Панов Михаил Федорович

Научный идентификатор (scopusId): 7005930723

Научный идентификатор (elibraryId): 403980

Доцент

Кандидат физико-математических наук

Характеризация подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния оптическими бесконтактными методами

Характеризация полупроводниковых материалов и структур методами оптической спектроскопии и эллипсометрии

Соломникова А. В. Особенности измерения концентрации бора в легированных алмазных структурах методом фурье-спектроскопии в инфракрасной области спектра / А. В. Соломникова, Н. С. Телицын, И. В. Клепиков, [и др.] // Оптический журнал. — 2026. — С. 23–33. — DOI: 10.17586/1023-5086-2026-93-01-23-33. — EDN: ADMWCR.

Afanasjev A. V. Determination of Thickness and Doping Features of Multilayer 4H-SiC Structures by Frequency Analysis of IR Reflection Spectra / A. V. Afanasjev, V. I. Zubkov, V. A. Ilyin, [и др.] // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. — 2024. — Т. 50, № 2. — С. 171–173. — DOI: 10.1134/s1063785023180013. — EDN: GFEKDY.

Goloudina S. Synthesis of silicon carbide in a matrix of graphite-like carbon prepared via carbonization of rigid-rod polyimide Langmuir-Blodgett films on silicon substrate / S. Goloudina, V. Pasyuta, D. Kirilenko, [и др.] // Nanotechnology. — 2024. — Т. 35, № 26. — Ст. 265603. — DOI: 10.1088/1361-6528/ad373f.

Panov M. A technique for accurate FTIR determination of boron concentration in CVD homoepitaxial diamond layers / M. Panov, V. Zubkov, A. Solomnikova, [и др.] // Materials Science and Engineering: B. — 2024. — Т. 303. — Ст. 117334. — DOI: 10.1016/j.mseb.2024.117334.

Панов М. Ф. Оперативный контроль подложек и эпитаксиальных слоев карбида кремния и алмаза методами ИК спектроскопии / М. Ф. Панов, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника. — 2023. — С. 113–119. — DOI: 10.17587/nmst.25.113-119. — EDN: CHNJBG.

Luchinin V. V. Optical Control of the Parameters of Substrates in Silicon-Carbide Epitaxial Structures / V. V. Luchinin, M. Panov, M. Pavlova, [и др.] // Semiconductors. — 2022. — Т. 56, № 13. — С. 455–461. — DOI: 10.1134/s1063782622130073.

Афанасьев А. В. Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения / А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2022. — С. 34–36. — DOI: 10.21883/pjtf.2022.02.51919.19012. — EDN: DFMZQS.

Лучинин В. В. Оптический контроль параметров подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния / В. В. Лучинин, М. Ф. Панов, М. В. Павлова, [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. — 2022. — С. 175–186. — DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-2-175-186. — EDN: FUJPHZ.

Panov M. F. Determination of Silicon Carbide Structures Layer Thicknesses using Reflection Spectra Frequency Analysis / M. F. Panov, M. V. Pavlova // Technical Physics. — 2021. — Т. 66, № 6. — С. 779–783. — DOI: 10.1134/s1063784221050182. — EDN: ENATDU.

Панов М. Ф. Определение толщин в карбидкремниевых структурах методом частотного анализа спектра отражения / М. Ф. Панов, М. В. Павлова // Журнал технической физики. — 2021. — С. 827–831. — DOI: 10.21883/jtf.2021.05.50696.276-20. — EDN: SGDLJF.

Avrov D. D. Comparative Ellipsometric Analysis of Silicon Carbide Polytypes 4H, 15R, and 6H Produced by a Modified Lely Method in the Same Growth Process / D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 10. — С. 968–971. — DOI: 10.1134/s1063785020100028. — EDN: UPBNLP.

Osipov A. V. Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation / A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 8. — С. 763–766. — DOI: 10.1134/s106378502008012x. — EDN: UXWNPL.

Авров Д. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе / Д. Авров, А. Горляк, А. Лебедев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 28–31. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.19.50041.18376. — EDN: PANNKL.

Осипов А. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней / А. Осипов, А. Гращенко, А. Горляк, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 36–38. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.15.49747.18346. — EDN: OETAJM.

Markov A. Nondestructive Control of the Surface, Layers, and Charge Carrier Concentration on SiC Substrates and Structures / A. Markov, M. Panov, V. Rastegaev, [и др.] // Technical Physics. — 2019. — Т. 64, № 12. — С. 1774–1779. — DOI: 10.1134/s1063784219120181.

Марков А. Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC / А. Марков, М. Панов, В. Растегаев, [и др.] // Журнал технической физики. — 2019. — С. 1869–1874. — DOI: 10.21883/jtf.2019.12.48484.435-18. — EDN: NWOJQI.