Размер шрифта
Изображения
Синтез речи
Шрифт Брайля
Обычная версия
Кафедра физики и современных технологий твердотельной электроники была создана в 2005 году академиком А. Г. Забродским в составе факультета электроники для подготовки магистров по направлению «Электроника и микроэлектроника». До 2021 года основная учебно-научная деятельность кафедры была связана с исследованиями и разработками в области микро- и нанотехнологий, полупроводниковой электроники большой мощности, технологий аморфных, широкозонных и органических полупроводников, а также приборных структур на их основе. Значительное внимание уделялось вопросам термоэлектрического преобразования энергии, сверхпроводниковой электроники и развитию методов диагностики современных материалов и приборов.
В 2021 году кафедру ФТТЭ возглавил профессор РАН Г. С. Соколовский и ее основной задачей стало распределение студентов магистратуры факультета электроники для прохождения практики в ФТИ им. А. Ф. Иоффе с последующей подготовкой и защитой выпускной квалификационной работы, а также возможным поступлением в аспирантуру ФТИ им. А. Ф. Иоффе или СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Кафедра ФТТЭ не является выпускающей, поэтому студенты продолжают обучение без смены кафедры, готовя магистерскую диссертацию в крупнейшем академическом институте. Профессорско-преподавательский состав кафедры сформирован из ведущих ученых ФТИ, осуществляющих руководство студентами ЛЭТИ. Такой формат взаимодействия позволяет университету повысить качество подготовки магистров за счет их включения в работу ведущего научно-исследовательского института и содействовать дальнейшему профессиональному развитию выпускников.
Базовая кафедра ФТТЭ призвана осуществлять подготовку магистров по направлению «Электроника и наноэлектроника»
Основными направлениями учебной и научно-исследовательской деятельности Кафедры являются разработки и исследования в областях:

Спектр научных исследований кафедры включает основные направления современной твердотельной электроники. Особое внимание уделяется материаловедению и использованию новых технологий и материалов в электронике больших мощностей, микро- и оптоэлектронике.
В числе преподавателей Кафедры 11 докторов физико-математических наук – лидеров многих научных направлений.
Тематика магистерских выпускных квалификационных работ определяется актуальными направлениями исследований лабораторий ФТИ, в которых студенты проходят практику. Это дает возможность магистрантам получить практические навыки научной работы, освоить современные методы исследований и проявить себя при выполнении исследовательских проектов. В период практики студенты трудоустраиваются в ФТИ, что служит дополнительным стимулом к успешной научной деятельности. ФТИ им. А.Ф. Иоффе оснащен самым современным исследовательским и технологическим оборудованием, что позволяет студентам работать на переднем крае науки.
Практическая подготовка студентов осуществляется на базе профильных лабораторий и научных подразделений ФТИ, в том числе лабораторий интегральной оптики на гетероструктурах, полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей, квантовой электроники, фотоэлектрических преобразователей, диагностики материалов и структур твердотельной электроники, физики полупроводниковых гетероструктур, кластерных структур, оптики поверхности, неравновесных процессов в полупроводниках, диффузии и дефектообразования, физики полупроводниковых приборов, а также других лабораторий и секторов Центра физики наногетероструктур.
После защиты магистерской диссертации выпускники получают диплом магистра и могут продолжить обучение в аспирантуре, работать в научно-исследовательских организациях и лабораториях, а также в высокотехнологичных промышленных компаниях, занимающихся разработкой и производством микро- и наноэлектронных устройств, полупроводниковых и оптоэлектронных приборов. Полученная подготовка также создает возможности для дальнейшего профессионального роста, развития научной карьеры и участия в инновационных проектах.
Квантовый каскадный лазер среднего инфракрасного диапазона во внешнем резонаторе со схемой импульсной накачки.
Вакуумированный Фурье-спектрометр Bruker Vertex 70v с гелиевым криостатом замкнутого цикла
Установка МПЭ RIBER, используемая для роста квантоворазмерных гетероструктур
Зондовая станция для исследования вертикально-излучающих лазеров
Сборка полупроводникового лазера с параболическими зеркалами