Главная » Профиль сотрудника

Чигирев Дмитрий Алексеевич

Занимаемые должности

Научный сотрудник (ИСЭФ)
Ученая степень / Звания

Кандидат технических наук
Подразделение

Институт силовой электроники и фотоники
Электронная почта

dachigirev@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 35174359700

Научный идентификатор (elibraryId): 542552
Учёные степени

Кандидат технических наук
РИДы

Дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления на основе карбида кремния политипа 4H
2024129822 | 2025-03-17
Диссертационные исследования

Композитные тонкопленочные сегнетоэлектрические структуры на основе цирконата-титаната свинца и титаната бария
05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах | 24.05.2012

Чигирева Д.А.
05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах | 24.05.2012
Публикации

Афанасьев А. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области / А. Афанасьев, В. Забродский, В. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2025. — С. 43–47. — DOI: 10.61011/ftp.2025.01.60499.7633. — EDN: LCNNGJ.
Год: 2025

Афанасьев А. Особенности проектирования 4H-SiC-DMOSFET с различной топологией ячеек / А. Афанасьев, С. Шевченко, П. Афанасьев, [и др.] // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — 2025. — С. 357. — EDN: ATGCIA.
Год: 2025

Афанасьев А. Электрическая характеризация силовых карбидокремниевых MOSFET с линейным и гексагональным дизайном базовых ячеек / А. Афанасьев, П. Афанасьев, В. Ильин, [и др.] // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. — 2025. — С. 54–65. — DOI: 10.32603/1993-8985-2025-28-5-54-65. — EDN: FHQCHO.
Год: 2025

Afanasev A. V. Application of RIE-Technology to Control Responsivity of 4H-SiC Photodiodes / A. V. Afanasev, V. Zabrodskiy, V. Ilyin, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 11. — С. 469–473. — DOI: 10.1134/s1063782623080018.
Год: 2023

Andreeva N. Architecture and Technology of Neuromorphic Memristive Chips / N. Andreeva, V. Luchinin, E. Ryndin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17, № SUPPL 1. — С. S72–S79. — DOI: 10.1134/s2635167622070035.
Год: 2022

Bol’shakov M. N. Highly Heat-Resistant Poly(Amido Hydroxy Amides) with Increased Elongation at Break and Photosensitive Formulations Based on Them / M. N. Bol’shakov, G. Lebedeva, A. Y. Marfichev, [и др.] // Russian Journal of Applied Chemistry. — 2022. — Т. 95, № 4. — С. 551–560. — DOI: 10.1134/s1070427222040115.
Год: 2022

Ilyin V. Silicon-Carbide Epitaxial Structures for Betavoltaic Converters / V. Ilyin, A. V. Afanasyev, V. V. Luchinin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17. — С. S56–S60. — DOI: 10.1134/s2635167622070096.
Год: 2022

Афанасьев А. В. О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 607–610. — DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52598.9827. — EDN: WSMYQD.
Год: 2022

Афанасьев А. В. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов / А. В. Афанасьев, В. В. Забродский, В. А. Ильин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2022. — С. 997–1001. — DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53962.9926. — EDN: DRMDUC.
Год: 2022

Большаков М. Н. ВЫСОКОТЕРМОСТОЙКИЕ ПОЛИ(АМИДОГИДРОКСИАМИДЫ) С ПОВЫШЕННОЙ ПРЕДЕЛЬНОЙ ДЕФОРМАЦИЕЙ И СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ КОМПОЗИЦИИ НА ИХ ОСНОВЕ / М. Н. Большаков, Г. К. Лебедева, А. Ю. Марфичев, [и др.] // Журнал прикладной химии. — 2022. — С. 490–500. — DOI: 10.31857/s0044461822040107. — EDN: DHHQBU.
Год: 2022

ANDREEVA N. Electron impact processes in voltage-controlled phase transition in vanadium dioxide thin films / N. ANDREEVA, P. TURALCHUK, D. CHIGIREV, [и др.] // Chaos, Solitons and Fractals. — 2021. — Т. 142. — Ст. 110503. — DOI: 10.1016/j.chaos.2020.110503. — EDN: YUHTAO.
Год: 2021

