Главная » Профиль сотрудника

Горляк Андрей Николаевич

Занимаемые должности

Доцент (каф. Физики)
Доцент (каф. МНЭ)
Ученая степень / Звания

Кандидат технических наук
Подразделение

Кафедра физики
Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

angorliak@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 6504668958
Учёные степени

Кандидат технических наук
Публикации

Хмельницкий И. К. Комплекс миниатюрных бионических робототехнических систем / И. К. Хмельницкий, В. В. Лучинин, А. Н. Горляк, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2022. — С. 13–18. — DOI: 10.17587/nmst.24.13-18. — EDN: VUCKYM.
Год: 2022

Avrov D. D. Comparative Ellipsometric Analysis of Silicon Carbide Polytypes 4H, 15R, and 6H Produced by a Modified Lely Method in the Same Growth Process / D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 10. — С. 968–971. — DOI: 10.1134/s1063785020100028. — EDN: UPBNLP.
Год: 2020

Osipov A. V. Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation / A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 8. — С. 763–766. — DOI: 10.1134/s106378502008012x. — EDN: UXWNPL.
Год: 2020

Авров Д. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе / Д. Авров, А. Горляк, А. Лебедев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 28–31. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.19.50041.18376. — EDN: PANNKL.
Год: 2020

Горляк А. ПРАКТИКА УНИВЕРСАЛЬНОГО ПРИМЕНЕНИЯ БАЗОВЫХ ОПТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ КАК НЕОБХОДИМАЯ ЧАСТЬ ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ПРОГРАММ МАГИСТЕРСКИХ И ИНЖЕНЕРНЫХ СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ С ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ НАПРАВЛЕННОСТЬЮ / А. Горляк // Современные образовательные технологии в подготовке специалистов для минерально-сырьевого комплекса. — 2020. — С. 685–690. — EDN: GGRFTZ.
Год: 2020

Осипов А. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней / А. Осипов, А. Гращенко, А. Горляк, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 36–38. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.15.49747.18346. — EDN: OETAJM.
Год: 2020

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)