Главная » Профиль сотрудника

Гагис Галина Сергеевна

Занимаемые должности

Доцент (Баз. каф. ОЭ)
Ученая степень / Звания

Кандидат физико-математических наук
Подразделение

Базовая кафедра оптоэлектроники
Электронная почта

gsgagis@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (elibraryId): 116667
Учёные степени

Кандидат физико-математических наук
Публикации

Гагис Г. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии / Г. Гагис, В. Васильев, Р. Лeвин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2020. — С. 22–24. — DOI: 10.21883/pjtf.2020.19.50039.18419. — EDN: ZIUFLU.
Год: 2020

Gagis G. Luminescence Properties of GaInAsP Layers with Graded Composition–Depth Profiles Grown on InP Substrates / G. Gagis, A. Vlasov, R. Levin, [и др.] // Technical Physics Letters. — 2019. — Т. 45, № 10. — С. 1031–1034. — DOI: 10.1134/s1063785019100213. — EDN: XQDSCB.
Год: 2019

Гагис Г. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии / Г. Гагис, Р. Левин, А. Маричев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2019. — С. 1512–1518. — DOI: 10.21883/ftp.2019.11.48446.9191. — EDN: HLJJIX.
Год: 2019

Гагис Г. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине / Г. Гагис, А. Власов, Р. Левин, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2019. — С. 22–25. — DOI: 10.21883/pjtf.2019.20.48388.17954. — EDN: YRYDUJ.
Год: 2019

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Дополнительно

© 1995 - 2026 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)