Конкурсы направлены на оказание поддержки проектам в рамках технологических предложений, отобранных в результате конкурсного отбора по определению тематик исследований, разработок и опытно-конструкторских работ.
Результатом предоставления гранта является разработанная в рамках реализации проекта технология, подтвержденная изготовленным по ней прототипом изделия, а также в результате выполнения проекта должен быть создан и зарегистрирован в соответствии с законодательством Российской Федерации результат интеллектуальной деятельности (РИД).
Срок реализации проекта – 3 года (2026-2028гг.)
Принять участие могут: юридические лица, образованные в соответствии с законодательством Российской Федерации и учредительными документами которых предусмотрено проведение научных исследований и разработок
Софинансирование для реализации проекта предоставляется организацией-Заказчиком технологического предложения, в объеме не менее – 5% от общего размера гранта.
Направления конкурсов и размеры гранта:
Конкурс проектов прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства интегральных схем
- Лот № 1, тема: «Разработка системы управления и контроля положения мехатронной системы лазерного литографа»
- Лот № 2, тема: «Разработка лазерно-оптической системы экспонирования с применением динамических масок».
- Лот № 3, тема: «Разработка программного обеспечения для расчета и коррекции изображений и цифровой подготовки производства для лазерных литографических систем с динамической маской»
Размер гранта – до 30 млн. руб в год.
Конкурс проектов ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства полупроводниковых приборов
- Лот № 1: «Исследование высоковольтного транзистора с пробивным напряжением до 1000 В на основе AlxGa1-xN/AlyGa1-yN гетероструктур».
- Лот № 2: «Разработка методики и создание опытной установки получения высокочистых TEMAH, TEMAZ, применяемых в качестве прекурсоров в процессах атомно-слоевого осаждения».
- Лот № 3: «Разработка технологий прецизионной обработки изделий и материалов микроэлектроники на основе связанного алмазно-абразивного инструмента».
- Лот № 4: «Разработка системы машинного зрения и макета её отладки для реализации установки автоматической оптической инспекции полупроводниковых пластин».
Размер гранта – до 10 млн. руб. в год для ориентированных научных исследований, до 30 млн. руб. в год для прикладных научных исследований.
Конкурс проектов ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприемных матриц
- Лот № 1: «Разработка конструкции и технологии изготовления интегральных фотодиодов/линейки фотодиодов с чувствительностью не менее 0,95 А/Вт».
- Лот № 2: «Исследования и разработка усовершенствованных технологий изготовления пиксельных архитектур высокой плотности для матричных КМОП фотоприемников видимого диапазона спектра».
- Лот № 3: «Исследования и разработка усовершенствованных технологий изготовления пиксельных архитектур высокой плотности для OLED микродисплеев».
- Лот № 4: «Разработка базовой конструкции и технологии изготовления усилительного узла эмиссионного приемника изображения малоконтрастных объектов, диагностируемых в излучениях экстремальной части ультрафиолетового диапазона».
- Лот № 5: «Разработка гетероэпитаксиальных структур и конструкции кристаллов суперлюминисцентных диодов (СЛД) диапазона 1530−1570 нм с повышенной оптической мощностью от 2 мВт при токе накачки до 150 мА без дополнительного охлаждения».
Размер гранта – до 10 млн. руб. в год для ориентированных научных исследований, до 30 млн. руб. в год для прикладных научных исследований.
Конкурс проектов ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства фотонных интегральных схем
- Лот № 1: «Технология компонентов и элементов фотонного гироскопа на основе электрооптических материалов».
- Лот № 2: «Базовая архитектура, состав, технологические платформы и ожидаемые характеристики фотонного гироскопа».
Размер гранта – до 10 млн. руб. в год для ориентированных научных исследований, до 30 млн. руб. в год для прикладных научных исследований.
Конкурс проектов прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства приборов СВЧ и терагерцового диапазона (в части чипов и микроэлектронных составляющих)
- Лот № 1: «Разработка полупроводниковых фотопроводящих источников и детекторов импульсного ТГц излучения, возбуждаемых ультракороткими лазерными импульсами с длиной волны 780 нм и 1560 нм, с универсальным блоком электроники».
- Лот № 2: «Разработка программного комплекса для индикации и калибровки измерителя СВЧ мощности в частотном диапазоне до 110 ГГц».
- Лот № 3: «Разработка конструкции и технологии изготовления специальных гибридных интегральных плат для детектирующих головок измерителей СВЧ мощности в частотном диапазоне до 50 ГГц».
- Лот № 4: «Исследование метрологических характеристик измерителей СВЧ мощности в частотном диапазоне до 110 ГГц».
- Лот № 5: «Разработка конструкции и технологии изготовления волноводных детектирующих головок, предназначенных для измерения СВЧ мощности в частотном диапазоне 50 ГГц - 110 ГГц».
Размер гранта – до 30 млн. руб в год.
Конкурс проектов прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства приборов микросистемной техники (МЭМС, МОЭМС, МАС) и миниатюрных электронных модулей на основе микроэлектронных технологий (в части чипов и микроэлектронных составляющих)
- Лот № 1: «Разработка приборов регулирования потоков технологических сред».
- Лот № 2: «Разработка состава и технологии спекания LTCC композитных стеклокристаллических диэлектриков X7R, предназначенных для производства планарных конденсаторных массивов частотных фильтров».
- Лот № 3: «Модификация и развитие технологии с250g для производства интегральных биосенсоров».
- Лот № 4: «Исследование конструктивно-технологических решений создания миниатюрных акселерометров на основе кварцевых микроэлектромеханических систем (МЭМС) для навигационных систем гражданского назначения».
Размер гранта – до 30 млн. руб в год.
Конкурс проектов ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства приборов на основе квантовых эффектов и элементов наноэлектроники и молекулярной электроники
- Лот № 1: «Разработка датчиков оптических аберраций (искажений волнового фронта) для применения в офтальмологических операционных и диагностических комплексах».
- Лот № 2: «Создание и апробация мультимодальной системы навигации по хирургическому полю на основе оптической спектроскопии».
- Лот № 3: «Создание технологии получения гетероэпитаксиального материала на основе множественных квантовых ям в системе HgCdTe для многоэлементных детекторов инфракрасного излучения».
Размер гранта – до 10 млн. руб. в год для ориентированных научных исследований, до 30 млн. руб. в год для прикладных научных исследований.
Конкурс проектов прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в области производства приборов гибкой и печатной электроники
- Лот № 1: «Разработка наноструктурированных катодных материалов с регулируемой пористостью на основе тугоплавких металлов с применением аэрозольной 3Д-печати для изготовления комплексированных СВЧ-устройств на субтерагерцовый спектральный диапазон».
- Лот № 2: «Исследования и разработка технологии изготовления емкостных элементов электронной компонентной базы аддитивным методом чернильной аэрозольной печати».
- Лот № 3: «Исследования и разработка технологии изготовления резистивных элементов электронной компонентной базы аддитивным методом сухой аэрозольной печати».
Размер гранта – до 30 млн. руб в год.
Заявки принимаются через ИАС РНФ до 17:00 27 марта 2026г.
Более подробная информация на сайте.
