Посредник Олеся Валерьевна

Занимаемые должности

Заместитель заведующего кафедрой по учебной работе (каф. Физики)
Доцент (каф. Физики)
Ученая степень / Звания

Кандидат физико-математических наук
Подразделение

Кафедра физики
Электронная почта

ovposrednik@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 10041788100

Научный идентификатор (elibraryId): 217420
Учёные степени

Кандидат физико-математических наук
Публикации

Давыдов С. Адсорбция редкоземельных атомов на эпитаксиальном графене: аналитические оценки / С. Давыдов, О. Посредник // Письма в Журнал технической физики. — 2026. — С. 47–49. — DOI: 10.61011/pjtf.2026.01.61921.20447. — EDN: OZFWUM.
Год: 2026

Давыдов С. Адсорбция органической макромолекулы на свободном и эпитаксиальном графене со щелью в электронном спектре / С. Давыдов, О. Посредник // Журнал технической физики. — 2025. — С. 560–564. — DOI: 10.61011/jtf.2025.03.59862.324-24. — EDN: YEPHZW.
Год: 2025

Давыдов С. Простая схема работы резистивного биосенсора на основе графена / С. Давыдов, О. Посредник // Письма в Журнал технической физики. — 2025. — С. 39–42. — DOI: 10.61011/pjtf.2025.07.60073.20170. — EDN: LQBYIX.
Год: 2025

Davydov S. Y. Theoretical Estimates of the Thermoelectric Power Factor of Graphene Encapsulated between 3D and 2D Semiconductor and Metal Slabs / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 2. — С. 110–119. — DOI: 10.1134/s1063782624020039. — EDN: AQWHSK.
Год: 2024

Davydov S. Electron States of Atoms in Monolayers Adsorbed on Silicon Carbide / S. Davydov, O. Posrednik // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 2. — С. 100–103. — DOI: 10.1134/s1063782623020057.
Год: 2023

Davydov S. Interatomic Coulomb repulsion in epitaxial carbon nanostructures on metals: Account of “excitonic” mean values / S. Davydov, O. V. Posrednik, S. Y. Davydov // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. — 2023. — Т. 474. — Ст. 128833. — DOI: 10.1016/j.physleta.2023.128833.
Год: 2023

Davydov S. Magnetc States in the Surface Dimer Model for Adsorption / S. Davydov, O. V. Posrednik // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № SUPPL 3. — С. S190–S192. — DOI: 10.1134/s1063785023900698.
Год: 2023

Давыдов С. Теоретические оценки фактора термоэлектрической мощности графена, капсулированного между 3D и 2D полупроводниковыми и металлическими слоями / С. Давыдов, О. Посредник // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 758–766. — DOI: 10.61011/ftp.2023.09.56991.5558. — EDN: VZHHHO.
Год: 2023

Давыдов С. Ю. Особенности фактора термоэлектрической мощности капсулированных структур, образованных двумерными слоями / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика твердого тела. — 2023. — С. 652–655. — DOI: 10.21883/ftt.2023.04.55305.15. — EDN: WVHNUT.
Год: 2023

Давыдов С. Ю. Магнитные состояния в модели поверхностного димера / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Письма в Журнал технической физики. — 2022. — С. 14–16. — DOI: 10.21883/pjtf.2022.03.51975.19031. — EDN: ZQYBAK.
Год: 2022

Давыдов С. Ю. Электрон-фононное взаимодействие в адсорбционной модели поверхностного димера / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика твердого тела. — 2022. — С. 871–873. — DOI: 10.21883/ftt.2022.07.52575.334. — EDN: QHKAUA.
Год: 2022

Давыдов С. Ю. Электронные состояния атомов в монослоях, адсорбированных на карбиде кремния / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 221–224. — DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51965.9751. — EDN: ZFSGDW.
Год: 2022

Davydov S. Y. Adsorption of Group-II and -VI Atoms on Silicon-Carbide Polytypes / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 4. — С. 399–404. — DOI: 10.1134/s1063782621040047. — EDN: BISPPP.
Год: 2021

Davydov S. Y. Elastic Properties of Graphene-Like Compounds: the Keating’s and Harisson’s Models / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Physics of the Solid State. — 2021. — Т. 63, № 2. — С. 368–371. — DOI: 10.1134/s1063783421020049.
Год: 2021

Davydov S. Y. Model of a “Two-Dimensional Metal–Graphene-Like Compound” Junction: Consideration for Interaction between the Components / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 7. — С. 595–600. — DOI: 10.1134/s1063782621070071. — EDN: BNBSVS.
Год: 2021

Davydov S. Y. On the Nature of Red Shift of the Raman G Peak in an Epitaxial Two-Dimensional Layer / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Physics of the Solid State. — 2021. — Т. 63, № 4. — С. 530–533. — DOI: 10.1134/s1063783421040053. — EDN: STYDYY.
Год: 2021

Davydov S. Y. The Role of Coulomb Interaction in the Defect Model of a Schottky Barrier / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 3. — С. 234–236. — DOI: 10.1134/s1063785021030081. — EDN: GIUOPS.
Год: 2021

