Фирсов Дмитрий Дмитриевич

Занимаемые должности

Старший научный сотрудник (каф. МНЭ)
Доцент (каф. МНЭ)
Преподаватель (ИНО)
Ученая степень / Звания

Кандидат физико-математических наук
Подразделение

Кафедра микро- и наноэлектроники
Институт непрерывного образования
Электронная почта

ddfirsov@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 54385164600

Научный идентификатор (elibraryId): 641256
Учёные степени

Кандидат физико-математических наук
РИДы

Способ измерения спектра анизотропного отражения полупроводниковых материалов и устройств для его осуществления
2805776 | 2023-10-24

Способ измерения спектра анизотропного отражения полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления
2023117782 | 2023-10-24
Диссертационные исследования

Инфракрасная фурье-спектроскопия микро- и наноструктур на основе InAs и InSb
01.04.10 - Физика полупроводников | 11.12.2014
Публикации

Lakuntsova O. Optical Spectroscopy of Metamorphic Heterostructures with InAs/InGaAs Quantum Dots Emitting in the Range of ~1.55 μm / O. Lakuntsova, G. Klimko, I. Sedova, [и др.] // JETP Letters. — 2026. — Т. 123, № 1. — С. 1–9. — DOI: 10.1134/s0021364025608735. — EDN: AKOQGQ.
Год: 2026

Kirilenko I. Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs / I. Kirilenko, M. Ruzhevich, V. Romanov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2025. — Т. 18, № 1.1. — С. 105–110. — DOI: 10.18721/jpm.181.118. — EDN: YMQORT.
Год: 2025

Korepanov O. Polyvinylpyrrolidone-Capped CuInS2 Colloidal Quantum Dots: Synthesis, Optical and Structural Assessment / O. Korepanov, O. Aleksandrova, A. Botnar, [и др.] // Colloids and Interfaces. — 2025. — Т. 9, № 3. — С. 33–33. — Ст. 33. — DOI: 10.3390/colloids9030033. — EDN: OSUEZN.
Год: 2025

Ruzhevich M. S. Optical characteristics of Hg0.7Cd0.3Te films with etched graded-gap surface layer / M. S. Ruzhevich, K. D. Mynbaev, D. D. Firsov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2025. — Т. 18, № 1. — С. 34–39. — DOI: 10.18721/jpm.181.106. — EDN: BBPUIY.
Год: 2025

Ruzhevich M. S. Optical studies of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures / M. S. Ruzhevich, I. D. Kirilenko, I. V. Chumanov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2025. — Т. 18, № 3. — DOI: 10.18721/jpm.83.116.
Год: 2025

Skvortsov I. V. Multiple quantum wells with ultrathin high-Sn fraction GeSn layers: Structural and optical properties / I. V. Skvortsov, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, [и др.] // Next Materials. — 2025. — Т. 9. — С. 101353–101353. — Ст. 101353. — DOI: 10.1016/j.nxmate.2025.101353.
Год: 2025

Кириленко Я. ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ СОСТАВА И СТРУКТУРЫ СЛОЕВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InAs/(InAsSb)/InAsSbP МЕТОДАМИ ОПТИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ / Я. Кириленко, М. Ружевич, М. Дорогов, [и др.] // Невская фотоника-2025. — 2025. — С. 335. — EDN: NTTMRV.
Год: 2025

Коляда Д. Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si / Д. Коляда, Д. Фирсов, О. Комков, [и др.] // Физика твердого тела. — 2025. — С. 1642–1646. — DOI: 10.61011/ftt.2025.09.61615.228-25. — EDN: IPFDUV.
Год: 2025

Скворцов И. В. Структурные и оптические свойства множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSn/GeSi / И. В. Скворцов, В. А. Тимофеев, И. Д. Лошкарев, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. — 2025. — С. 186. — EDN: UXLLRE.
Год: 2025

Тимофеев В. А. PHOTORESPONSE OF GESISN/SI P-I-N PHOTODIODES COUPLED WITH PHOTONIC CRYSTALS WITH MICROCAVITIES / В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2025. — Т. 68, № 6. — С. 85–94. — DOI: 10.17223/00213411/68/6/11. — EDN: SNZTZC.
Год: 2025

