Рындин Евгений Адальбертович

Занимаемые должности

Ведущий научный сотрудник (НИЛ "НМЭВП")
Профессор (каф. МНЭ)
Ученая степень / Звания

Доцент
Доктор технических наук
Подразделение

Научно-исследовательская лаборатория "Нейроморфная электроника и вычисления в памяти"
Кафедра микро- и наноэлектроники
Электронная почта

earyndin@etu.ru

Научные идентификаторы

Научный идентификатор (scopusId): 25927480100

Научный идентификатор (elibraryId): 160156
Учёные степени

Доцент

Доктор технических наук
РИДы

Источник тока на биполярном p-n-p транзисторе
2025127442 | 2026-03-17

Симулятор импульсных нейронных сетей с учетом особенностей их аппаратного исполнения
2025683734 | 2025-09-05

Интегральный электронный синаптический КМОП-элемент
2024127070 | 2025-03-18

Программа для автоматического разложения архитектуры сверточных нейронных сетей на аппаратно-функциональные блоки
2024662943 | 2024-06-03

Программа для отладки аппаратной реализации режима обучения сверточных нейронных сетей
2024661621 | 2024-05-20

Интегральный электронный КМОП синапс
2808951 | 2023-12-05

Программа моделирования физических процессов в ИПМК
2023688281 | 2023-11-21

Мемристивный синапс
2020132649 | 2021-02-18
Аспирантские работы

Разработка методов интеграции мемристивных кроссбар-массивов в энергоэффективные и высокопроизводительные устройства на базе вычислений в памяти
2.2 Электроника, фотоника, приборостроение и связь 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2029

Разработка основ аппаратного проектирования нейроморфных архитектур для исполнения импульсных нейронных сетей
2.2 Электроника, фотоника, приборостроение и связь 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2029
Публикации

Petrov M. Neuromorphic processor with hardware learning based on a convolutional neural network for audio spectrogram analysis; [Нейроморфный процессор с аппаратным обучением на основе сверточной нейронной сети для анализа аудиоспектрограмм] / M. Petrov, E. Ryndin, N. Andreeva // Computer Research and Modeling. — 2026. — Т. 18, № 1. — С. 81–99. — DOI: 10.20537/2076-7633-2026-18-1-81-99. — EDN: DVUTAV.
Год: 2026

Petrov M. Automated design of deep neural networks with in-situ training architecture based on analog functional blocks / M. Petrov, E. Ryndin, N. Andreeva // European Physical Journal: Special Topics. — 2025. — Т. 234, № 15. — С. 4095–4108. — DOI: 10.1140/epjs/s11734-024-01369-y.
Год: 2025

Андреева Н. ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ / Н. Андреева, Е. Рындин, Д. Мазинг, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2025. — С. 440–448. — DOI: 10.7868/s3034641x25090161. — EDN: DQHDPZ.
Год: 2025

Дудкин А. Аппаратное исполнение импульсных нейронных сетей в нейроморфных электронных модулях / А. Дудкин, Н. Андреева, Е. Рындин // VI Международная конференция по нейронным сетям и нейротехнологиям (NeuroNT'2025). — 2025. — С. 32–35. — EDN: BDRODS.
Год: 2025

Дудкин А. Обучение импульсной нейронной сети с учетом особенностей функционирования мемристивного кроссбар-массива / А. Дудкин, Е. Рындин, Н. Андреева // Микроэлектроника. — 2025. — С. 310–322. — DOI: 10.31857/s0544126925040058. — EDN: QHFRKQ.
Год: 2025

Петров М. Аппаратная реализация асинхронной аналоговой нейронной сети с обучением на базе унифицированных КМОП IP-блоков / М. Петров, Е. Рындин, Н. Андреева // Микроэлектроника. — 2025. — С. 323–332. — DOI: 10.31857/s0544126925040066. — EDN: QHFTPM.
Год: 2025

Рындин Е. А. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВКЛАДА ГРАНИЧНЫХ ЭФФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕМРИСТИВНЫХ КОМПОЗИЦИЙ С ТОНКИМИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ / Е. А. Рындин, Н. В. Андреева, А. Е. Петухов // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. — 2025. — С. 150–153. — DOI: 10.29003/m4796.mmmsec-2025/150-153. — EDN: UCTNXG.
Год: 2025

