Яковлев Г. Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов / Г. Яковлев, И. Няпшаев, И. Шахрай, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 39–42. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.17.48223.17880. — EDN: RNGRIK.
Год: 2019

Ivanova Y. Experimental Detection of Resonant Tunneling in the Doped Structure with a Single Quantum Well by the Admittance Spectroscopy Method / Y. Ivanova, V. Zubkov, A. Solomonov // Technical Physics Letters. — 2018. — Т. 44, № 12. — С. 1171–1173. — DOI: 10.1134/s1063785018120453.
Год: 2018

Mironova M. Self-Consistent Simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs Heterostructures Photoluminescence Spectra and Its Application to pHEMT Structures Diagnostics / M. Mironova, V. Zubkov, A. Dudin, [и др.] // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 4. — С. 507–510. — DOI: 10.1134/s106378261804022x.
Год: 2018

Yakovlev G. Specific Features of the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions / G. Yakovlev, M. Dorokhin, V. Zubkov, [и др.] // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 8. — С. 1004–1011. — DOI: 10.1134/s1063782618080250.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Зубков Василий Иванович

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 56213942600

Научный идентификатор (elibraryId): 117753

Доцент

Профессор

Старший научный сотрудник

Доктор физико-математических наук

Кандидат физико-математических наук

Исследование оптических и фото-электрических свойств алмаза как основы опто- и биосенсоров

Электрохимическая диагностика с оптическим возбуждением для широкозонных структур и структур интегральной оптики

Оптимизация технологического процесса изготовления инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами

Контакты