Тимофеев В. А. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе материалов IV группы (Ge, Si, Sn) / В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. — 2025. — С. 192. — EDN: SFYMNZ.
Год: 2025

Хахулин С. А. EFFECT OF RECTANGULAR ALUMINUM NANOANTENNAS ON THE OPTICAL EMISSION OF GESISN/SI MULTIPLE QUANTUM WELLS / С. А. Хахулин, Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2025. — Т. 68, № 7. — С. 95–102. — DOI: 10.17223/00213411/68/7/12. — EDN: TKXAPF.
Год: 2025

Afanasjev A. V. Determination of Thickness and Doping Features of Multilayer 4H-SiC Structures by Frequency Analysis of IR Reflection Spectra / A. V. Afanasjev, V. I. Zubkov, V. A. Ilyin, [и др.] // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. — 2024. — Т. 50, № 2. — С. 171–173. — DOI: 10.1134/s1063785023180013. — EDN: GFEKDY.
Год: 2024

Kolyada D. V. Impact of Sulphide Passivation of the Substrate on the Photoluminescent Properties of InAs Autoepitaxial Layers / D. V. Kolyada, D. D. Firsov, O. S. Komkov, [и др.] // Russian Microelectronics. — 2024. — С. 845–849. — DOI: 10.1134/s106373972470104x. — EDN: VGNASC.
Год: 2024

Ruzhevich M. Optical properties of HgCdTe epitaxial films doped with arsenic / M. Ruzhevich, K. Mynbaev, D. Firsov, [и др.] // JOURNAL OF OPTICAL TECHNOLOGY. — 2024. — Т. 91, № 5. — С. 310–315. — DOI: 10.1364/jot.91.000310.
Год: 2024

Ruzhevich M. S. Arsenic-doped HgCdTe: FTIR photoluminescence and photoreflectance spectroscopy study / M. S. Ruzhevich, K. D. Mynbaev, D. D. Firsov, [и др.] // SOLID STATE COMMUNICATIONS. — 2024. — Т. 394. — Ст. 115720. — DOI: 10.1016/j.ssc.2024.115720. — EDN: HZMHLQ.
Год: 2024

Ruzhevich M. S. Photoluminescence of Arsenic Doped Epitaxial Films of Cd0.3Hg0.7Te / M. S. Ruzhevich, D. D. Firsov, O. S. Komkov, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 4. — С. 345–348. — DOI: 10.1134/s1063782624040122. — EDN: HMPBQE.
Год: 2024

Timofeev V. A. Excitation of hybrid modes in plasmonic nanoantennas coupled with GeSiSn/Si multiple quantum wells for the photoresponse enhancement in the short-wave infrared range / V. A. Timofeev, I. V. Skvortsov, V. I. Mashanov, [и др.] // Applied Surface Science. — 2024. — Т. 659. — С. 159852–159852. — Ст. 159852. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.159852.
Год: 2024

Timofeev V. Effects of high-temperature annealing on vacancy complexes and luminescence properties in multilayer periodic structures with elastically strained GeSiSn layers / V. Timofeev, I. Skvortsov, V. Mashanov, [и др.] // Journal of Vacuum Science and Technology B. — 2024. — Т. 42, № 3. — Ст. 030601. — DOI: 10.1116/6.0003557.
Год: 2024

Timofeev V. Structural, Optical and Electrophysical Properties of MBE-Based Multistacked GeSiSn Quantum Dots / V. Timofeev, I. Skvortsov, V. Mashanov, [и др.] // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. — 2024. — Т. 31, № 1. — С. 1–8. — Ст. 8200108. — DOI: 10.1109/jstqe.2024.3439526. — EDN: MGFUIS.
Год: 2024

Ружевич М. С. Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd₀.₃Hg₀.₇Te / М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Д. Д. Фирсов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2024. — С. 544–547. — DOI: 10.61011/ftp.2024.10.59377.6488a. — EDN: EPCHNS.
Год: 2024