Andreeva N. V. Dynamics of Analog Switching Behavior in Thin Polycrystalline Barium Titanate / N. V. Andreeva, E. A. Ryndin, A. E. Petukhov, [и др.] // Advanced Electronic Materials. — 2024. — Т. 10, № 6. — Ст. 2300806. — DOI: 10.1002/aelm.202300806.
Год: 2024

Dudkin A. P. Modeling the Functional Features of a Memristive Crossbar Array in Neuromorphic Electronic Modules / A. P. Dudkin, E. A. Ryndin, N. V. Andreeva // Russian Microelectronics. — 2024. — С. 554–566. — DOI: 10.1134/s1063739724600675. — EDN: HFOVJT.
Год: 2024

Андреева Н. В. Механизмы резистивной перестройки в сегнетоэлектрическом мемристоре на основе тонких поликристаллических пленок титаната бария / Н. В. Андреева, Е. А. Рындин, А. Е. Петухов, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2024. — С. 70–80. — DOI: 10.17587/nmst.26.70-80. — EDN: VLMOHV.
Год: 2024

Андреева Н. В. Подходы к оптимизации аппаратного исполнения импульсных нейронных сетей / Н. В. Андреева, Е. А. Рындин, И. А. Маврин // Нано- и микросистемная техника. — 2024. — С. 117–130. — DOI: 10.17587/nmst.26.117-130. — EDN: IGMGKI.
Год: 2024

Дудкин А. П. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ РАБОТЫ МЕМРИСТИВНОГО КРОССБАР-МАССИВА В НЕЙРОМОРФНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЯХ / А. П. Дудкин, Е. А. Рындин, Н. В. Андреева // Микроэлектроника. — 2024. — С. 483–495. — DOI: 10.31857/s0544126924060031. — EDN: GCXHKF.
Год: 2024

Ryndin E. A. Neuromorphic Electronic Module Based on the Use of the Memristor Electronic-Component Base for Image Recognition / E. A. Ryndin, I. Mavrin, N. Andreeva, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2023. — Т. 18, № SUPPL 1. — С. S194–S202. — DOI: 10.1134/s2635167623600724.
Год: 2023

Андреева Н. В. Сканирующая туннельная микроскопия как метод анализа корреляции локальных резистивных и сегнетоэлектрических свойств в мемристивных композициях / Н. В. Андреева, А. Е. Петухов, Е. А. Рындин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2023. — С. 51–60. — DOI: 10.17587/nmst.25.51-60. — EDN: JOOFPJ.
Год: 2023

Al-Saman A. A. An estimation of 2DEG density for GaN HEMT using analytical equation considering the charge conservation low / A. A. Al-Saman, E. A. Ryndin, Y. Pei, [и др.] // Solid-State Electronics. — 2022. — Т. 188. — Ст. 108209. — DOI: 10.1016/j.sse.2021.108209.
Год: 2022

Andreeva N. Architecture and Technology of Neuromorphic Memristive Chips / N. Andreeva, V. Luchinin, E. Ryndin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17, № SUPPL 1. — С. S72–S79. — DOI: 10.1134/s2635167622070035.
Год: 2022

Andreeva N. V. Organismic Memristive Structures With Variable Functionality for Neuroelectronics / N. V. Andreeva, E. A. Ryndin, D. S. Mazing, [и др.] // Frontiers in Neuroscience. — 2022. — Т. 16. — Ст. 913618. — DOI: 10.3389/fnins.2022.913618.
Год: 2022

Ryndin E. A. Compact Model for Bipolar and Multilevel Resistive Switching in Metal-Oxide Memristors / E. A. Ryndin, N. V. Andreeva, V. V. Luchinin // Micromachines. — 2022. — Т. 13, № 1. — Ст. 98. — DOI: 10.3390/mi13010098.
Год: 2022

Ryndin E. A. Neuromorphic Functional Modules of a Spiking Neural Network / E. A. Ryndin, N. Andreeva, V. V. Luchinin, [и др.] // Nanobiotechnology Reports. — 2022. — Т. 17, № SUPPL 1. — С. S80–S90. — DOI: 10.1134/s2635167622070175.
Год: 2022

Рындин Е. А. Нейроморфный электронный модуль, ориентированный на использование мемристорной ЭКБ, для распознавания изображений / Е. А. Рындин, И. А. Маврин, Н. В. Андреева, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2022. — С. 293–303. — DOI: 10.17587/nmst.24.293-303. — EDN: JOZODR.
Год: 2022

