Главная » Профиль сотрудника

Марков Александр Владимирович

Занимаемые должности

Программист 2 категории (каф. МНЭ)
Ассистент (каф. МНЭ)
Подразделение

Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

avmarkov@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 57213145919

Научный идентификатор (elibraryId): 33217
Публикации

Afanasev A. V. Titanium carbide coating for high-temperature graphite components; Покрытие из карбида титана для графитовой арматуры высокотемпературных процессов / A. V. Afanasev, Y. О. Bykov, A. O. Lebedev, [и др.] // Izvestiya Vuzov. Poroshkovaya Metallurgiya i Funktsional'nye Pokrytiya. — 2025. — Т. 19, № 5. — С. 70–79. — DOI: 10.17073/1997-308x-2025-5-70-79. — EDN: ZLOFUC.
Год: 2025

Avrov D. D. Comparative Ellipsometric Analysis of Silicon Carbide Polytypes 4H, 15R, and 6H Produced by a Modified Lely Method in the Same Growth Process / D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 10. — С. 968–971. — DOI: 10.1134/s1063785020100028. — EDN: UPBNLP.
Год: 2020

Osipov A. V. Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation / A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 8. — С. 763–766. — DOI: 10.1134/s106378502008012x. — EDN: UXWNPL.
Год: 2020

Авров Д. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе / Д. Авров, А. Горляк, А. Лебедев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 28–31. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.19.50041.18376. — EDN: PANNKL.
Год: 2020

Осипов А. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней / А. Осипов, А. Гращенко, А. Горляк, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 36–38. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.15.49747.18346. — EDN: OETAJM.
Год: 2020

Markov A. Nondestructive Control of the Surface, Layers, and Charge Carrier Concentration on SiC Substrates and Structures / A. Markov, M. Panov, V. Rastegaev, [и др.] // Technical Physics. — 2019. — Т. 64, № 12. — С. 1774–1779. — DOI: 10.1134/s1063784219120181.
Год: 2019

Марков А. Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC / А. Марков, М. Панов, В. Растегаев, [и др.] // Журнал технической физики. — 2019. — С. 1869–1874. — DOI: 10.21883/jtf.2019.12.48484.435-18. — EDN: NWOJQI.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)