Davydov S. Y. The Schottky Barrier on a Contact of a Magnetic 3d Metal with a Semiconductor / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 7. — С. 550–552. — DOI: 10.1134/s1063785021060079. — EDN: QABQVG.
Год: 2021

ДАВЫДОВ С. УПРУГИЕ СВОЙСТВА ГРАФЕНОПОДОБНЫХ СОЕДИНЕНИЙ: МОДЕЛИ КИТИНГА И ХАРРИСОНА / С. ДАВЫДОВ, О. ПОСРЕДНИК // Физика твердого тела. — 2021. — С. 304–307. — DOI: 10.21883/ftt.2021.02.50487.221. — EDN: ABKOCO.
Год: 2021

Давыдов С. Ю. Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика и техника полупроводников. — 2021. — С. 326–330. — DOI: 10.21883/ftp.2021.04.50733.9548. — EDN: BAHTRP.
Год: 2021

Давыдов С. Ю. Барьер Шоттки на контакте магнитного 3d-металла с полупроводником / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 37–39. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.11.51006.18650. — EDN: LTTXAJ.
Год: 2021

Давыдов С. Ю. Модель контакта двумерного металла и графеноподобного соединения с учетом их взаимодействия / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика и техника полупроводников. — 2021. — С. 578–583. — DOI: 10.21883/ftp.2021.07.51020.9559. — EDN: DIFXSB.
Год: 2021

Давыдов С. Ю. О природе красного сдвига G-пика раман-спектра в эпитаксиальном двумерном слое / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика твердого тела. — 2021. — С. 550–553. — DOI: 10.21883/ftt.2021.04.50723.253. — EDN: MGZVFW.
Год: 2021

Давыдов С. Ю. Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Письма в Журнал технической физики. — 2021. — С. 28–30. — DOI: 10.21883/pjtf.2021.05.50673.18594. — EDN: TOZADA.
Год: 2021

Davydov S. Y. Adsorption of Barium Atoms on Silicon Carbide / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 1. — С. 12–15. — DOI: 10.1134/s1063785020010046.
Год: 2020

Davydov S. Y. Adsorption of Ga and Cl Atoms and GaCl Molecule on Silicon Carbide: Model Approach / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Physics of the Solid State. — 2020. — Т. 62, № 2. — С. 350–353. — DOI: 10.1134/s1063783420020092.
Год: 2020

Davydov S. Y. Adsorption of Group-I and -VII Atoms on Silicon-Carbide Polytypes / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 11. — С. 1410–1416. — DOI: 10.1134/s1063782620110275.
Год: 2020

Davydov S. Y. Adsorption of Polar Molecules on a Solid Substrate / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Mechanics of Solids. — 2020. — Т. 55, № 1. — С. 90–93. — DOI: 10.3103/s0025654420010082.
Год: 2020

Davydov S. Y. On the adsorptive properties of silicon carbide: gas molecule adsorption / S. Y. Davydov, O. V. Posrednik // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. — 2020. — Т. 28, № 1. — С. 27–29. — DOI: 10.1080/1536383x.2019.1671361. — EDN: VBBQED.
Год: 2020

Давыдов С. Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход / С. Давыдов, О. Посредник // Физика твердого тела. — 2020. — С. 298–301. — DOI: 10.21883/ftt.2020.02.48882.596. — EDN: GXOZSH.
Год: 2020

Давыдов С. Адсорбция атомов I и VII групп на политипах карбида кремния / С. Давыдов, О. Посредник // Физика и техника полупроводников. — 2020. — С. 1197–1202. — DOI: 10.21883/ftp.2020.11.50086.9391. — EDN: ECWTVW.
Год: 2020

Давыдов С. Адсорбция атомов бария на карбиде кремния / С. Давыдов, О. Посредник // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 16–19. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.01.48857.18050. — EDN: ULKSEB.
Год: 2020

Давыдов С. ОБ АДСОРБЦИИ ПОЛЯРНЫХ МОЛЕКУЛНА ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ПОДЛОЖКЕ / С. Давыдов, О. Посредник // Известия Российской академии наук. Механика твердого тела. — 2020. — С. 109–113. — DOI: 10.31857/s0572329920010092. — EDN: RAQFYD.
Год: 2020

Davydov S. On the Adsorption of Gases on Silicon Carbide: Simple Estimates / S. Davydov, O. V. Posrednik // Physics of the Solid State. — 2019. — Т. 61, № 8. — С. 1490–1493. — DOI: 10.1134/s1063783419080109.
Год: 2019

Давыдов С. Об адсорбции газов на карбиде кремния: простые оценки / С. Давыдов, О. Посредник // Физика твердого тела. — 2019. — С. 1538–1541. — DOI: 10.21883/ftt.2019.08.47985.429. — EDN: XZZIYS.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Посредник Олеся Валерьевна

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 10041788100

Научный идентификатор (elibraryId): 217420

Кандидат физико-математических наук

Контакты