Поступающим
Студентам
Сотрудникам
Университет
Университет
ЛЭТИ сегодня
Университет сегодня
Миссия, гимн
Этический кодекс
Федеральные проекты
ЛЭТИ в рейтингах
Фирменный стиль
Руководство
Ректор
Ректорат
Ученый совет
Наблюдательный совет
Структура
История и награды
История
Награды
Почетные звания и знаки
Выдающиеся выпускники
Музей
Кампус
Университетский городок
Карта
Общежития
Нормативные документы
Внутренние распоряжения к опубликованию
Документы к публикации от МОН
Закупки
Поступающим
Студентам
Сотрудникам
Образование
Образование
Образовательная деятельность
Образовательные программы
Управление образовательной политики
Аспирантура и докторантура
Конкурсы ППС
Наука
Наука
Научная деятельность
Административная структура
Центр трансфера технологий
Центр Молодежного предпринимательства
Основные научно-образовательные направления
Диссертационные советы
Поступающим
Студентам
Сотрудникам
Инновации
Международная деятельность
ЛЭТИ сегодня
Руководство
Структура
История и награды
Кампус
Нормативные документы
Закупки
Университет сегодня
Миссия, гимн
Этический кодекс
Федеральные проекты
ЛЭТИ в рейтингах
Фирменный стиль
Ректор
Ректорат
Ученый совет
Наблюдательный совет
История
Награды
Почетные звания и знаки
Выдающиеся выпускники
Музей
Университетский городок
Карта
Общежития
Внутренние распоряжения к опубликованию
Документы к публикации от МОН
Образовательная деятельность
Образовательные программы
Управление образовательной политики
Аспирантура и докторантура
Конкурсы ППС
Научная деятельность
Административная структура
Основные научно-образовательные направления
Диссертационные советы
Центр трансфера технологий
Центр Молодежного предпринимательства
Главная
»
Профиль сотрудника
Пихтин Никита Александрович
Занимаемые должности
Доцент
(каф. Фотоники)
Ученая степень / Звания
Кандидат физико-математических наук
Подразделение
Кафедра Фотоники
Электронная почта
napikhtin@etu.ru
Научные идентификаторы
Научный идентификатор (scopusId):
7004717756
Научный идентификатор (elibraryId):
31348
Учёные степени
Кандидат физико-математических наук
Публикации
Vrubel I. Characterization of heat dissipation in quantum cascade lasers: experiment, analytics, and applications / I. Vrubel, E. Cherotchenko, A. Nikitin, [и др.] // IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. — 2026. — DOI: 10.1109/tcpmt.2026.3667845.
Год: 2026
Babichev A. Features of Single-Mode Emission in 7.5–8.0 μm Range Quantum-Cascade Lasers with a Short Cavity Length / A. Babichev, E. Kolodeznyi, A. Gladyshev, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № Suppl 3. — С. S248–S251. — DOI: 10.1134/s106378502301008x.
Год: 2023
Babichev A. Study of the Spatial Characteristics of Emission of Surface-Emitting Ring Quantum-Cascade Lasers / A. Babichev, D. Mikhailov, D. Chistyakov, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 9. — С. 377–382. — DOI: 10.1134/s1063782623070023.
Год: 2023
Babichev A. Surface-Emitting Quantum-Cascade Lasers with a Grating Formed by Focused Ion Beam Milling / A. Babichev, D. Mikhailov, E. Kolodeznyi, [и др.] // Semiconductors. — 2023. — Т. 57, № 10. — С. 445–450. — DOI: 10.1134/s1063782623090038.
Год: 2023
Babichev A. V. Heterostructures of Quantum-Cascade Lasers with Nonselective Overgrowth by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy / A. V. Babichev, A. Gladyshev, D. Denisov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2023. — Т. 49, № SUPPL 3. — С. 155–158. — DOI: 10.1134/s1063785023900625.
Год: 2023
Babichev A. V. Quantum-Cascade Laser with Radiation Emission through a Textured Layer / A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, [и др.] // Semiconductors. — 2022. — Т. 56, № 1. — С. 1–4. — DOI: 10.1134/s106378262201002x. — EDN: CUQYZY.
Год: 2022
Cherotchenko E. D. Observation of Long Turn-On Delay in Pulsed Quantum Cascade Lasers / E. D. Cherotchenko, V. V. Dudelev, D. A. Mikhailov, [и др.] // Journal of Lightwave Technology. — 2022. — Т. 40, № 7. — С. 2104–2110. — DOI: 10.1109/jlt.2021.3134837. — EDN: UFWEIB.
Год: 2022
Slipchenko S. Analysis of light - Current characteristics of high-power semiconductor lasers (1060 nm) in a steady-state 2D model / S. Slipchenko, V. Golovin, O. Soboleva, [и др.] // Quantum Electronics. — 2022. — Т. 52, № 4. — С. 343–350. — DOI: 10.1070/qel18015. — EDN: NQWTXR.
Год: 2022
Slipchenko S. O. Basics of surface reconstruction during selective area metalorganic chemical vapour-phase epitaxy of GaAs films in the stripe-type ultra-wide window / S. O. Slipchenko, V. Shamakhov, D. N. Nikolaev, [и др.] // Applied Surface Science. — 2022. — Т. 588. — Ст. 152991. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.152991. — EDN: PAWDCO.
