Размер шрифта

Изображения

Синтез речи

Шрифт Брайля

Обычная версия

* Шрифт Брайля предназначен для использования со специализированными считывающими устройствами

Для озвучки текста - наведите курсор на необходимый текст

Главная » Профиль сотрудника

Лебедев Андрей Олегович

Занимаемые должности

Профессор (каф. МНЭ)
Главный научный сотрудник (ИСЭФ)
Ученая степень / Звания

Доктор физико-математических наук
Кандидат технических наук
Подразделение

Кафедра микро- и наноэлектроники
Институт силовой электроники и фотоники
Электронная почта

aolebedev@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 55386999400

Научный идентификатор (elibraryId): 31331
Учёные степени

Доктор физико-математических наук

Кандидат технических наук
РИДы

Держатель для фиксации пластины затравочного монокристалла SiC в тигле
2024113960 | 2025-04-23

Способ получения монокристаллического SiC
2811353 | 2024-01-11

Способ получения порошка карбида кремния политипа 4H
2802961 | 2023-09-05

Способ получения порошка карбида кремния
2791964 | 2023-03-14

Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H
2768938 | 2022-03-25

Программа для управления и визуализации технологического процесса выращивания слитков карбида кремния на автоматической высокотемпературной вакуумной установке («MDI»)
2018663227 | 2018-12-13

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
2017144971 | 2018-10-30

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
2016151077 | 2017-10-19

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
2016123810 | 2017-06-07

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
2015130674 | 2016-10-31

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА SiC
2014130528 | 2015-08-12

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
2014130556 | 2015-08-12

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
2014102032 | 2015-06-26
Диссертационные исследования

Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
01.04.10 - Физика полупроводников | 15.10.2013
Публикации

Шаренкова Н. КАРБОТЕРМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ ЧИСТОГО ПОРОШКА КАРБИДА КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЛЮКОЗЫ И АСКОРБИНОВОЙ КИСЛОТЫ / Н. Шаренкова, А. Лебедев, Ю. Быков // Неорганические материалы. — 2025. — С. 129–135. — DOI: 10.31857/s0002337x25030017. — EDN: KGHMOG.
Год: 2025

Avrov D. D. Comparative Ellipsometric Analysis of Silicon Carbide Polytypes 4H, 15R, and 6H Produced by a Modified Lely Method in the Same Growth Process / D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 10. — С. 968–971. — DOI: 10.1134/s1063785020100028. — EDN: UPBNLP.
Год: 2020

Bykov Y. O. On the Structural Perfection of Large-Diameter Silicon Carbide Ingots / Y. O. Bykov, A. O. Lebedev, M. P. Shcheglov // Inorganic Materials. — 2020. — Т. 56, № 9. — С. 928–933. — DOI: 10.1134/s0020168520090034.
Год: 2020

Osipov A. V. Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation / A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 8. — С. 763–766. — DOI: 10.1134/s106378502008012x. — EDN: UXWNPL.
Год: 2020

Авров Д. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе / Д. Авров, А. Горляк, А. Лебедев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 28–31. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.19.50041.18376. — EDN: PANNKL.
Год: 2020

Быков Ю. О структурном совершенстве слитков карбида кремния большого диаметра / Ю. Быков, А. Лебедев, М. Щеглов // Неорганические материалы. — 2020. — С. 979–985. — DOI: 10.31857/s0002337x20090031. — EDN: KTRWFG.
Год: 2020

Осипов А. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней / А. Осипов, А. Гращенко, А. Горляк, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 36–38. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.15.49747.18346. — EDN: OETAJM.
Год: 2020

Kaminskii V. SmS/SiC Heterostructure and Its Associated Thermovoltaic Effect / V. Kaminskii, A. Lebedev, Y. V. Solov’ev, [и др.] // Technical Physics. — 2019. — Т. 64, № 2. — С. 181–182. — DOI: 10.1134/s1063784219020075.
Год: 2019

Каминский В. Гетероструктура SmS/SiC и термовольтаический эффект в ней / В. Каминский, А. Лебедев, С. Соловьев, [и др.] // Журнал технической физики. — 2019. — С. 212–213. — DOI: 10.21883/jtf.2019.02.47072.225-18. — EDN: ZGDIAP.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)