Главная » Профиль сотрудника

Серков Антон Валерьевич

Занимаемые должности

Научный сотрудник (ИСЭФ)
Подразделение

Институт силовой электроники и фотоники
Электронная почта

avserkov@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 57189240665
РИДы

Дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления на основе карбида кремния политипа 4H
2024129822 | 2025-03-17
Публикации

Афанасьев А. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области / А. Афанасьев, В. Забродский, В. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2025. — С. 43–47. — DOI: 10.61011/ftp.2025.01.60499.7633. — EDN: LCNNGJ.
Год: 2025

Афанасьев А. Особенности проектирования 4H-SiC-DMOSFET с различной топологией ячеек / А. Афанасьев, С. Шевченко, П. Афанасьев, [и др.] // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2025. — С. 357. — EDN: ATGCIA.
Год: 2025

Афанасьев А. Электрическая характеризация силовых карбидокремниевых MOSFET с линейным и гексагональным дизайном базовых ячеек / А. Афанасьев, П. Афанасьев, В. Ильин, [и др.] // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. — 2025. — С. 54–65. — DOI: 10.32603/1993-8985-2025-28-5-54-65. — EDN: FHQCHO.
Год: 2025

Afanasev A. V. Application of RIE-Technology to Control Responsivity of 4H-SiC Photodiodes / A. V. Afanasev, V. Zabrodskiy, V. Ilyin, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 11. — С. 469–473. — DOI: 10.1134/s1063782623080018.
Год: 2023

Ilyin V. Silicon-Carbide Epitaxial Structures for Betavoltaic Converters / V. Ilyin, A. V. Afanasyev, V. V. Luchinin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17. — С. S56–S60. — DOI: 10.1134/s2635167622070096.
Год: 2022

Афанасьев А. В. О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 607–610. — DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52598.9827. — EDN: WSMYQD.
Год: 2022

Афанасьев А. В. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов / А. В. Афанасьев, В. В. Забродский, В. А. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 997–1001. — DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53962.9926. — EDN: DRMDUC.
Год: 2022

Ильин В. А. Карбидокремниевые эпитаксиальные структуры для бета-вольтаических преобразователей / В. А. Ильин, А. В. Афанасьев, В. В. Лучинин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 312–316. — DOI: 10.17587/nmst.23.312-316. — EDN: UXGNYP.
Год: 2021

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)