Афанасьев Алексей Валентинович

Научный идентификатор (scopusId): 12144124200

Научный идентификатор (scopusId): 57392618600

Научный идентификатор (elibraryId): 187433

Кандидат технических наук

Держатель для фиксации пластины затравочного монокристалла SiC в тигле

Дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления на основе карбида кремния политипа 4H

Программа для управления и визуализации технологического процесса выращивания слитков карбида кремния на автоматической высокотемпературной вакуумной установке («MDI»)

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КАРБИДОКРЕМНИЕВОГО ЭЛЕМЕНТА

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ

Разработка лавинного фотодиода на основе 4Н политипа карбида кремния

Формирование активных областей карбид-кремниевых полупроводниковых приборов силовой электроники

Интеллектуальный силовой карбидокремниевый функциональный модуль

Физико-технологические процессы сборки карбидокремниевых функциональных модулей для экстремальных режимов работы

Афанасьев А. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области / А. Афанасьев, В. Забродский, В. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2025. — С. 43–47. — DOI: 10.61011/ftp.2025.01.60499.7633. — EDN: LCNNGJ.

Afanasev A. V. Application of RIE-Technology to Control Responsivity of 4H-SiC Photodiodes / A. V. Afanasev, V. Zabrodskiy, V. Ilyin, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 11. — С. 469–473. — DOI: 10.1134/s1063782623080018.

Litvinov A. MOSFE-Capacitor Silicon Carbide-Based Hydrogen Gas Sensors / A. Litvinov, M. Etrekova, B. Podlepetsky, [и др.] // Sensors. — 2023. — Т. 23, № 7. — Ст. 3760. — DOI: 10.3390/s23073760.

Этрекова М. О. МДП-КОНДЕНСАТОРНЫЕ ДАТЧИКИ ВОДОРОДА НА ОСНОВЕ SiC / М. О. Этрекова, Б. И. Подлепецкий, А. В. Литвинов, [и др.] // Датчики и системы. — 2023. — С. 40–45. — DOI: 10.25728/datsys.2023.3.9. — EDN: ZSRUKC.

Afanasev A. V. Ion Doping of Silicon Carbide in the Technology of High-Power Electronic Devices (Review) / A. V. Afanasev, V. Ilyin, V. V. Luchinin // Semiconductors. — 2022. — Т. 56, № 13. — С. 472–486. — DOI: 10.1134/s1063782622130024.

Ilyin V. Silicon-Carbide Epitaxial Structures for Betavoltaic Converters / V. Ilyin, A. V. Afanasyev, V. V. Luchinin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17. — С. S56–S60. — DOI: 10.1134/s2635167622070096.

Афанасьев А. В. Ионное легирование карбида кремния в технологии приборов силовой электроники. Обзор / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин // Известия высших учебных заведений. Электроника. — 2022. — С. 439–462. — DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-4-439-462. — EDN: IJTAZK.

Афанасьев А. В. О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 607–610. — DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52598.9827. — EDN: WSMYQD.

Афанасьев А. В. Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения / А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2022. — С. 34–36. — DOI: 10.21883/pjtf.2022.02.51919.19012. — EDN: DFMZQS.

Афанасьев А. В. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов / А. В. Афанасьев, В. В. Забродский, В. А. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 997–1001. — DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53962.9926. — EDN: DRMDUC.

Афанасьев А. ТЕХНОЛОГИЯ СИНТЕРИНГА В СИЛОВОЙ И ИМПУЛЬСНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ / А. Афанасьев, О. Бохов, В. Ильин, [и др.] // Электроника: Наука, технология, бизнес. — 2022. — С. 98–105. — DOI: 10.22184/1992-4178.2022.213.2.98.105. — EDN: GRAOSU.

Afanasev A. V. Analysis of the Gas Phase Epitaxy of Silicon Carbide as a Basic Process for the Technology of Power Electronics / A. V. Afanasev, V. Ilyin, V. V. Luchinin, [и др.] // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 13. — С. 1055–1062. — DOI: 10.1134/s1063782621130029. — EDN: TFFEOS.

Ильин В. А. Карбидокремниевые эпитаксиальные структуры для бета-вольтаических преобразователей / В. А. Ильин, А. В. Афанасьев, В. В. Лучинин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 312–316. — DOI: 10.17587/nmst.23.312-316. — EDN: UXGNYP.

ШЕВЧЕНКО С. А. О ПРИБЛИЖЕННОЙ ОЦЕНКЕ ОПТИМАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ОДНОКОНТУРНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ НА ОСНОВЕ ДРЕЙФОВЫХ ДИОДОВ С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ / С. А. ШЕВЧЕНКО, Б. В. ИВАНОВ, А. А. СМИРНОВ, [и др.] // ИЗВЕСТИЯ СПБГЭТУ ЛЭТИ. — 2021.

ШЕВЧЕНКО С. А. О приближенной оценке оптимальных параметров одноконтурных генераторов сверхкоротких импульсов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением / С. А. ШЕВЧЕНКО, Б. В. ИВАНОВ, А. А. СМИРНОВ, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2021. — С. 22–27. — EDN: PZWWQZ.

Афанасьев А. В. Характеризация функциональных областей карбидокремниевых эпитаксиальных и приборных структур методом РЭМ в режиме контраста легирования / А. В. Афанасьев, В. А. Голубков, В. А. Ильин, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2020. — С. 72–77. — EDN: NZGXCT.

Михайлов А. Cиловой МДП-транзистор на 4H-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом / А. Михайлов, А. Афанасьев, В. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 79–84. — DOI: 10.21883/ftp.2020.01.48779.9253. — EDN: XUMDWF.

Kozhokar P. Efficiency of second allogeneic HSCT in the children with acute leukemias with relapses after first transplantation / P. Kozhokar, O. Paina, A. Frolova, [и др.] // Cellular Therapy and Transplantation. — 2019. — Т. 8, № 4. — С. 33–40. — DOI: 10.18620/ctt-1866-8836-2019-8-4-33-40. — EDN: KGTIUV.

Utimisheva E. Incidence, diagnosis and treatment of sinusitis in children and adolescents after hematopoietic stem cell transplantation / E. Utimisheva, O. Dolgov, O. Paina, [и др.] // Cellular Therapy and Transplantation. — 2019. — Т. 8, № 1. — С. 46–53. — DOI: 10.18620/ctt-1866-8836-2019-8-1-46-53. — EDN: MVXVSN.

Yukhta T. The effectiveness of high-dose chemotherapy with autologous hematopoietic stem cell transplantation in the treatment of children and young adults with Ewing sarcoma / T. Yukhta, D. Y. Kazantsev, A. Gevorgyan, [и др.] // Oncogematologiya. — 2019. — Т. 14, № 4. — С. 47–58. — DOI: 10.17650/1818-8346-2019-14-4-47-58. — EDN: UGTRUZ.

Михайлов А. И. Управление электрофизическими свойствами канала силовых МДП-транзисторов на 4H-SiC / А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2019. — С. 15–22. — EDN: KHJXPC.