Ружевич М. С. Оптические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe, легированных мышьяком / М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Д. Д. Фирсов, [и др.] // Оптический журнал. — 2024. — Т. 91, № 5. — С. 33–42. — DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-05-33-42. — EDN: YYHAZU.
Год: 2024

Firsov D. Fourier Transform Infrared Reflection Anisotropy Spectroscopy of Semiconductor Crystals and Structures: Development and Application in the Mid-Infrared / D. Firsov, S. A. Khakhulin, O. Komkov // Applied Spectroscopy. — 2023. — Т. 77, № 5. — С. 470–481. — DOI: 10.1177/00037028231153421.
Год: 2023

Firsov D. Fourier-transform infrared photoreflectance spectroscopy of the InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic heterostructures with a superlattice waveguide / D. Firsov, A. Luferau, D. Kolyada, [и др.] // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. — 2023. — Т. 40, № 2. — С. 381–387. — DOI: 10.1364/josab.480669. — EDN: GZKGHA.
Год: 2023

Korepanov O. Temperature- and Size-Dependent Photoluminescence of CuInS2 Quantum Dots / O. Korepanov, D. Kozodaev, O. Aleksandrova, [и др.] // Nanomaterials. — 2023. — Т. 13, № 21. — С. 2892–2892. — Ст. 2892. — DOI: 10.3390/nano13212892.
Год: 2023

Timofeev V. Remarkable enhancement of photoluminescence and photoresponse due to photonic crystal structures based on GeSiSn/Si multiple quantum wells / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Materials Today Physics. — 2023. — Т. 33. — Ст. 101052. — DOI: 10.1016/j.mtphys.2023.101052.
Год: 2023

Коляда Д. В. Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами / Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2023. — С. 60–66. — DOI: 10.17223/00213411/66/5/8. — EDN: EUDIIR.
Год: 2023

Ружевич М. С. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК Cd₀.₃Hg₀.₇Te, ЛЕГИРОВАННЫХ МЫШЬЯКОМ / М. С. Ружевич, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, [и др.] // Невская фотоника-2023. — 2023. — С. 129. — EDN: NIGNFH.
Год: 2023

Ружевич М. С. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК Cd₀.₃Hg₀.₇Te, ЛЕГИРОВАННЫХ МЫШЬЯКОМ / М. С. Ружевич, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, [и др.]. — 2023.
Год: 2023

Ружевич М. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd₀.₃Hg₀.₇Te, легированных мышьяком / М. Ружевич, Д. Фирсов, О. Комков, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 491–494. — DOI: 10.61011/ftp.2023.06.56479.5375. — EDN: ZPZYHW.
Год: 2023

Скворцов И. В. Влияние термического отжига и водородной плазмы на оптические свойства множественных квантовых ям GeSiSn/Ge/Si / И. В. Скворцов, В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023. — 2023. — С. 293. — EDN: JUQRVD.
Год: 2023

Тимофеев В. А. Усиление фотоотклика множественных квантовых ям GeSiSn/Si, сопряженных с плазмонными и фотонно-кристаллическими структурами / В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023. — 2023. — С. 301. — EDN: AYNQML.
Год: 2023

Korepanov O. Polyvinylpyrrolidone as a Stabilizer in Synthesis of AgInS2 Quantum Dots / O. Korepanov, O. Aleksandrova, D. Firsov, [и др.] // Nanomaterials. — 2022. — Т. 12, № 14. — С. 2357–2357. — Ст. 2357. — DOI: 10.3390/nano12142357.
Год: 2022

Petrushkov M. O. Dislocation Filter Based on LT-GaAs Layers for Monolithic GaAs/Si Integration / M. O. Petrushkov, D. Abramkin, E. A. Emelyanov, [и др.] // Nanomaterials. — 2022. — Т. 12, № 24. — Ст. 4449. — DOI: 10.3390/nano12244449.
Год: 2022

Sorokin S. Molecular Beam Epitaxy of Mixed h-GaTe/m-GaTe Thin Films on GaAs(001) Substrates: Structural and Photoluminescence Properties / S. Sorokin, I. Sedova, P. S. Avdienko, [и др.] // Journal of Experimental and Theoretical Physics. — 2022. — Т. 135, № 6. — С. 853–859. — DOI: 10.1134/s1063776122120093.
Год: 2022