ANDREEVA N. Electron impact processes in voltage-controlled phase transition in vanadium dioxide thin films / N. ANDREEVA, P. TURALCHUK, D. CHIGIREV, [и др.] // Chaos, Solitons and Fractals. — 2021. — Т. 142. — Ст. 110503. — DOI: 10.1016/j.chaos.2020.110503. — EDN: YUHTAO.
Год: 2021

Pei Y. An intrinsic small-signal equivalent circuit model for AlGaN/GaN HEMT considering the momentum balance equation / Y. Pei, A. A. Al-Saman, E. A. Ryndin, [и др.] // IEEE Journal of the Electron Devices Society. — 2021. — Т. 9. — С. 1060–1065. — DOI: 10.1109/jeds.2021.3124327. — EDN: KQVISJ.
Год: 2021

Андреева Н. В. Архитектура и технология нейроморфных мемристивных чипов / Н. В. Андреева, В. В. Лучинин, Е. А. Рындин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 285–294. — DOI: 10.17587/nmst.23.285-294. — EDN: PUTTTX.
Год: 2021

Рындин Е. А. Нейроморфные функциональные модули импульсной нейронной сети / Е. А. Рындин, Н. В. Андреева, В. В. Лучинин, [и др.] // Нано- и микросистемная техника. — 2021. — С. 317–326. — DOI: 10.17587/nmst.23.317-326. — EDN: DQZLPU.
Год: 2021

Al-Saman A. A. Accurate Temperature Estimation for Each Gate of GaN HEMT with n-Gate Fingers / A. A. Al-Saman, Y. Pei, E. A. Ryndin, [и др.] // IEEE Transactions on Electron Devices. — 2020. — Т. 67, № 9. — С. 3577–3584. — Ст. 9162457. — DOI: 10.1109/ted.2020.3012116. — EDN: CLMAIK.
Год: 2020

Andreeva N. V. Memristive Logic Design of Multifunctional Spiking Neural Network with Unsupervised Learning / N. V. Andreeva, E. A. Ryndin, M. Gerasimova // BioNanoScience. — 2020. — Т. 10, № 4. — С. 824–833. — DOI: 10.1007/s12668-020-00778-2. — EDN: JYAIDL.
Год: 2020

Broyko A. P. Multiphysics simulator for the ipmc actuator: Mathematical model, finite difference scheme, fast numerical algorithm, and verification / A. P. Broyko, I. K. Khmelnitskiy, E. A. Ryndin, [и др.] // Micromachines. — 2020. — Т. 11, № 12. — С. 1–26. — Ст. 1119. — DOI: 10.3390/mi11121119.
Год: 2020

Lysenko I. The Mechanical Effects Influencing on the Design of RF MEMS Switches / I. Lysenko, A. Tkachenko, O. Ezhova, [и др.] // Electronics. — 2020. — С. 207. — DOI: 10.3390/electronics9020207. — EDN: OUPLMA.
Год: 2020

Pisarenko I. V. Photodetector with controlled relocation of carrier density peaks: Concept and numerical simulation / I. V. Pisarenko, E. A. Ryndin // Photonics. — 2020. — Т. 7, № 1. — Ст. 21. — DOI: 10.3390/photonics7010021.
Год: 2020

Писаренко И. В. ФОТОДЕТЕКТОР С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ: ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВАЯ МОДЕЛЬ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ОПТИЧЕСКИХ МЕЖСОЕДИНЕНИЯХ / И. В. Писаренко, Е. А. Рындин // Известия ЮФУ. Технические науки. — 2020. — С. 238–250. — DOI: 10.18522/2311-3103-2020-2-238-250. — EDN: BQDGVX.
Год: 2020

Писаренко И. Диффузионно-дрейфовая численная модель фотодетектора с управляемой передислокацией максимумов плотности носителей заряда / И. Писаренко, Е. Рындин // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). — 2020. — С. 57–65. — DOI: 10.31114/2078-7707-2020-2-57-64. — EDN: DUZLPT.
Год: 2020

	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
	197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
	+7 812 234-46-51
	info@etu.ru

Рындин Евгений Адальбертович

Занимаемые должности

Ученая степень / Звания

Подразделение

Электронная почта

Научный идентификатор (scopusId): 25927480100

Научный идентификатор (elibraryId): 160156

Доцент

Доктор технических наук

Разработка методов интеграции мемристивных кроссбар-массивов в энергоэффективные и высокопроизводительные устройства на базе вычислений в памяти

Разработка основ аппаратного проектирования нейроморфных архитектур для исполнения импульсных нейронных сетей

Контакты