Поступающим
Студентам
Сотрудникам
Университет
Университет
ЛЭТИ сегодня
Университет сегодня
Миссия, гимн
Этический кодекс
Федеральные проекты
ЛЭТИ в рейтингах
Фирменный стиль
Руководство
Ректор
Ректорат
Ученый совет
Наблюдательный совет
Структура
История и награды
История
Награды
Почетные звания и знаки
Выдающиеся выпускники
Музей
Кампус
Университетский городок
Карта
Общежития
Нормативные документы
Внутренние распоряжения к опубликованию
Документы к публикации от МОН
Закупки
Поступающим
Студентам
Сотрудникам
Образование
Образование
Образовательная деятельность
Образовательные программы
Управление образовательной политики
Аспирантура и докторантура
Конкурсы ППС
Наука
Наука
Научная деятельность
Административная структура
Центр трансфера технологий
Центр Молодежного предпринимательства
Основные научно-образовательные направления
Диссертационные советы
Поступающим
Студентам
Сотрудникам
Инновации
Международная деятельность
ЛЭТИ сегодня
Руководство
Структура
История и награды
Кампус
Нормативные документы
Закупки
Университет сегодня
Миссия, гимн
Этический кодекс
Федеральные проекты
ЛЭТИ в рейтингах
Фирменный стиль
Ректор
Ректорат
Ученый совет
Наблюдательный совет
История
Награды
Почетные звания и знаки
Выдающиеся выпускники
Музей
Университетский городок
Карта
Общежития
Внутренние распоряжения к опубликованию
Документы к публикации от МОН
Образовательная деятельность
Образовательные программы
Управление образовательной политики
Аспирантура и докторантура
Конкурсы ППС
Научная деятельность
Административная структура
Основные научно-образовательные направления
Диссертационные советы
Центр трансфера технологий
Центр Молодежного предпринимательства
Главная
»
Профиль сотрудника
Костромин Никита Андреевич
Занимаемые должности
Инженер
(ЛМНЭ)
Подразделение
Лаборатория микро- и наноэлектроники
Электронная почта
nakostromin@etu.ru
Научные идентификаторы
Научный идентификатор (elibraryId):
1200113
Научный идентификатор (scopusId):
57571726200
РИДы
Программа для моделирования многослойных волноводов и модификации их конструкций “Waveguide Simulator v1.0”
2023683843 | 2023-11-10
Публикации
Mokhov D. Copying X-ray blazed Si-gratings in Au— first results / D. Mokhov, T. Berezovskaya, L. Goray, [и др.] // Radiation Physics and Chemistry. — 2026. — Т. 244. — Ст. 113759. — DOI: 10.1016/j.radphyschem.2026.113759.
Год: 2026
Goray L. I. Maximum Achievable Diffraction Efficiency of Neutron Low-Frequency Gratings with Different Groove Profiles / L. I. Goray, N. A. Kostromin // Journal of Surface Investigation. — 2025. — Т. 19, № 3. — С. 562–567. — DOI: 10.1134/s1027451025700831. — EDN: JOEPAV.
Год: 2025
Горай Л. МАКСИМАЛЬНО ДОСТИЖИМАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ НЕЙТРОННЫХ НИЗКОЧАСТОТНЫХ РЕШЕТОК С РАЗЛИЧНЫМ ПРОФИЛЕМ ШТРИХОВ / Л. Горай, Н. Костромин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2025. — С. 22–28. — DOI: 10.7868/s3034573125050035. — EDN: OTKGTC.
Год: 2025
Dashkov A. S. An advanced theoretical approach to study super-multiperiod superlattices: theory vs experiments / A. S. Dashkov, S. A. Khakhulin, D. A. Shapran, [и др.] // Journal of Semiconductors. — 2024. — Т. 45, № 2. — Ст. 022701. — DOI: 10.1088/1674-4926/45/2/022701.
Год: 2024
Dashkov A. S. Terahertz Radiation Sources with an Active Region Based on Super-Multiperiod AlGaAs/GaAs Superlattices / A. S. Dashkov, L. G. Gerchikov, L. I. Goray, [и др.] // SEMICONDUCTORS. — 2024. — Т. 58, № 4. — С. 310–314. — DOI: 10.1134/s1063782624040055. — EDN: OEDXRQ.
Год: 2024
Горай Л. И. Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска--исследование эффективности / Л. И. Горай, А. С. Дашков, Н. А. Костромин, [и др.] // Журнал технической физики. — 2024. — С. 1128–1135. — DOI: 10.61011/jtf.2024.07.58349.124-24. — EDN: DZQGQJ.
Год: 2024
Горай Л. И. Резонансы рельефных треугольных решеток для ввода/вывода терагерцевого излучения в полупроводниках А₃В₅ / Л. И. Горай, Н. А. Костромин, А. С. Дашков, [и др.] // Письма в Журнал технической физики. — 2024. — С. 47–50. — DOI: 10.61011/pjtf.2024.19.58659.19999. — EDN: ASCPZF.
Год: 2024
Дашков А. Терагерцовые излучатели с активной областью на основе сверхмногопериодных решеток AlGaAs/GaAs / А. Дашков, Л. Герчиков, Л. Горай, [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2023. — С. 321–326. — DOI: 10.21883/ftp.2023.05.56197.17k. — EDN: BQLOVQ.
Год: 2023