Timofeev V. Features of Optical Transitions in GeSiSn/Si Multiple Quantum Wells / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. — 2022. — Т. 58, № 6. — С. 571–578. — DOI: 10.3103/s8756699022060127.
Год: 2022

Timofeev V. Study of structural and optical properties of a dual-band material based on tin oxides and GeSiSn compounds / V. Timofeev, V. Mashanov, A. I. Nikiforov, [и др.] // Applied Surface Science. — 2022. — Т. 573. — Ст. 151615. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.151615. — EDN: JZWFZK.
Год: 2022

Timofeev V. Tuning the structural and optical properties of GeSiSn/Si multiple quantum wells and GeSn nanostructures using annealing and a faceted surface as a substrate / V. Timofeev, V. Mashanov, A. I. Nikiforov, [и др.] // Applied Surface Science. — 2022. — Т. 593. — Ст. 153421. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.153421. — EDN: KVMZEO.
Год: 2022

Афанасьев А. В. Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения / А. В. Афанасьев, В. И. Зубков, В. А. Ильин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2022. — С. 34–36. — DOI: 10.21883/pjtf.2022.02.51919.19012. — EDN: DFMZQS.
Год: 2022

Коляда Д. В. Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами / Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 765–769. — DOI: 10.21883/ftp.2022.08.53142.28. — EDN: MVWDXB.
Год: 2022

Петрушков М. О. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства / М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. В. Васев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 980–992. — DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53960.9954. — EDN: ZAYNCD.
Год: 2022

Сорокин С. В. МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК h-GaTe/m-GaTe НА ПОДЛОЖКАХ GaAs (001): СТРУКТУРНЫЕ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА / С. В. Сорокин, И. В. Седова, П. С. Авдиенко, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2022. — С. 892–898. — DOI: 10.31857/s0044451022120094. — EDN: LDEOTR.
Год: 2022

Тимофеев В. А. ОСОБЕННОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В МНОЖЕСТВЕННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ GeSiSn/Si / В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров, [и др.] // Автометрия. — 2022. — С. 28–36. — DOI: 10.15372/aut20220604. — EDN: ATLUNY.
Год: 2022

Avdienko P. S. Effect of surface morphology on macroscale and microscale optical properties of layered InSe grown by molecular beam epitaxy / P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. Firsov, [и др.] // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. — 2021. — Т. 38, № 9. — С. 2579–2586. — DOI: 10.1364/josab.433061. — EDN: YWDHNJ.
Год: 2021

Timofeev V. Epitaxial growth of peculiar GeSn and SiSn nanostructures using a Sn island array as a seed / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Applied Surface Science. — 2021. — Т. 553. — Ст. 149572. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149572. — EDN: ONSSRC.
Год: 2021

Timofeev V. Structural and Optical Properties of a Hybrid Material Based on Tin Oxides and Multilayer Periodic Structures with Pseudomorphic GeSiSn Layers / V. Timofeev, V. Mashanov, A. Nikiforov, [и др.] // Russian Physics Journal. — 2021. — Т. 64, № 8. — С. 1505–1512. — DOI: 10.1007/s11182-021-02483-3. — EDN: WTIKSP.
Год: 2021

Тимофеев В. А. Структурные и оптические свойства гибридного материала на основе оксидов олова и многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn / В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров, [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. — 2021. — С. 115–121. — DOI: 10.17223/00213411/64/8/115. — EDN: LHCOMF.
Год: 2021

Тимофеев В. А. Тонкие пленки Sn при формировании фасетированной поверхности и росте наноструктур GeSn / В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров, [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021. — 2021. — С. 234–234. — EDN: DKUUVY.
Год: 2021

Chernov M. Y. Effect of design and stress relaxation on structural, electronic, and luminescence properties of metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs mid-IR emitters with a superlattice waveguide / M. Y. Chernov, V. A. Solov'Ev, O. Komkov, [и др.] // Journal of Applied Physics. — 2020. — Т. 127, № 12. — Ст. 125706. — DOI: 10.1063/1.5144210.
Год: 2020

