Главная » Профиль сотрудника

Яковлев Георгий Евгеньевич

Занимаемые должности

Доцент (каф. МНЭ)
Старший научный сотрудник (каф. МНЭ)
Ученая степень / Звания

Кандидат физико-математических наук
Подразделение

Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

gy@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 57188697042

Научный идентификатор (elibraryId): 837296
Учёные степени

Кандидат физико-математических наук
РИДы

Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах
2023108232 | 2023-09-05

Способ определения профиля распределения по глубине концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
2802862 | 2023-09-05
Диссертационные исследования

Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
01.04.10 - Физика полупроводников | 27.09.2018
Публикации

Solomnikova A. Nondestructive Morphology and Impurity Content Study of the Large-Sized High-Pressure High-Temperature Single-Crystal Multisectoral IIb Diamond Plate for Microelectronic Applications / A. Solomnikova, G. E. Yakovlev, I. V. Klepikov, [и др.] // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. — 2025. — Т. 19, № 5. — Ст. 2400393. — DOI: 10.1002/pssr.202400393.
Год: 2025

Гудовских А. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP / А. Гудовских, А. Баранов, А. Уваров, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2025. — С. 18–22. — DOI: 10.61011/pjtf.2025.09.60226.20200. — EDN: LQJUQI.
Год: 2025

Zubkov V. Precision assessment of carrier concentration in semiconductors with negative electron affinity / V. Zubkov, G. Yakovlev, A. Solomnikova, [и др.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 2024. — Т. 35, № 17. — Ст. 1113. — DOI: 10.1007/s10854-024-12771-6.
Год: 2024

Ивкин Л. И. Исследование структур на основе GaP методом электрохимического вольт-фарадного профилирования / Л. И. Ивкин, В. И. Зубков, G. Yakovlev, [и др.] // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2024. — С. 26–31. — DOI: 10.32603/2071-8985-2024-17-5-26-31. — EDN: JVZMLJ.
Год: 2024

Baranov A. Study of InP/GaP Quantum Wells Grown by Vapor Phase Epitaxy / A. Baranov, A. Uvarov, A. Maksimova, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № SUPPL 3. — С. S163–S167. — DOI: 10.1134/s1063785023900649.
Год: 2023

Iakovlev G. E. ECV PROFILING OF MICROELECTRONIC QUALITY DIAMOND WAFERS / G. E. Iakovlev, A. V. Solomnikova, V. I. Zubkov, [и др.] // PULSED LASERS AND LASER APPLICATIONS. — 2023. — С. 231. — EDN: BRHVPV.
Год: 2023

Баранов А. И. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии / А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2023. — С. 16–20. — DOI: 10.21883/pjtf.2023.06.54810.19404. — EDN: TZFCTK.
Год: 2023

Яковлев Г. Е. AlGaN/GaN dHEMT: ECV-профилирование и расчет встроенных пьезополей / Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2022. — С. 45–49. — EDN: XCQVYV.
Год: 2022

Uvarov A. Plasma-Deposited Multilayer GaP/Si p-i-n Structure for Tandem Silicon-Based Solar Cells / A. Uvarov, A. Gudovskikh, A. Baranov, [и др.] // ACS Applied Energy Materials. — 2021. — Т. 5, № 5. — С. 5374–5380. — DOI: 10.1021/acsaem.1c02707. — EDN: OYRTUF.
Год: 2021

Yakovlev G. Back-side-illuminated CCDs for EBCCDs: “dead-layer” compensation / G. Yakovlev, V. I. Zubkov // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 2021. — Т. 32, № 1. — С. 73–80. — DOI: 10.1007/s10854-020-04631-w.
Год: 2021

Yakovlev G. DIAGNOSTICS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY ELECTROCHEMICAL CAPACITANCE-VOLTAGE PROFILING TECHNIQUE [Диагностика полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадногопрофилирования] / G. Yakovlev, D. Frolov, V. I. Zubkov, [и др.] // Industrial Laboratory. Materials Diagnostics. — 2021. — Т. 87, № 1. — С. 35–44. — DOI: 10.26896/1028-6861-2021-87-1-35-44. — EDN: EHZCKK.
Год: 2021

Yakovlev G. Integration of electrochemical capacitance–voltage characteristics: a new procedure for obtaining free charge carrier depth distribution profiles with high resolution / G. Yakovlev, V. I. Zubkov // Journal of Solid State Electrochemistry. — 2021. — Т. 25, № 3. — С. 797–802. — DOI: 10.1007/s10008-020-04855-0.
Год: 2021

Gudovskikh A. S. Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition / A. S. Gudovskikh, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, [и др.] // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. — 2020. — Т. 217, № 4. — Ст. 1900532. — DOI: 10.1002/pssa.201900532. — EDN: TUBJXV.
Год: 2020

Yakovlev G. Active and buffer layers of GaN HEMT: ECV profiling and 2DEG calculation / G. Yakovlev, V. I. Zubkov, A. Solomnikova // Materials Research Innovations. — 2020. — Т. 24, № 7. — С. 402–408. — DOI: 10.1080/14328917.2019.1688559. — EDN: QRWVBL.
Год: 2020

Frolov D. Technique for the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of Heavily Doped Structures with a Sharp Doping Profile / D. Frolov, G. Yakovlev, V. I. Zubkov // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 2. — С. 268–272. — DOI: 10.1134/s1063782619020076.
Год: 2019

Ivanova Y. Emission processes of the interaction between the quantum well and donor delta layer in heterostructures for pHEMTs / Y. Ivanova, G. Yakovlev, V. Zubkov, [и др.] // Turkish Journal of Physics. — 2019. — Т. 43, № 3. — С. 243–251. — DOI: 10.3906/fiz-1812-12. — EDN: ODLHYH.
Год: 2019

Yakovlev G. Through Concentration Profiling of Heterojunction Solar Cells / G. Yakovlev, I. Nyapshaev, I. Shakhrai, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2019. — Т. 45, № 9. — С. 890–893. — DOI: 10.1134/s106378501909013x. — EDN: HBLXXZ.
Год: 2019

Фролов Д. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси / Д. Фролов, Г. Яковлев, В. Зубков // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 281–286. — DOI: 10.21883/ftp.2019.02.47114.8966. — EDN: ZGCGEX.
Год: 2019

Яковлев Г. Е. Диагностика электрофизических параметров активных и буферных слоев нитридгаллиевых HEMT гетероструктур / Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. В. Соломонов // Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. — 2019. — С. 5–12. — EDN: FJQXXH.
Год: 2019

Яковлев Г. Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов / Г. Яковлев, И. Няпшаев, И. Шахрай, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 39–42. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.17.48223.17880. — EDN: RNGRIK.
Год: 2019

Yakovlev G. Electrochemical capacitance-voltage profiling of nonuniformly doped GaAs heterostructures with SQWs and MQWs for LED applications / G. Yakovlev, V. Zubkov, A. Solomnikova, [и др.] // Turkish Journal of Physics. — 2018. — Т. 42, № 4. — С. 433–442. — DOI: 10.3906/fiz-1803-23.
Год: 2018

Yakovlev G. Specific Features of the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions / G. Yakovlev, M. Dorokhin, V. Zubkov, [и др.] // Semiconductors. — 2018. — Т. 52, № 8. — С. 1004–1011. — DOI: 10.1134/s1063782618080250.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)