Размер шрифта

Изображения

Синтез речи

Шрифт Брайля

Обычная версия

* Шрифт Брайля предназначен для использования со специализированными считывающими устройствами

Для озвучки текста - наведите курсор на необходимый текст

Главная » Профиль сотрудника

Черняков Антон Евгеньевич

Занимаемые должности

Доцент (Баз. каф. ОЭ)
Ученая степень / Звания

Кандидат физико-математических наук
Подразделение

Базовая кафедра оптоэлектроники
Электронная почта

aecherniakov@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 16041388800
Учёные степени

Кандидат физико-математических наук
Аспирантские работы

Исследование процессов электролюминесценции и ее деградации в широкозонных AlInGaN светоизлучающих диодах
1.3.11 Физика полупроводников | 2027
Публикации

Aladov A. Possibility of Pumping Lasers on Alexandrite and Ti:Sapphire Leds Emitting in the Range of 440–510 nm / A. Aladov, A. Zakgeim, A. Ivanov, [и др.] // Journal of Applied Spectroscopy. — 2024. — Т. 91, № 2. — С. 286–291. — DOI: 10.1007/s10812-024-01719-7.
Год: 2024

Savchenko G. Carrier Recombination in Nitride-Based Light-Emitting Devices: Multiphonon Processes, Excited Defects, and Disordered Heterointerfaces / G. Savchenko, E. Shabunina, A. Chernyakov, [и др.] // Nanomaterials. — 2024. — Т. 14, № 13. — Ст. 1072. — DOI: 10.3390/nano14131072.
Год: 2024

Ivanov A. E. Current and temperature dependences of optical characteristics of powerful deep UV AlGaN LED (λ = 270 nm) / A. E. Ivanov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, [и др.] // ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICS. — 2023. — Т. 16, № 1. — С. 170–175. — DOI: 10.18721/jpm.161.329.
Год: 2023

Shabunina E. I. Contribution of Zone Fluctuation Potential and Disordering of Heteroboundaries to the Decreased Efficiency of Nitride-Based Leds / E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. Ivanov, [и др.] // Journal of Applied Spectroscopy. — 2023. — Т. 90, № 1. — С. 24–28. — DOI: 10.1007/s10812-023-01497-8.
Год: 2023

Закгейм А. Л. Электротермооптические характеристики и предельные энергетические возможности мощных AlGaN-светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона (λ~ 270 nm) / А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков // Письма в Журнал технической физики. — 2023. — С. 17–20. — DOI: 10.21883/pjtf.2023.09.55318.19519. — EDN: UNPQTR.
Год: 2023

Zakgeim A. L. Limiting Energy Capabilities of Powerful AlInGaN LEDs / A. L. Zakgeim, A. V. Aladov, A. Ivanov, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2022. — Т. 48, № 4. — С. 192–195. — DOI: 10.1134/s1063785022060049.
Год: 2022

Закгейм А. Л. ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНЫХ AlInGaN СВЕТОДИОДОВ СИНЕГО И УФ ДИАПАЗОНОВ / А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков // Радиоэлектронная техника. — 2022. — С. 86–91. — EDN: JZKZZF.
Год: 2022

Zakgeim A. L. Features of Operation of High-Power AlInGaN LEDs at High Pulse Currents / A. L. Zakgeim, A. E. Ivanov, A. E. Chernyakov // Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47, № 11. — С. 834–837. — DOI: 10.1134/s1063785021080290. — EDN: LPIVGZ.
Год: 2021

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)