Andreeva N. V. Contact engineering approach to improve the linearity of multilevel memristive devices / N. V. Andreeva, D. S. Mazing, A. Romanov, [и др.] // Micromachines. — 2021. — Т. 12, № 12. — Ст. 1567. — DOI: 10.3390/mi12121567. — EDN: HHVLGL.
Год: 2021

Andreeva N. V. Heterolayer Memristive Systems for Multibit Memory: The Role of a Reservoir of Oxygen Vacancies / N. V. Andreeva, A. Romanov, D. S. Mazing, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2021. — Т. 16, № 6. — С. 790–797. — DOI: 10.1134/s2635167621060033. — EDN: PFGHZV.
Год: 2021

Андреева Н. В. ГЕТЕРОСЛОЕВЫЕ МЕМРИСТИВНЫЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ МНОГОУРОВНЕВОЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЛОГИКИ. РОЛЬ “РЕЗЕРВУАРА” КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ / Н. В. Андреева, А. А. Романов, Д. С. Мазинг, [и др.] // Российские нанотехнологии. — 2021. — С. 825–832. — DOI: 10.1134/s1992722321060030. — EDN: YOYYMS.
Год: 2021

Ильин В. А. Карбидокремниевые эпитаксиальные структуры для бета-вольтаических преобразователей / В. А. Ильин, А. В. Афанасьев, В. В. Лучинин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 312–316. — DOI: 10.17587/nmst.23.312-316. — EDN: UXGNYP.
Год: 2021

Пщелко Н. С. БЕСКОНТАКТНЫЙ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ДАТЧИК НА ОСНОВЕ ПЛАНАРНОГО КОНДЕНСАТОРА / Н. С. Пщелко, И. М. Соколова, Д. А. Чигирев // Техника радиосвязи. — 2021. — С. 71–82. — DOI: 10.33286/2075-8693-2021-50-71-82. — EDN: AKJYPF.
Год: 2021

ФАЗАЛОВА Э. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СЕНСИБИЛИЗИРОВАННОГО ФТАЛОЦИАНИНОМ ПОЛИ (О-ГИДРОКСИАМИДА) КАК ПЕРСПЕКТИВНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ / Э. ФАЗАЛОВА, К. КОЧУНОВ, Е. БОДЯГО, [и др.] // X МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОНИКЕ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ОПТИКЕ. — 2021. — С. 199–200. — EDN: CKJYML.
Год: 2021

Chigirev D. A. Heat Resistance and Electrophysical Characteristics of Polyheteroarylenes and Ferroelectric–Polymer Film Composites Based on Them / D. A. Chigirev, M. N. Bol’shakov, G. Lebedeva, [и др.] // Russian Journal of Applied Chemistry. — 2020. — Т. 93, № 2. — С. 188–196. — DOI: 10.1134/s1070427220020056.
Год: 2020

Mukhin N. Composite ferroelectric coatings based on a heat-resistant polybenzoxazole polymer matrix / N. Mukhin, I. Sokolova, D. A. Chigirev, [и др.] // Coatings. — 2020. — Т. 10, № 3. — Ст. 286. — DOI: 10.3390/coatings10030286. — EDN: OJDAAA.
Год: 2020

Чигирев Д. ТЕРМОСТОЙКОСТЬ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИГЕТЕРОАРИЛЕНОВ И ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИТОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-ПОЛИМЕР НА ИХ ОСНОВЕ / Д. Чигирев, М. Большаков, Г. Лебедева, [и др.] // Журнал прикладной химии. — 2020. — С. 187–196. — DOI: 10.31857/s004446182002005x. — EDN: GXNPZK.
Год: 2020

Mukhin N. Microstructure and properties of PZT films with different PbO content-ionic mechanism of built-in fields formation / N. Mukhin, D. A. Chigirev, L. Bakhchova, [и др.] // Materials. — 2019. — Т. 12, № 18. — Ст. 2926. — DOI: 10.3390/ma12182926. — EDN: LEFORP.
Год: 2019

Mukhin N. Heat-resistant ferroelectric-polymer nanocomposite with high dielectric constant / N. Mukhin, V. Afanasjev, I. Sokolova, [и др.] // Materials. — 2018. — Т. 11, № 8. — Ст. 1439. — DOI: 10.3390/ma11081439.
Год: 2018

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)