Komkov O. Investigation of Built-in Electric Fields at the GaSe/GaAs Interface by Photoreflectance Spectroscopy / O. Komkov, S. A. Khakhulin, D. Firsov, [и др.] // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 10. — С. 1198–1204. — DOI: 10.1134/s1063782620100176.
Год: 2020

Luferau A. Measurement of Infrared Photoluminescence Spectra by Gated Integration with Active Baseline Subtraction / A. Luferau, D. Firsov, O. Komkov // Optics and Spectroscopy. — 2020. — Т. 128, № 1. — С. 131–136. — DOI: 10.1134/s0030400x20010142.
Год: 2020

Petrushkov M. O. Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates / M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov, [и др.] // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 12. — С. 1548–1554. — DOI: 10.1134/s1063782620120295.
Год: 2020

Sorokin S. V. Molecular beam epitaxy of layered group III metal chalcogenides on GaAs(001) substrates / S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, [и др.] // Materials. — 2020. — Т. 13, № 16. — Ст. 3447. — DOI: 10.3390/ma13163447. — EDN: AGRDMY.
Год: 2020

Комков О. Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения / О. Комков, С. Хахулин, Д. Фирсов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 1011–1017. — DOI: 10.21883/ftp.2020.10.49936.9421. — EDN: TXPVJC.
Год: 2020

Луферов А. Регистрация спектров инфракрасной фотолюминесценции методом стробируемого интегрирования в режиме активного вычитания фонового сигнала / А. Луферов, Д. Фирсов, О. Комков // Оптика и спектроскопия. — 2020. — С. 134–139. — DOI: 10.21883/os.2020.01.48850.273-19. — EDN: ZNIKKU.
Год: 2020

Петрушков М. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М. Петрушков, Д. Абрамкин, Е. Емельянов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 1289–1295. — DOI: 10.21883/ftp.2020.12.50227.9496. — EDN: WZDVOP.
Год: 2020

Firsov D. Infrared photoreflectance of InSb-based two-dimensional nanostructures / D. Firsov, O. Komkov, V. Solov’Ev, [и др.] // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. — 2019. — Т. 36, № 4. — С. 910–916. — DOI: 10.1364/josab.36.000910. — EDN: PQGEZG.
Год: 2019

Komkov O. Peculiarities of the energy spectrum of InSb/InAs/InGaAs/InAlAs/GaAs nanoheterostructures revealed by room temperature photomodulation FTIR spectroscopy / O. Komkov, D. Firsov, A. Andreev, [и др.] // Japanese Journal of Applied Physics. — 2019. — Т. 58, № 5. — Ст. 050923. — DOI: 10.7567/1347-4065/ab180e.
Год: 2019

Solov’ev Y. V. Effect of Strongly Mismatched GaAs and InAs Inserts in a InAlAs Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs Quantum-Confined Heterostructures / Y. V. Solov’ev, M. Chernov, O. Komkov, [и др.] // JETP Letters. — 2019. — Т. 109, № 6. — С. 377–381. — DOI: 10.1134/s0021364019060134. — EDN: MPVYLW.
Год: 2019

Komkov O. Contactless Measurement of Electron Concentration in Undoped Homoepitaxial InSb Layers / O. Komkov, D. Firsov, T. Lvova, [и др.] // Journal of Communications Technology and Electronics. — 2018. — Т. 63, № 3. — С. 289–291. — DOI: 10.1134/s1064226918030105.
Год: 2018

Komkov O. Radiative versus non-radiative recombination in high-efficiency mid-IR InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic nanoheterostructures / O. Komkov, D. Firsov, M. Chernov, [и др.] // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2018. — Т. 51, № 5. — Ст. 055106. — DOI: 10.1088/1361-6463/aaa25d.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Фирсов Дмитрий Дмитриевич

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 54385164600

Научный идентификатор (elibraryId): 641256

Кандидат физико-математических наук

Инфракрасная фурье-спектроскопия микро- и наноструктур на основе InAs и InSb

Контакты