Год: 2022
Babichev A. V. Surface Emitting Quantum-Cascade Ring Laser / A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, [и др.] // Semiconductors. — 2021. — Т. 55, № 7. — С. 591–594. — DOI: 10.1134/s106378262107006x. — EDN: FDZWPI.
Год: 2021
Babichev A. V. Quantum-Cascade Ring Resonator Laser with 7–8 μm Wavelength and Surface Radiation Output / A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, [и др.] // Semiconductors. — 2020. — Т. 54, № 14. — С. 1816–1819. — DOI: 10.1134/s106378262014002x. — EDN: PEMSNH.
Год: 2020
Fomin E. Using AlN Coatings to Protect the Surface of AlGaAs/GaAs System Heterostructures from Interaction with Atmospheric Oxygen / E. Fomin, A. Bondarev, I. Soshnikiv, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2020. — Т. 46, № 3. — С. 268–271. — DOI: 10.1134/s1063785020030207. — EDN: JUXLYY.
Год: 2020
Бабичев А. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 μm для реализации непрерывного режима генерации / А. Бабичев, А. Гладышев, В. Дюделев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 35–38. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.09.49371.18243. — EDN: NMJABV.
Год: 2020
Бабичев А. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров / А. Бабичев, Д. Пашнев, Д. Денисов, [и др.] // Оптика и спектроскопия. — 2020. — С. 696–700. — DOI: 10.21883/os.2020.06.49398.320-19. — EDN: DTGDNT.
Год: 2020
Бабичев А. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления / А. Бабичев, Д. Пашнев, А. Гладышев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 8–11. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.07.49211.18135. — EDN: VLOTZR.
Год: 2020
Бабичев А. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров / А. Бабичев, Д. Пашнев, А. Гладышев, [и др.] // Оптика и спектроскопия. — 2020. — С. 1165–1170. — DOI: 10.21883/os.2020.08.49715.2-20. — EDN: CYUUBD.
Год: 2020
Дюделев В. В. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм / В. В. Дюделев, Д. Михайлов, А. В. Бабичев, [и др.] // Квантовая электроника. — 2020. — С. 720–721. — EDN: FFMRFA.
Год: 2020
Дюделев В. В. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре / В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, [и др.] // Квантовая электроника. — 2020. — С. 141–142. — EDN: ITRHNZ.
Год: 2020
Дюделев В. В. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5-4.6 мкм / В. В. Дюделев, Д. Михайлов, А. В. Бабичев, [и др.] // Квантовая электроника. — 2020. — С. 989–994. — EDN: YCVSXK.
Год: 2020
Дюделев В. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне / В. Дюделев, Д. Михайлов, А. Бабичев, [и др.] // Журнал технической физики. — 2020. — С. 1333–1336. — DOI: 10.21883/jtf.2020.08.49544.78-20. — EDN: EOFEEH.
Год: 2020
Дюделев В. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 μm / В. Дюделев, Д. Михайлов, В. Мыльников, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 51–54. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.22.50310.18501. — EDN: LHPOIM.
Год: 2020
Фомин Е. Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом / Е. Фомин, А. Бондарев, И. Сошников, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 16–19. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.06.49158.18088. — EDN: JLVTSY.
Год: 2020
Seredin P. V. On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates / P. V. Seredin, A. Fedyukin, P. D. Terekhov, [и др.] // Semiconductors. — 2019. — Т. 53, № 11. — С. 1550–1557. — DOI: 10.1134/s1063782619110174.
Год: 2019
Бабичев А. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой / А. Бабичев, А. Гладышев, Д. Денисов, [и др.] // Оптика и спектроскопия. — 2019. — С. 278–282. — DOI: 10.21883/os.2019.08.48041.82-19. — EDN: HZSURS.
Год: 2019
Бабичев А. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 μm / А. Бабичев, В. Дюделев, А. Гладышев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 48–51. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.14.48025.17824. — EDN: XDIWNQ.
Год: 2019
Бабичев А. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре / А. Бабичев, А. Гладышев, А. Курочкин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 31–33. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.08.47618.17716. — EDN: TYEFMW.
Год: 2019
Бабичев А. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения / А. Бабичев, Д. Пашнев, А. Гладышев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 21–23. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.22.48643.17985. — EDN: UGJOCK.
Год: 2019
Дюделев В. В. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм / В. В. Дюделев, Д. Михайлов, А. Андреев, [и др.] // Квантовая электроника. — 2019. — С. 1158–1162. — EDN: KERYLG.
Год: 2019
Дюделев В. В. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм / В. В. Дюделев, Д. Михайлов, Д. Чистяков, [и др.] // Квантовая электроника. — 2019. — С. 801–803. — EDN: CPDBMN.
Год: 2019
Дюделев В. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 μm / В. Дюделев, Д. Михайлов, А. Бабичев, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 18–21. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.20.48387.17905. — EDN: ESTPJV.
Год: 2019
Середин П. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией / П. Середин, А. Федюкин, В. Терехов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1584–1592. — DOI: 10.21883/ftp.2019.11.48460.9147. — EDN: AAWPLE.
Год: 2019
Фомин Е. Топография поверхности и оптические характеристики тонких пленок AlN на подложке GaAs (100), полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления / Е. Фомин, А. Бондарев, A. Rumyantseva, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 38–41. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.05.47396.17564. — EDN: ZAZSKN.
Год: 2019