Области применения
Конкурентные преимущества
- Высокие показатели удельной мощности на единицу объема и массы за счет применения карбид-кремниевых (SiC) MOSFET-структур, что влечет снижение массогабаритных характеристик
- Снижение затрат на обеспечение электромагнитной совместимости за счет уменьшения массы и габаритов синусоидальных фильтров при высокой частоте коммутации
- Энергоэффективность
Стадия разработки
Действующий макет в составе испытательного стенда.
Основные технические характеристики
| Напряжение в звене постоянного тока | до 650 В |
| Выход | трехфазный, трехпроводный |
| Ток фазы на выходе | до 250 А |
| Частота коммутации | до 40 кГц |
| Управление силовыми каскадами | по ВОЛС |
| Масса | 30 кг |
| Габариты ДхШхВ | 420х360х210 мм |
| Защиты от перенапряжения | есть |
| Включение балласта | автоматическое |
| Контроль работоспособности | есть |
| Вторичное электропитание | встроенное (от шин питания инвертора) |
Правовая охрана
- Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ № 2022685523 «Система управления полупроводникового преобразователя, построенного на карбид-кремниевых транзисторах»;
- Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ № 2021680379 «ПО МК АПС»;
- Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ № 2021680377 «ПО МК «DC-PWM-3»;
- Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ № 2021680239 «ПО МК LCS».
